支撑单元和包括其的基板处理装置制造方法及图纸

公开了一种基板处理装置。所述基板处理装置包括：处理室，其内具有处理空间；支撑单元，置于处理室内并支撑基板；气体供给单元，将处理气体供给到处理室内；等离子体源，使用处理气体产生等离子体；以及内衬单元，与所述处理室的内侧壁或所述处理室内的所述支撑单元邻近或接触。所述支撑单元包括：上板，在其上放置基板，所述上板的上表面由非导电材料形成；电极板，放置在上板下方并由导电材料形成；和下板，放置在电极板下方并具有环状。在下板中提供冷却构件。

【技术实现步骤摘要】

在此描述的本专利技术构思的具体实施方式涉及一种用于处理基板的基板处理装置，更具体地，涉及一种使用等离子体的基板处理装置。
技术介绍
等离子体由非常高的温度，强电场或RF电磁场产生，并且涉及包括离子，电子，自由基等的电离气体状态。半导体装置的制造工艺使用等离子体用于刻蚀工序。刻蚀工序通过使包含在等离子体中的离子粒子与基板碰撞而进行。在处理室中进行蚀刻工序。将工艺气体提供在处理室中，并且通过向处理室内供给高频电源，使工艺气体被激发成等离子体状态。向所述基板处理装置供给电源，以产生等离子体。RF电源被用作所述电源。用于提高基板处理过程的效率的RF电源需要高偏置功率RF。然而，室内温度由于应用高偏置功率RF出现的高功率而升高。特别是，室内的内衬的温度不被控制，因此温度可能会升高到恒定的温度以上。此外，支撑构件下面用于支撑基板的部件由于升高的温度被损坏。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供一种改进基板处理工艺效率的支撑单元和包括其的基板处理装置。另外，本专利技术构思的实施方式提供一种能够避免内衬由在基板处理工艺过程中产生的热而损坏的支撑单元和包括其的基板处理装置。另外，本专利技术构思的实施方式提供一种能够避免支撑单元由在基板处理工艺过程中产生的热而损坏的支撑单元和包括其的基板处理装置。本专利技术构思的具体实施方式提供用于处理基板的装置。本专利技术的构思的实施方式一方面旨在提供一种基板处理装置，包括处理室，其内具有处理空间；支撑单元，置于处理室内并支撑基板；气体供给单元，将处理气体供给到处理室内；等离子体源，使用处理气体产生等离子体；以及内衬单元，与所述处理室的内侧壁或所述处理室内的所述支撑单元邻近或接触。所述支撑单元包括：上板，在其上放置基板，所述上板的上表面由非导电材料形成；电极板，放置在上板下方并由导电材料形成；和下板，放置在电极板下方并具有环状。在下板中提供冷却构件。所述冷却构件可以包括形成在下板中的下流道，冷却流体流过所述下流道。所述电极板可以在其中包括上流道，用于冷却上板的冷却流体流过所述上流道。所述的基板处理装置可以进一步包括：加热处理室的壁的加热器。所述上板可以在其中包括静电电极，所述静电电极使用静电力吸引基板。所述内衬单元可以包括：内侧内衬，形成为围绕所述上板，所述电极板和所述下板中的一个，一部分或全部；和外侧内衬，置于处理室内并形成为环状。本专利技术的构思的实施方式另一方面旨在提供一种用于支撑基板的支撑单元，所述支撑单元包括：上板，在其上放置基板，所述上板的上表面由非导电材料形成；电极板，放置在所述上板下方并由导电材料形成；和下板，放置在所述电极板下方并具有环状。在所述下板中提供冷却构件。所述冷却构件可以包括：形成在所述下板中的下流道，冷却流体流过所述下流道；以及在所述电极板中可以包括上流道，用于冷却所述上板的冷却流体流过所述上流道。在所述上板中形成有用于使用静电力吸引基板的静电电极。附图说明从下面参考以下附图的描述，上述和其它目的和特征将变得显而易见，其中除非另外指定，在各附图中同样的参考标号指代同样的部分，并且其中：图1是示出根据本专利技术构思的实施方式的基板处理装置的剖视图。图2是示出图1中的支撑单元的图；图3是示出图2中的下板的透视图；以及图4是示意性地示出当用图1中的基板处理装置进行处理时的热生成部和由冷却流道冷却的部分的图。具体实施方式将参考附图对实施方式进行详细描述。然而，本专利技术的构思，也可以实施为各种不同的形式，并且不应当被解释为仅限于所示实施方式。本专利技术的构思的实施方式被提供用于向本领域技术人员更全面地说明本专利技术的构思的范围。因此，在附图的部件的形状可以被夸大，以强调更清楚的描述。本专利技术的实施方式将对用于利用等离子体蚀刻基板的基板处理装置进行说明。然而，本专利技术的构思并不限于此，等离子体被供给在处理室内。