基材支撑单元以及使用该基材支撑单元处理基材的设备制造技术

本发明专利技术提供一种基材支撑单元以及使用该基材支撑单元的基材处理设备。该基材支撑单元包括基板和在该基板上形成的支撑部。该支撑部包括两个支撑杆和多个支撑件。所述两个支撑杆沿预定方向彼此分开地延伸。所述多个支撑件沿预定方向彼此分开地设置。各支撑件均与支撑杆连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基材支撑单元以及使用该基材支撑单元处理基材的 设备，更具体而言，涉及一种在处理过程中稳定地支撑基材的基材支撑 单元以及使用该基材支撑单元处理基材的设备。
技术介绍
诸如半导体存储器或平板显示器等电子器件包括基材。基材可以是 硅晶片或玻璃基材。在基材上形成有多个导电层图案和使多个不同的导 电层图案绝缘的绝缘层图案。使用诸如曝光、显影和蚀刻等一系列处理 形成导电层图案和绝缘层图案。在填充有处理液的处理槽内进行这一系列处理。各处理槽内具有相 同的处理液以进行相同的处理，或者具有不同的处理液以进行不同的处 理。处理槽可以包括含有在使用处理液处理基材之后用于清洁基材的清 洁液的处理槽。不论什么样的处理槽和处理液，在处理过程中，基材都要浸在处理 槽的处理液中。基材与处理液反应并进行处理。因此，在处理过程中， 有必要将基材稳定地支撑在处理槽内。特别地，由于在一次处理中要同 时处理大量的基材以提高处理效率，因此需要一种设备，其能用于常用 的各种处理槽，同时能稳定地支撑各种基材。
技术实现思路
示例性实施例提供一种基材支撑单元。所述基材支撑单元包括基板 和支撑部。在所述基板上形成有至少一个所述支撑部，所述支撑部支撑 沿第一方向排列的多个基材。所述支撑部包括两个支撑杆和多个支撑件。 所述两个支撑杆沿第一方向延伸并彼此分开。所述多个支撑件沿第一方 向彼此分开地排列，与所述支撑杆连接并与所述各基材接触。示例性实施例提供一种基材支撑单元。所述基材支撑单元包括基板 和支撑部。在所述基板上形成有至少一个所述支撑部，所述支撑部支撑 沿第一方向排列的多个基材。所述支撑部包括两个彼此相对的侧壁和连 接所述两个侧壁的主体，在所述主体内形成有与所述基材接触的多个狭槽。示例性实施例提供一种基材处理设备。所述基材处理设备包括处理 槽和基材支撑单元。在所述处理槽内部对基材进行处理。所述基材支撑 单元在处理过程中置于所述处理槽内部并支撑所述基材使得所述基材垂 直地位于所述基材支撑单元上。所述基材支撑单元包括基板和在所述基 板上形成的至少一个支撑部。所述基材支撑单元支撑沿第一方向排列的 所述基材，并包括两个支撑杆和多个多个支撑件。所述多个支撑件沿第 一方向彼此分开地排列，与所述支撑杆连接并与所述各基材接触。示例性实施例提供一种基材处理设备。所述基材处理设备包括处理 槽和基材支撑单元。在所述处理槽内部对基材进行处理。所述基材支撑 单元在处理过程中置于所述处理槽内部并支撑所述基材使得所述基材垂 直地位于所述基材支撑单元上。所述基材支撑单元包括基板和在所述基 板上形成的至少一个支撑部。所述基材支撑单元支撑沿第一方向排列的 所述基材。所述支撑部包括两个彼此相对的侧壁和连接所述两个侧壁的 主体。在所述主体内形成有与所述基材接触的多个狭槽。附图说明附图用于进一步理解本专利技术，其并入本说明书中并构成它的一部分。 附图阐明本专利技术的示例性实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中图1是根据本专利技术一些实施例的基材处理设备的立体图。 图2是图l所示的子处理单元的示意图。 图3是图2所示的基材支撑单元的立体图。图4a是图3所示的基材支撑单元的立体图。图4b是图3所示的基材支撑单元的支撑部的俯视平面图。图5是根据本专利技术一些实施例的基材支撑单元的立体图。图6a是图5所示的基材支撑单元的支撑部的立体图。图6b是图5所示的基材支撑单元的支撑部的俯视平面图。图7是根据本专利技术一些实施例的基材支撑单元的立体图。图8a是图7所示的基材支撑单元的辅助支撑部的立体图。图8b是图7所示的基材支撑单元的辅助支撑部的俯视平面图。图9是根据本专利技术一些实施例的基材支撑单元的立体图。图10a是图9所示的基材支撑单元的辅助支撑部的立体图。图10b是图9所示的基材支撑单元的辅助支撑部的俯视平面图。具体实施例方式下面参照显示本专利技术实施例的附图更详细地描述本专利技术。然而，本 专利技术可以体现为多种不同形式，并且不应当认为本专利技术受限于在此提出 的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本专利技术的公开内容清楚和完 整，并向本领域技术人员全面地表达本专利技术的范围。在附图中，为清楚 显示可以将各层和各区域的尺寸以及相对尺寸放大。同样的附图标记始 终指同样的元件。图1是根据本专利技术一些实施例的基材处理设备的立体图。参照图1，基材处理设备包括装载端10、转移单元20和处理单元 30。在装载端IO上装载或卸载诸如半导体晶片等基材。使用盒子11可同时处理多个晶片。一个盒子11最多能容纳25个晶片。因此，使用两个盒子， 一次最多可处理50个晶片。转移单元20接收晶片并将晶片转移到处理单元30。转移晶片的转 移自动装置(图未示)设在转移单元20的下部。处理单元30处理从转移单元20转移来的晶片。处理单元30包括多 个子处理单元。也就是说，处理单元30包括第一子处理单元31、第二子 处理单元32和第三子处理单元33。如有必要，处理单元30还可以包括 除第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33之外的 附加子处理单元。如有必要，可以省去一部分的第一子处理单元31、第 二子处理单元32和第三子处理单元33。第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33均包 括含有用于对晶片进行各种处理的处理液的处理槽。例如，这种处理可 以是蚀刻、清洁以及干燥。在处理过程中，氢氟酸、硫酸、去离子水、 异丙醇、氮气等等可以分别用作处理液或处理气。第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33的各 处理槽中填充的处理液可以是进行相同处理的成分相同的处理液。第一 子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33的各处理槽中 填充的处理液可以是进行相同处理的成分不同的处理液。第一子处理单 元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33的各处理槽中填充的处 理液可以是进行不同处理的成分不同的处理液。图2是图l所示的子处理单元的示意图。图2显示了第一子处理单 元31、第二子处理单元32和第三子处理单元33中的一个，图2所示的 结构可适用于第一子处理单元31、第二子处理单元32和第三子处理单元 33中所有的子处理单元。参照图2，子处理单元包括处理槽100、安装在处理槽100内的基材 支撑单元200、供应部300和循环部400。在处理槽100内对诸如晶片W 等半导体基材进行处理。供应部300向处理槽100提供处理液。循环部 400使提供的处理液循环到处理槽100。更具体而言，处理槽100包括内槽110和外槽120。内槽110具有敞开的顶部，使得可从上部提供处理液。内槽IIO包括底面内的排出孔(图 未示)，用于排出处理液。外槽120包围着内槽IIO的外侧，用于容纳从 内槽IIO溢出的处理液。在内槽110内部安装有在处理过程中支撑晶片W的支撑单元200。 后面说明支撑单元200的具体结构。外槽120包括出口 130，内槽110包括入口 140。出口 130和入口 140与循环部400连接。循环部400使从出口 130流出的处理液循环，并 经入口 140向处理槽IOO提供处理液。由于处理过程中处理液与晶片W 反应，因此处理液的成分发生变化，使得用于处理的处理液的作用可能 变弱。循环部400使处理液循环并在处理过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基材支撑单元，其包括：　基板；以及　在所述基板上形成并支撑沿第一方向排列的多个基材的至少一个支撑部，　其中，所述支撑部包括：　沿第一方向延伸且彼此分开的两个支撑杆；以及　沿第一方向彼此分开排列的多个支撑件，所述支撑件与所述支撑杆连接并与所述各基材接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑惠善，李昇浩，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]