处理基材的设备和方法以及用于这种设备的喷头技术

本发明专利技术提供喷头、基材处理设备以及使用它的基材处理方法。该基材处理设备包括支撑基材的可旋转的旋转头；安装在旋转头上并用于向支撑在旋转头上的基材的底部表面供应流体的喷头；以及向喷头供应流体的流体供应单元。该喷头包括：设置在支撑在旋转头上的基材的中心区域下面并用于从流体供应单元接收流体的主体；以及从主体延伸到支撑在旋转头上的基材的边缘区域并用于向基材的底部表面喷射由主体供应的流体的喷射部件，该喷射部件具有第一喷孔、第二喷孔和流动通道，第一喷孔向基材的边缘区域喷射流体，第二喷孔向位于中心区域与边缘区域之间的中间区域喷射流体，流体经流动通道供应到第一喷孔，然后供应到第二喷孔。

【技术实现步骤摘要】

在此公开的本专利技术涉及基材处理设备和基材处理方法，更具体地说，涉及能够均匀处理基材底部表面的基材处理设备和方法。
技术介绍
一般来说，在半导体器件制造过程中，在用作基材的晶片上沉积多层薄层，比如多晶体层、氧化物层、氮化物层和金属层。在这些薄层上涂布光致抗蚀剂层。使用曝光过程在光掩模上形成的图案被转移到光致抗蚀剂层上。此后，通过蚀刻过程在晶片上形成预期的图案。比如各种薄层和光致抗蚀剂等不必要的杂质会残留在进行上述过程的晶片的底部表面上。这些薄层和光致抗蚀剂在后面的过程中作为颗粒使器材污染。因此，需要蚀刻过程来去除比如各种薄层和光致抗蚀剂等残留在晶片底部表面上的不必要的杂质层。蚀刻基材底部表面用的基材处理设备包括向旋转晶片的底部表面喷射化学品溶液的喷头。这种喷头包括设置在晶片下部中心区域的主体和从该主体向晶片边缘区域延伸的喷射部件。在喷射部件上形成有多个喷孔。化学品溶液经这些喷孔喷射到晶片底部表面。由于晶片的旋转，喷射到晶片底部表面的化学品溶液流向晶片边缘区域，从而去除残留在晶片底部表面上的杂质。然而，常规的基材处理设备具有以下问题。供应到喷射部件的化学品溶液从相应于晶片中心区域的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基材处理设备，包括：可旋转的旋转头，所述旋转头支撑基材；喷头，所述喷头安装在所述旋转头上并用于向支撑在所述旋转头上的基材的底部表面供应流体；以及流体供应单元，所述流体供应单元向所述喷头供应流体，其中所述喷 头包括：主体，所述主体设置在支撑在所述旋转头上的基材的中心区域下面并用于从所述流体供应单元接收流体；以及喷射部件，所述喷射部件从所述主体延伸到支撑在所述旋转头上的基材的边缘区域并用于向所述基材的底部表面喷射由所述主体供应的流 体，所述喷射部件具有第一喷孔、第二喷孔和流动通道，所述第一喷孔向所述基材...

【技术特征摘要】
KR 2006-5-25 10-2006-00472171.一种基材处理设备，包括可旋转的旋转头，所述旋转头支撑基材；喷头，所述喷头安装在所述旋转头上并用于向支撑在所述旋转头上的基材的底部表面供应流体；以及流体供应单元，所述流体供应单元向所述喷头供应流体，其中所述喷头包括主体，所述主体设置在支撑在所述旋转头上的基材的中心区域下面并用于从所述流体供应单元接收流体；以及喷射部件，所述喷射部件从所述主体延伸到支撑在所述旋转头上的基材的边缘区域并用于向所述基材的底部表面喷射由所述主体供应的流体，所述喷射部件具有第一喷孔、第二喷孔和流动通道，所述第一喷孔向所述基材的边缘区域喷射流体，所述第二喷孔向位于所述中心区域与所述边缘区域之间的中间区域喷射流体，流体经所述流动通道供应到所述第一喷孔，然后供应到所述第二喷孔。2.如权利要求1所述的基材处理设备，其中所述喷射部件具有第一流动通道和第二流动通道，所述第一流动通道使流体从与所述主体连接的所述喷射部件的一端流向所述喷射部件的另一端，所述第二流动通道从所述第一流动通道延伸并使流体从所述喷射部件的另一端流向所述喷射部件的一端，所述第二喷孔形成在所述第二流动通道上。3.如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述第一喷孔形成在所述第一流动通道上。4.如权利要求2所述的基材处理设备，其中所述第一流动通道与所述第二流动通道平行设置。5.如权利要求1所述的基材处理设备，其中所述流动通道呈“U”形。6.如权利要求1所述的基材处理设备，其中所述第一喷孔之间的间距比所述第二喷孔之间的间距窄。7.如权利要求1所述的基材处理设备，其中倾斜地形成所述第一喷孔，使得所述第一喷孔的各顶端部分朝向所述基材的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金贤钟，安英基，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]