本专利技术的构思可以应用于各种类型的装置以进行处理。图1示出根据本专利技术构思的实施方式的基板处理装置的剖视图。图2是示出图1中的支撑单元的图。图3是示出图2中的下板的透视图。参考图1至3，基板处理装置10可以使用等离子体处理基板W。所述基板处理装置10可以包括处理室100，支撑单元200，喷头单元300，气体供给单元400，等离子体源单元，内衬单元500，以及挡板单元600。所述处理室100可以具有处理空间，在其中进行基板处理工序。所述处理室100可以具有内部处理空间。所述处理室100可以以其可以被密封的方式被提供。所述处理室100可以由金属材料制成。在示例性实施方式中，所述处理室100可以由铝材料制成。所述处理室100可以是接地的。排放孔102可以穿过所述处理室100的底表面形成。排放孔102可以连接到排放管线151。工序过程中产生的反应副产物和残留在所述处理室的内部空间的气体可以经由排放管线151被排放到外面。所述处理室100的内部压力可以通过排气过程被降低到预定的压力。可以在处理室100的壁内提供加热器150。所述加热器150可以加热处理室100的壁。所述加热器150可以电连接到加热电源(未示出)。所述加热器150可以利用从加热电源(未示出)供给的电流产生热量。产自所述加热器150的热量可以被传递到内部空间。产自所述加热器150的热量可以使得处理空间具有预定的温度。所述加热器150可以具有线圈状的加热丝。可以在处理室100的壁内提供多个所述加热器150。支撑单元200可以置于处理室100中。所述支撑单元200可以支撑基板W。所述支撑单元200可以包括用于使用静电力吸引基板W的静电卡盘。另一方面，所述支撑单元200可以使用各种不同的方式例如机械夹紧等支撑基板W。下面，所述支撑单元200将被描述为静电卡盘。所述支撑单元200可以包括上板210，电极板220，加热器230，下板240，板250，下部板260，和聚焦环280。基板W可以被放置在所述上板210上。所述上板210可以形成为盘状。所述上板210可以由电介质形成。所述上板210的上表面可以具有比基板小的半径。因此，当基板W被放置在所述上板210上时，基板W的边缘区域可以被定位在所述上板210之外。当给上板210施加外功率时，可以在上板210和基板W之间表现出静电力。在上板210中可以提供静电电极211。静电卡盘221可以与吸引电源213电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，包括：处理室，其内具有处理空间；支撑单元，置于处理室内并支撑基板；气体供给单元，将处理气体供给到处理室内；等离子体源，使用处理气体产生等离子体；以及内衬单元，与所述处理室的内侧壁或所述处理室内的所述支撑单元邻近或接触，其中，所述支撑单元包括：上板，在其上放置基板，所述上板的上表面由非导电材料形成；电极板，放置在上板下方并由导电材料形成；和下板，放置在电极板下方并具有环状，并且其中在下板中提供冷却构件。

【技术特征摘要】
2014.11.28 KR 10-2014-01690681.一种基板处理装置，包括：
处理室，其内具有处理空间；
支撑单元，置于处理室内并支撑基板；
气体供给单元，将处理气体供给到处理室内；
等离子体源，使用处理气体产生等离子体；以及
内衬单元，与所述处理室的内侧壁或所述处理室内的所述支撑单元
邻近或接触，
其中，所述支撑单元包括：
上板，在其上放置基板，所述上板的上表面由非导电材料形成；
电极板，放置在上板下方并由导电材料形成；和
下板，放置在电极板下方并具有环状，并且
其中在下板中提供冷却构件。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述冷却构件包括形
成在下板中的下流道，冷却流体流过所述下流道。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述电极板在其中包
括上流道，用于冷却上板的冷却流体流过所述上流道。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，进一步包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：金泳俊，李元行，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR