等离子体处理方法以及等离子体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在进行等离子体处理时及其前后，通过将被处理件（基板）切实地固定在托盘上，可提高处理性和操作性，并且在必要时能够容易地将基板从托盘上剥离的方法以及装置。在将载置在托盘上的基板载置在支承台上，通过等离子体对基板的表面进行处理的等离子体处理方法中，利用热剥离粘接构件粘接托盘和基板。作为热剥离粘接构件，可适宜地使用发泡剥离性薄板。由于热剥离粘接构件通常具有粘接性，所以在等离子体处理前后，托盘与基板被切实地固定，从而可获得良好的操作性，另一方面，在处理后，只需将托盘加热到规定的剥离温度以上，即可容易地将基板从托盘上剥离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用等离子体对被处理件的表面实施蚀刻、堆积(成膜)、清洗等处理的等离子体处理方法以及装置。
技术介绍
对于基板等被处理件(以下简称基板)表面的等离子体处理，是按照如下的方式进行的。即，首先将基板搬入真空容器内，并载置在支承台上。在使真空容器的内部成为减压状态后，向真空容器内导入处理用气体(等离子体气体)，采用各种方法投入能量而将等离子体气体等离子体化。通过适宜地设定导入的等离子体气体的种类和投入的能量等，对基板进行蚀刻、堆积、清洗等处理。 这里，通常为了便于操作，是将基板首先载置·固定在托盘上，然后，将载置了基板的托盘载置在真空容器内的支承台上。即，基板和托盘被一同装入真空容器内，在处理后，与托盘一同从真空容器中取出，然后进行后续工序的处理。在完成了规定的处理之后，从托盘上取下基板。 在支承台上进行等离子体处理的期间，由于等离子体的能量被施加于基板，所以基板的温度上升。在该温度上升过高时，基板本身的特性发生变化或劣化，会导致光致抗蚀剂的烧坏。因此，在多数的情况下，在等离子体处理期间，进行基板的冷却。通常是通过冷却载置了该基板的支承台，进行基板的冷却。 在如上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理方法，是将被处理件载置在托盘上，进一步将该托盘载置在支承台上，通过等离子体对该被处理件的表面进行处理的等离子体处理方法，其特征在于，利用热剥离粘接构件粘接托盘和被处理件。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-27 2005-376568;JP 2006-7-19 2006-1965581.一种等离子体处理方法，是将被处理件载置在托盘上，进一步将该托盘载置在支承台上，通过等离子体对该被处理件的表面进行处理的等离子体处理方法，其特征在于，利用热剥离粘接构件粘接托盘和被处理件。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，在等离子体处理时对该支承台进行冷却。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于，热剥离粘接构件是发泡剥离剂。4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于，热剥离粘接构件是发泡剥离性薄板。5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于，在托盘的表面设置槽，一边将被处理件与托盘之间的气体从该槽释放，一边粘接托盘和被处理件。6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，在托盘的表面中槽所占有的面积的比例为5％～40％。7.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，槽的深度为10μm～200μm。8.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于，隔着配置在被处理件周围的密封件载置盖，以机械方式将盖按压在被处理件上，且向由被处理件、密封件以及盖形成的施压室内注入气体，由此按压被处理件的整个面，将被处理件粘接在托盘上。9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述气体的压力为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：西宫智靖，扇谷浩通，平本道广，
申请(专利权)人：莎姆克株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]