树脂封装型半导体封装及其制造方法以及制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术的特征在于，将粉末状和颗粒状的树脂合成物在具有加热装置的搅拌桶内，使搅拌棒由前端突出的用于搅拌的活塞旋转，进行搅拌并使其熔化，取出被搅拌熔化过的树脂，加压形成封装形状，制作成形树脂，再将成形后的树脂安装于下型腔内的压缩活塞，将模具合模后，对压缩活塞加压，将半导体封装密封成形。使用此制造方法，可提供一种在已实施金线的细线化、高密度化时亦不易产生线偏移的树脂密封型半导体封装制造方法及制造装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂密封型半导体封装及其制造方法以及制造装置
本专利技术涉及一种树脂密封型半导体封装及其制造方法以及制造装置。适用于例如以树脂合成物对晶体管、IC、LSI等半导体芯片或电子元件进行密封的树脂密封型半导体封装的制造方法。
技术介绍
先前，环氧树脂密封材料的传递模型法由于具有成本低、可靠性高以及生产率好等优点，如图15所示，广泛用于晶体管或IC、LSI等半导体芯片的密封、以及其他电子元件的密封。通常在该传递模型法中，是将环氧树脂密封材料预先制成块状，将块状材料72投入模具61内的加料腔62，在加热熔化的同时使用注入用活塞67进行加压，以此使材料72通过推压部、闸口部64、浇口部65各条流路后送入模具型腔63内，在使环氧树脂密封材料硬化成形的同时，将装有半导体芯片或者电子元件的引线框架63a密封，并使半导体封装成形。但是，此成形方法的前提是环氧树脂密封材料预先形成块状，因此需要其他工序使其成形。而块状材料根据成形产品的形状、大小各不相同，因此用于成形的压片机和模具亦需要很多。此外，还存在块状材料在运送过程中发生破损或附着于块状材料表面的细小粉末飞散到模具表面从而影响品质等问题。进而，在传递模型法方法中，推压部、闸口部、浇口部以及其他很多部分会作为不需要的硬化树脂而被废弃，因此作为密封树脂使用的部分在整体中的比率、即树脂效率则难以提高。此外，还需要根据产品大小，库存不同大小的块状材料，因此不仅是成本方面，从资源的有效利用等方面看，也存在着需要解决的问题，例如块状材料的库存管理烦杂等。对此，提出一种使封装压缩成形的方法，其将分割成上下型的树脂密封用模具保持于特定高温，将热硬化型树脂涂布于模具内部并使其熔化后，将装载有半导体芯片的引线框架或者TAB卷带固定于模具内部，向模具施加压力形成封装(例如参考专利文献1)。此外，还提出一种使封装压缩成形的方法，该方法中，通过接合线连接于外部导引构造体的半导体芯片至少在能动面一侧配置包括未硬化树脂的密封用树脂片，通过向半导体芯片方向对密封用树脂片加压形成封装(例如参考专利文献2)。-->还有一种使封装压缩成形的方法，此方法中，将装载有半导体芯片的引线框架或卷带框架插入模具内，将片状树脂直接提供给型腔内，使上下腔的两个底面成为成形活塞，加压后形成封装(例如参考专利文献3)。除此之外，还提出一种使封装压缩成形的方法，其将薄板状树脂芯片提供给其中一方可以开关驱动的上下模具，通过加压使设置于载体的半导体芯片形成封装(例如参考专利文献4)。采用专利文献1至4中提出的压缩成形方法，可以用作为能实现密封工序的自动化和在线(inline)化，且有利于封装的大型化、薄型化以及高集成化，可以满足封装的高可靠性要求的半导体密封制造方法。然而，在该种压缩成形方法中，涂布的树脂以及树脂片或树脂芯片等是在170℃左右的高温模具上预加热特定时间后才进行压缩成形，由于密封树脂的硬化过程会导致粘度上升，因此存在金线变形、以及传递模型法中用于制造块状材料、树脂片以及树脂芯片的装置及对这些产品的需要保管等问题。【专利文献1】日本专利特开平8-111465号公报(第2～9页)【专利文献2】日本专利特开平6-275767号公报(第2～9页)【专利文献3】日本专利特开平8-330342号公报(第2～6页)【专利文献4】日本专利特开平9-187831号公报(第2～10页)
技术实现思路
本专利技术是为了解决半导体大型化、薄型化和高集成化时，容易发生线偏移以及难以取得高可靠性的问题而被研制的，目的在于提供一种即使在线已细线化、高密度化时，亦不容易产生线偏移的树脂密封型半导体封装的制造方法以及制造装置。此外，本专利技术还提供一种不需要以往的树脂块，并且在线进行成形，可减少树脂废弃量、提高生产率并实现有效利用树脂的树脂密封型半导体封装的制造方法及制造装置。本专利技术是：[1]一种树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为包括：(1)将粉末状或颗粒状的树脂合成物供给计量桶进行计量的工序；(2)将上述树脂合成物从上述计量桶送入具有加热装置的搅拌桶的工序；(3)通过从用于搅拌的活塞的前端突出的搅拌棒的旋转，搅拌上述搅拌桶内的上述树脂合成物并使其熔化的工序；(4)取出被搅拌熔化过的上述树脂合成物，加压形成为封装形状的工序；(5)将装有半导体芯片或者电子元件的引线框架或卷带基板安装于具有加热装置的成形模具的上型腔的工序，(6)将成形后的上述树脂合成物安装于上述成形模具下型腔内用于压缩的活塞的工序；(7)-->将上述成形模具合模后，对上述压缩用活塞加压，使上述树脂合成物成形硬化，以此将上述半导体芯片或电子元件以及上述引线框架或卷带基板密封并一体成形的工序；(8)从模具中取出上述一体成形物即半导体封装的工序；[2]如第[1]项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为：在上述工序(3)中，搅拌上述树脂合成物并使其熔化时所使用的具有加热装置的搅拌桶的温度在80℃～120℃范围内；[3]如第[1]或[2]项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为：在上述工序(3)中，搅拌上述树脂合成物并使其熔化的时间在10秒～50秒范围内；[4]如第[1]至[3]项中任何一项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为：在上述工序(4)中，对上述树脂合成物加压使其成形的模具温度在50℃～100℃范围内，加压力(成形压力)在9.8KN～39.2KN范围内；[5]如第[1]至[4]项中任何一项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为：上述工序(4)中所形成的树脂合成物依据下型腔的底成形面的外形形状，形成略小的实质性相似的形状，缩小范围在0.1～0.5mm范围内；[6]如第[1]～[4]项中任何一项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为：上述工序(4)中所形成的树脂合成物一面的面积占上述下型腔的底成形面面积的90％或以上；[7]一种树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为：使用第[1]～[6]项中任何一项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法获得的树脂密封型半导体封装，在与形成于底面的压缩用活塞前端面外形形状相配合的凹凸线的框内进行切割；[8]一种树脂密封型半导体封装的制造装置，其特征为包括：(1)将粉末状或颗粒状的树脂合成物供给计量桶进行计量的计量装置；(2)将上述树脂合成物从上述计量桶送入具有加热装置的树脂供给装置；(3)通过从搅拌用活塞前端突出的搅拌棒的旋转，搅拌上述搅拌桶内的上述树脂合成物并使其熔化的搅拌熔化装置；(4)取出被搅拌熔化过的上述树脂合成物，通过加压形成封装形状的成形装置；(5)将装有半导体芯片或者电子元件的引线框架或卷带基板安装于具有加热装置的成形模具上型腔内的被密封体安装装置；(6)将成形后的上述树脂合成物安装于上述成形模具下型腔内压缩用活塞的密封树脂安装装置；(7)将上述成形模具合模后，对上述压缩用活塞加压，使上述树脂合成物成形硬化，以此将上述半导体芯片或电子元件以及上述引线框架或卷带基板密封并一体成形的密封装置；(8)从模-->具中取出上述一体成形物即半导体封装的取出装置；[9]一种树脂密封型半导体封装，其特征为：该树脂密封型半导体封装是使用上述制造方法或上述制造装置制造而成。依据本专利技术所述的制造方法及制造装置，即使在已本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征在于包括：（１）将粉末状或颗粒状的树脂合成物供给计量桶进行计量的工序；（２）将上述树脂合成物从上述计量桶移送入具有加热装置的搅拌桶的工序；（３）通过从用于搅拌的活塞的前端突出的搅拌棒的旋转，搅拌上述搅拌桶内的上述树脂合成物并使其熔化的工序；（４）取出被搅拌熔化过的上述树脂合成物，加压形成为封装形状的工序；（５）将装有半导体芯片或者电子元件的引线框架或卷带基板，安装于具有加热装置的成形模具的上型腔的工序；（６）将成形后的上述树脂合成物安装于上述成形模具下型腔内用于压缩的活塞的工序；（７）将上述成形模具合模后，对上述压缩用活塞加压，使上述树脂合成物成形硬化，以此将上述半导体芯片或电子元件以及上述引线框架或卷带基板密封并一体成形的工序；（８）从模具取出上述一体成形物即半导体封装的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-4-30 136535/20041、一种树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征在于包括：(1)将粉末状或颗粒状的树脂合成物供给计量桶进行计量的工序；(2)将上述树脂合成物从上述计量桶移送入具有加热装置的搅拌桶的工序；(3)通过从用于搅拌的活塞的前端突出的搅拌棒的旋转，搅拌上述搅拌桶内的上述树脂合成物并使其熔化的工序；(4)取出被搅拌熔化过的上述树脂合成物，加压形成为封装形状的工序；(5)将装有半导体芯片或者电子元件的引线框架或卷带基板，安装于具有加热装置的成形模具的上型腔的工序；(6)将成形后的上述树脂合成物安装于上述成形模具下型腔内用于压缩的活塞的工序；(7)将上述成形模具合模后，对上述压缩用活塞加压，使上述树脂合成物成形硬化，以此将上述半导体芯片或电子元件以及上述引线框架或卷带基板密封并一体成形的工序；(8)从模具取出上述一体成形物即半导体封装的工序。2、根据权利要求1所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征为：在上述工序(3)中，搅拌上述树脂合成物并使其熔化时所使用的具有加热装置的搅拌桶的温度在80℃～120℃范围内。3、根据权利要求1或2所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征在于：在上述工序(3)中，搅拌上述树脂合成物并使其熔化的时间在10秒～50秒范围内。4、根据权利要求1至3中任何一项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征在于：在上述工序(4)中，对上述树脂合成物加压使其成形的模具温度在50℃～100℃范围内，加压力在9.8KN～39.2KN范围内。5、根据权利要求1至4中任何一项所述的树脂密封型半导体封装的制造方法，其特征在于：上述工序(...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤英雄，生方玉也，广濑吉孝，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]