晶片处理装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种晶片处理装置，包括：用于支撑类似板状的基底的支撑物，用于加热放置在支撑物上的基底的加热机构，用于在放置在支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的第一涂布机构，用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载装置，用于在与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的第二涂布机构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对硅半导体，化合物半导体或其它晶片执行预定处理的晶片处理设备和方法。
技术介绍
在上述类型的传统晶片处理方法中，蜡被施加到并被允许在基底的上表面熔化，且晶片面朝下放在基底上，即具有形成在上面等的电路等的正面向下。然后，通过冷却将晶片固定在基底上。晶片和基底一起被放进装有作为腐蚀液的氢氧化钾(KOH)的处理槽，浸在腐蚀液中。晶片的背面从而被化学研磨至减少的厚度(变薄处理)(例如，参见第2003-347254号未审查的日本专利公开)。上述的传统实例有如下缺点。传统的晶片处理方法，因为很难为氢氧化钾提供防蜡性，蜡会溶化在腐蚀液中。结果在处理过程中，蜡从基底分离，或固定的晶片正面的边缘部分受到腐蚀。用于实施传统处理方法的晶片处理装置具有不适合用于长期处理的缺点，因为基底也会被腐蚀。例如，用不锈钢板替代硅晶片，基底不会被腐蚀，但是，不锈钢板具有与晶片大不相同的热膨胀系数，在处理期间受热时会发生晶片从基底分离的问题。
技术实现思路
本专利技术已注意到上述现有技术的情形，它的目的是提供一种能够避免由于晶片从基底分离导致的有缺限的处理的，通过用端面保护材料加强的方法覆盖晶片的边缘来实现。本专利技术的另一个目的是提供一种晶片处理装置，在该装置中，基底由的适当材料组成防止晶片从基底分离。通过根据本专利技术的晶片处理装置可以达到上述目的，该晶片处理装置包括用于支撑类似板状的基底的支撑物；用于加热放置在支撑物上的基底的加热机构；用于在放置在支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的第一涂布机构；用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载机构；用于在与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的第二涂布机构。根据本专利技术，加热机构加热放置在支撑物上的基底，第一涂布机构在基底的表面上涂布固定成分，然后装载机构在基底上面装载晶片。第二涂布机构在通过固定成分与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料。这些特征能够防止诸如晶片从基底分离的有缺限的处理。较佳地，第二涂布机构被设置成在晶片上涂布端面保护材料至离晶片边缘向内的预定宽度的位置。由于端面保护材料在晶片上覆盖直到离晶片边缘向内的预定宽度的位置，与晶片粘结的基底被浸入腐蚀液，为到达晶片的端面，必须移动增加的距离，从而，这种措施能可靠地避免由于腐蚀液扩散到晶片的端面而导致的不便。在本专利技术的另一个方面，提供了一种晶片处理方法，它包括将晶片放置在基底上和用固定成分将晶片与基底粘结的粘合步骤；用于在与基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的端面保护步骤；通过将与晶片粘结的基底浸入存储在处理槽中的腐蚀液使晶片变薄的变薄步骤。根据本专利技术，将晶片用固定成分粘合在基底上，晶片的边缘在整个圆周上用端面保护材料覆盖。随后，通过将与晶片粘结的基底浸入腐蚀液中执行变薄步骤。因为与晶片粘结的基底在整个圆周上用端面保护材料覆盖加强方法而被覆盖，固定成分没有被腐蚀液腐蚀或溶化，这防止了诸如晶片从基底分离的有缺限的处理。较佳地，执行端面保护步骤以在晶片上涂布端面保护材料直到从晶片边缘向内的预定宽度的位置。由于端面保护材料在晶片上覆盖直到从晶片边缘向内的预定宽度的位置，为到达晶片的端面，腐蚀液必须移动增加的距离。这种措施能可靠地避免由于腐蚀液扩散到晶片的端面而导致的不便。端面保护材料可以包括碳。包括碳将使得端面保护材料对诸如氢氧化钾的腐蚀液具有抗腐蚀能力。在本专利技术的再一个方面，晶片处理装置包括用于支撑对用于变薄处理中的腐蚀液有抗腐蚀能力的和具有与晶片相似的热膨胀系数的类似板状的基底的支撑物；用于加热放置在支撑物上的基底的加热机构；用于在放置在支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的涂布机构；用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载机构。根据本专利技术，加热机构加热基底，涂布机构在基底表面上涂布固定成分，然后装载机构在基底上装载晶片。基底对用于变薄处理中的腐蚀液具有抗腐蚀能力，及与晶片具有相似的热膨胀系数。当被浸入热的腐蚀液中，晶片和基底膨胀到相似的程度。这防止了晶片从基底分离。基底可由SiC或无定形碳组成。SiC具有与硅晶片相似的膨胀系数。无定形碳具有次最接近的值。附图说明为说明本专利技术，在附图中示出了当前较佳的几种形式，但是应当理解，本专利技术并不局限于所示的准确的设备和手段。