半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备制造方法及图纸

封装尺寸为接近芯片尺寸，除所谓应力缓冲层之外，能有效地吸收热应力的半导体装置。半导体装置（１５０）具有：有电极（１５８）的半导体芯片、设置于半导体芯片的上边用作应力缓冲层的树脂层（１５２）、从电极（１５８）直到树脂层（１５２）的上边所形成的布线（１５４）以及在树脂层（１５２）的上方在布线（１５４）上形成的焊料球（１５７），还形成树脂层（１５２）使得在表面上具有凹部（１５２ａ），并且经过凹部（１５２ａ）形成布线（１５４）。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请是下述申请的分案申请，专利技术名称半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备，申请日1997年12月4日，申请号97192033.8
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备，特别是，涉及封装尺寸接近芯片尺寸的半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备。
技术介绍
追求半导体装置高密度封装时，裸片封装是理想的。可是，裸片难以保证产品质量和处理。所以，已开发出了接近芯片尺寸的封装CSP(chip scale package)。 在以各种方案开发的CSP型的半导体装置中，作为一种方案，有在半导体芯片的有源面一侧上设置已制成图形的挠性基板，并在该挠性基板上形成多个外部电极的方案。另外，大家还知道，在半导体芯片的有源面与挠性基板之间注入树脂，以期吸收热应力。 但是，在只用树脂不能充分吸收热应力的场合下，其它办法才必要。
技术实现思路
本专利技术就是解决上述这一课题的，其目的在于提供一种封装尺寸接近芯片尺寸，除所谓应力吸收层之外，能有效地吸收热应力的半导体装置及其制造方法、电路基板和电子设备。 本专利技术的半导体装置的制造方法，具有准备已形成电极的圆片的工序；避本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有：准备已形成电极的圆片的工序；避开上述电极的至少一部分，在上述圆片上设置第１应力缓冲层的工序；从上述电极直到上述第１应力缓冲层的上边，形成第１导通部的工序；在形成了上述 第１导通部的上述第１应力缓冲层的上边，形成第２应力缓冲层的工序；和在上述第２应力缓冲层之上，设置与上述第１导通部连接的第２导通部的工序；在上述第１应力缓冲层的上方，形成与上述第１导通部连接的外部电极的工序；以及将上述 圆片切断成各个小片的工序；把上述第１导通部和上述第２导通部之中的...

【技术特征摘要】
JP 1996-12-4 339045/96;JP 1996-12-26 356880/961.一种半导体装置的制造方法，其特征是，具有准备已形成电极的圆片的工序；避开上述电极的至少一部分，在上述圆片上设置第1应力缓冲层的工序；从上述电极直到上述第1应力缓冲层的上边，形成第1导通部的工序；在形成了上述第1导通部的上述第1应力缓冲层的上边，形成第2应力缓冲层的工序；和在上述第2应力缓冲层之上，设置与上述第1导通部连接的第2导通部的工序；在上述第1应力缓冲层的上方，形成与上述第1导通部连接的外部电极的工序；以及将上述圆片切断成各个小片的工序；把上述第1导通部和上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]