形成单一正向路径（第一基板输送路径），用于在正向输送基板以将基板输送到曝光装置上。形成分开的基板输送路径（第二基板输送路径），专用于后曝光烘烤（ＰＥＢ）。沿着每条路径进行基板输送，而与沿着另一条的基板输送无关。将第四主输送机构插入输送点...

当基板清洗腔５的盖子打开，在腔中放置基板时，阀门Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，和Ｖ６都关闭，只有阀门Ｖ５打开。于是，向基板清洗腔５提供气体ＣＯ↓［２］以防止环境空气成分进入腔及进行腔的净化。随着基板清洗腔５的盖子关闭，阀门Ｖ６继续关闭以形成基...

本文披露了提高产量的基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括以并行方式排列的抗反射薄膜形成块，光刻薄膜形成块和显影块。各个块都包括化学处理舱，热处理舱和单个主传送机构。主传送机构将基板在各个块内传送。在相邻块的基板传送是通过基板台来进...

形成单一正向路径（第一基板输送路径），用于在正向输送基板以将基板输送到曝光装置上。形成分开的基板输送路径（第二基板输送路径），专用于后曝光烘烤（ＰＥＢ）。沿着每条路径进行基板输送，而与沿着另一条的基板输送无关。将第四主输送机构插入输送点...

本文披露了提高产量的基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括以并行方式排列的抗反射薄膜形成块，光刻薄膜形成块和显影块。各个块都包括化学处理舱，热处理舱和单个主传送机构。主传送机构将基板在各个块内传送。在相邻块的基板传送是通过基板台来进...

本发明涉及一种晶片处理装置，包括：用于支撑类似板状的基底的支撑物，用于加热放置在支撑物上的基底的加热机构，用于在放置在支撑物上的基底的表面上涂布固定成分的第一涂布机构，用于在涂布有固定成分的基底上面装载晶片的装载装置，用于在与基底粘结的...

一种混合器，通过将氯化物混入由热水单元加热的去离子热水中来制备处理溶液。将制得的处理溶液通过处理溶液管和共用管供给处理槽。在该处理槽中，由升高器固定的基板被浸入处理溶液。随后，升高器升高，从处理溶液中拉出基板。由于附着在基板上的液滴是酸...

基片处理设备包括用于接纳各自存放多张基片的整体容器的存放区、用于整体地处理多张基片的第一处理区、用于一次处理一张基片的第二处理区、以及用于在整体容器、第一处理区和第二处理区之间输送诸基片的输送装置。可以按整体地处理多张基片的方式和／或一...

一肋材料从根据一喷嘴相对于背板的运动方向向前倾斜的方向供应给一背板。这种供应模式沿对应于喷嘴相对于背板运动方向的一方向对肋材料施加一水平速度分量。减小介于肋材料的水平速度分量和由喷嘴和背板之间的相对运动而引起的背板的相对运动速度分量之间...

本发明公开了一种化学处理装置，该装置用于通过向基板的主表面运送处理溶液而对其进行预定处理。该装置包括一个用于向基板的主表面运送处理溶液的处理溶液运送喷嘴。该喷嘴具有一个与其尖端相邻用于贮存处理溶液的处理溶液容器。一温度控制装置保持住温度...

一种板供应装置１在从盒子２中取出一板Ｐ并朝向一图像记录装置８传输时允许一支承部分３３进行操作，以使支承部分３３的枢转角沿循基于被传输板Ｐ的类型的优化路径。此外，在控制支承部分３３的枢转操作时不必控制支承部分３３的枢转位置，且转动驱动脉冲...