图1是示出根据本专利技术的晶片粘合装置概要的方框图；图2是示出根据本专利技术的腐蚀装置概要的垂直断面的视图；图3是示出晶片粘合过程的示意图；图4是示出晶片粘合过程的示意图；图5是示出粘合的晶片的端面保护的示意图；图6是示出粘合的晶片的端面保护的示意图；图7是示出晶片端面保护状态的垂直断面图；图8是示出晶片端面保护状态的平面图；图9是示出变薄处理期间的状态的透视图；图10是示出变薄处理后晶片状态的垂直断面图；图11是示出晶片切割的示意图；图12是示出在修改的实施例中晶片端面保护的垂直断面图；图13是示出在修改的实施例中变薄处理后晶片状态的垂直断面图；具体实施方式参照附图本专利技术的较佳实施例将在下文中作详细描述。图1是示出根据本专利技术的晶片粘合装置概要的方框图。晶片粘合装置1相当于本专利技术的晶片处理装置，包括支撑台，与支撑台3下表面相连的旋转轴5和使旋转轴5旋转的电动机7。支撑台3具有用于加热放在支撑台3上的板状基底的内置加热器9。支撑台3的外径比基底11的外径略大。加热器9能控制温度至少到下文描述的蜡HM的熔点。虽然温度随着蜡HM的成分而变化，例如，在支撑台13的表面上温度大约为150°到170°。传送机构13放置于支撑台3的侧面(图1中的左侧)用于传送基底11和晶片W。传送机构13包括力臂15和吸力器件17。力臂15可以垂直移动，及可伸展和可缩进。吸力器件17能吸附在基底11或晶片W的上表面。蜡传送机构19也放置于支撑台3的侧面(图1中的右侧)用于夹持和蜡传送蜡HM。蜡传送机构19包括夹持臂21，夹持臂21可以垂直移动，及可伸展和可缩进。夹持臂21夹持和传送蜡HM。这里使用的蜡HM可以为诸如固态，液态或薄膜的便携形式。此外，喷嘴23放置于支撑台3的侧面(图1中的左侧)用于供给端面保护材料。喷嘴23与供应端面保护材料的保护材料源25连接。喷嘴23在距离支撑台的侧向位置和晶片W边缘之上的位置之间移动。电动机7，加热器9，传送机构13，蜡传送机构19和保护材料源25全部由控制器27控制。支撑台13相当于本专利技术的“支撑物”。加热器9相当于本专利技术的“加热机构”。蜡传送机构相当于本专利技术的“第一涂布机构”和“涂布机构”。喷嘴23相当于本专利技术的“第二涂布机构”和“保护材料涂布机构”。蜡HM相当于本专利技术的“固定成分”。例如，上述的蜡包含液晶化合无和有机聚合物。“液晶化合物”的例子包括近晶型液晶，诸如异丁酸钠、油酸钠、六氢苯甲酸钾、硬脂酸钠、豆蔻酸钾、棕榈酸钠、苯甲酸钠、对氧化偶氮苯甲酸乙酯、1-正十二烷基吡啶盐酸盐、1-正十二烷基吡啶氢溴酸盐、1-正十二烷基吡啶氢碘酸盐、和2-正十三烷基吡啶盐酸盐；向列型液晶，诸如庚-2，4-二烯酸、辛-2，4-二烯酸、壬-2，4-二烯酸、癸-2，4-二烯酸、十一-2，4-二烯酸、和壬-2-烯-4-酸；胆甾型液晶，诸如胆甾醇丙酸酯、胆甾醇苯甲酸酯、胆甾醇棕榈酸酯、和胆甾醇氯化物；及显示复杂的过渡的物质，诸如对-正辛基羟基苯甲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片处理装置，它包括：用于支撑类似板状的基底的支撑物；用于加热放置在所述支撑物上的基底的加热机构；用于在放置于所述支撑物上的基底表面上涂布固定成分的第一涂布机构；用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装 载机构；用于在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的第二涂布机构。

【技术特征摘要】
JP 2004-10-26 2004-310733;JP 2004-10-28 2004-314261.一种晶片处理装置，它包括用于支撑类似板状的基底的支撑物；用于加热放置在所述支撑物上的基底的加热机构；用于在放置于所述支撑物上的基底表面上涂布固定成分的第一涂布机构；用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载机构；用于在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的第二涂布机构。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述第二涂布机构被设置成在晶片上涂布端面保护材料直到离晶片边缘向内的预定宽度的位置。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述支撑物被设置成支撑对用于变薄处理中的腐蚀液有抗腐蚀能力的和具有与晶片相似的热膨胀系数的所述基底。4.如权利要求2所述的装置，其特征在于所述支撑物被设置成支撑对用于变薄处理中的腐蚀液有抗腐蚀能力的和具有与晶片相似的热膨胀系数的所述基底。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述基底由SiC组成。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述基底由无定形碳组成。7.一种晶片处理方法，它包括将晶片放置于基底上，并用固定成分将所述晶片粘结到所述基底上的粘结步骤；在与所述基底粘结的晶片边缘的整个圆周上涂布端面保护材料的端面保护步骤；通过将其上粘结了晶片的所述基底浸入存储在处理槽中的腐蚀液中使所述晶片变薄的变薄步骤。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于所述端面保护步骤被执行，以在晶片上涂布端面保护材...

【专利技术属性】
技术研发人员：新居健一郎，长谷川公二，
申请(专利权)人：日本网目版制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]