【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480071333
【技术保护点】
一种经过显色处理的基材,其包括:包含镁的基体;以及薄膜,其形成于所述基体上,且含有下述化学式1所示的化合物,[化学式1]M(OH)m在所述化学式1中,M包含选自Na、K、Mg、Ca及Ba中的1种以上,m为1或2,对于位于所述基体上的任意位点A,满足下述数学式1及2的条件:[数学式1]ΔE1*<1.0[数学式2]ΔE2*>2.0在所述数学式1及2中,ΔE1*表示位点A的平均色坐标与位于同一轴线上的任意位点B的平均色坐标之间的偏差,ΔE2*表示位点A的平均色坐标与位点C的平均色坐标之间的偏差,其中,位点C位于与第一轴线具有75°~105°的平均偏差的第二轴线上,并且与位点A的平均色坐标位于同一轴线上,且与位点A的距离为3cm以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.26 KR 10-2013-0164044;2013.12.26 KR 10-2011.一种经过显色处理的基材,其包括:包含镁的基体;以及薄膜,其形成于所述基体上,且含有下述化学式1所示的化合物,[化学式1]M(OH)m在所述化学式1中,M包含选自Na、K、Mg、Ca及Ba中的1种以上,m为1或2,对于位于所述基体上的任意位点A,满足下述数学式1及2的条件:[数学式1]ΔE1*<1.0[数学式2]ΔE2*>2.0在所述数学式1及2中,ΔE1*表示位点A的平均色坐标与位于同一轴线上的任意位点B的平均色坐标之间的偏差,ΔE2*表示位点A的平均色坐标与位点C的平均色坐标之间的偏差,其中,位点C位于与第一轴线具有75°~105°的平均偏差的第二轴线上,并且与位点A的平均色坐标位于同一轴线上,且与位点A的距离为3cm以上。2.根据权利要求1所述的经过显色处理的基材,其中,位于包含镁的基体上的任意位点A的薄膜平均厚度与位于第二轴线上的位点C的薄膜平均厚度的偏差满足下述数学式3的条件:[数学式3]10nm≤│d1-d2│在所述数学式3中,d1为位点A的薄膜平均厚度,d2为位点C的薄膜平均厚度。3.根据权利要求1所述的经过显色处理的基材,其中,薄膜的平均厚度为50nm~2μm。4.根据权利要求1所述的经过显色处理的基材,其中,薄膜包含镁氢氧化物(Mg(OH)2)。5.根据权利要求1所述的经过显色处理的基材,其中,基体还包括不锈钢或钛(Ti)。6.根据权利要求1所述的经过显色处理的基材,其中,还包括形成于薄膜上的波长变换层;以及形成于波长变换层上的表面涂层(top coat)。7.根据权利要求6所述的经过显色处理的基材,其中,波长变换层包括选自包含...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑铉珠,全英遇,李钟锡,徐旼弘,安钢焕,
申请(专利权)人:POSCO公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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