【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
动态随机存取存储器是一种挥发性存储器，其用来储存计算机中须作频繁存取的数据。典型的动态随机存取存储单元由金属氧化物半导体晶体管与电容器所构成，其中晶体管的源极/漏极分别与电容器及位线电性连接。现行DRAM所用的电容器主要有两种型态，其一为设置于衬底表面上的堆栈式电容器(stacked capacitor)，其二则为设置于衬底中的深沟渠式电容器(deeptrench capacitor)。下一个动态随机存取存储器的发展阶段中，对于数据保存时间的需求将以倍数成长，所以如何增加储存电极的数据保存时间，为现阶段努力的目标。关于增加数据保存时间，主要有两个方法，一种方法为提高存储单元对位线的电容比，另一种方法则为抑制漏电流。在现有技术中有一些方式可提高存储单元对位线的电容比，有使用高介电常数介电层的方式，但是需要新的机器进行整合。此外，有使用对介电层再氮化(re-nitridation)的方式，但却增加漏电流的情况。另外，还有利用减少上电极的深度，使电容的介电层的面积增加来提高电容值，却使得寄生晶...
【技术保护点】
一种动态随机存取存储器的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底具有一顶面与至少一深沟渠于该衬底中，其中该顶面上已覆盖有一图案化的掩模层，且该深沟渠内已填充有一覆盖层覆盖该深沟渠的一底部与一侧壁的下部分；于该深沟渠的该侧壁的上部分 的该衬底中离子注入一碳掺杂物以及一锗掺杂物，以于该深沟渠顶部侧壁的该衬底中形成一碳掺杂区及一碳锗掺杂区，该碳锗掺杂区位于该碳掺杂区上方；形成一顶盖层覆盖该深沟渠的该侧壁的上部分；以及进行至少一热工艺。
【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器的制造方法，包括提供一衬底，该衬底具有一顶面与至少一深沟渠于该衬底中，其中该顶面上已覆盖有一图案化的掩模层，且该深沟渠内已填充有一覆盖层覆盖该深沟渠的一底部与一侧壁的下部分；于该深沟渠的该侧壁的上部分的该衬底中离子注入一碳掺杂物以及一锗掺杂物，以于该深沟渠顶部侧壁的该衬底中形成一碳掺杂区及一碳锗掺杂区，该碳锗掺杂区位于该碳掺杂区上方；形成一顶盖层覆盖该深沟渠的该侧壁的上部分；以及进行至少一热工艺。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中进行该热工艺之后还包含移除该覆盖层与该顶盖层。3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中移除该覆盖层与该顶盖层之后还包含于该深沟渠中形成一电容介电层。4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中形成该电容介电层之后还包含于该深沟渠底部形成一第一导体层，以作为一深沟渠电容的一电极，并移除未被该第一导体层覆盖的该电容介电层。5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中移除该电容介电层之后还包含于该深沟渠的侧壁上形成一领氧化层，其中该碳掺杂区对应位于该领氧化层的周围。6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中形成该领氧化层之后还包含于该深沟渠中形成一第二导体层，覆盖该第一导体层上，并使该第二导体层距离该衬底的顶面一第一深度。7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中形成该第二导体层之后还包含移除暴露的该领氧化层，并形成一第三导体层，其中该碳锗掺杂区对应位于该第三导体层的周围。8.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中该覆盖层为一光致抗蚀剂材料层，并且与该深沟渠的底部与侧壁相接触的部分为一掺杂绝缘层，而于该热工艺之后于该深沟渠的底面与侧壁下部分的该衬底中形成一埋入式掺杂区，以作为深沟渠电容的另一电极。9.如权利要求8所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中该掺杂绝缘层为一含砷掺杂的氧化硅层。10.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中该覆盖层为一光致抗蚀剂材料层。11.如权利要求1所述的动态随机存取存储器的制造方法，其中该热工艺后，该碳掺杂区形成一碳化硅区，该碳锗掺杂区形成一碳锗化硅区。12.如权利要求1所述的动态随机存取存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：巫勇贤，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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