薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种以有成本效益的方式来制造ＴＦＴ阵列面板的方法。该方法包括：形成薄膜晶体管，各薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成电连接到漏电极的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。更具体地讲，本说明书涉及一种用于液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是现今平板显示器最广泛使用的类型之一。LCD包括设置在两个配有场发生电极的面板之间的液晶(LC)层。通过向场发生电极施加电压以在LC层中产生决定LC层中LC分子的取向的电场，从而调整入射光的偏振，LCD显示图像。一旦偏振被调整，光就被偏振膜拦截或透射过偏振膜，从而显示预期的图像。根据用什么作为光源，LCD分为透射式LCD、反射式LCD和透反射式LCD。透射式LCD通常采用背光作为光源。反射式LCD采用来自外界的外部光作为光源。透反射式LCD根据情况能够利用背光和外部光作为光源。为了制造透反射式LCD，需要七个光刻蚀工艺。这七个光刻蚀工艺包括栅极线的形成、半导体层的形成、数据线的形成、有机绝缘层的压花表面(embossed surface)和接触孔的形成、钝化层的接触孔的形成、透射电极的形成以及反射电极的形成。由于所需步骤的数目，与使用四个或五个光刻蚀工艺的透明LCD相比，其制造成本高且制造时间长。需要一种更有效的制造透反射式LCD的方法。
技术实现思路
本专利技术提供了一种需要的光刻蚀步骤比传统工艺少的TFT阵列面板的制造方法。一方面，本专利技术提供了一种有效制造TFT阵列面板的方法。该方法包括形成多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管的每个具有栅电极、源电极和漏电极；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成电连接到漏电极的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层。该方法也可包括在选择性刻蚀第一导电层后刻蚀光致抗蚀剂层，以移除第二部分并暴露第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层的第一部分作为刻蚀阻挡件来选择性刻蚀第二导电层的暴露部分。第一导电层可包含ITO。ITO可为非晶态。第二刻蚀剂可包含硫酸、盐酸和表面活化剂的组合或者草酸和表面活化剂的组合。第二导电层可包含Al或Al合金。第一刻蚀剂可包含磷酸、硝酸和乙酸。可在25℃～150℃的温度下执行第一导电层的形成。可在氢气(H2)或水蒸气(H2O)的气氛中执行第一导电层的形成。另一方面，制造根据本专利技术的TFT阵列面板的方法包括形成栅极线；在栅极线上形成半导体、数据线和漏电极；在数据线和漏电极上形成钝化层和有机绝缘层；在有机绝缘层上顺序沉积非晶态ITO层和第一导电层；在第一导电层上形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第一导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀非晶态ITO层；刻蚀光致抗蚀剂层，以去除第二部分并暴露第一导电层；通过使用光致抗蚀剂层的第一部分作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层的暴露部分。又一方面，本专利技术提供了一种TFT阵列面板，该TFT阵列面板包括基底；栅极线，形成在基底上；数据线，形成在栅极线上；绝缘层，形成在数据线上；透射电极，形成在绝缘层上；反射电极，形成在透射电极上，并具有与透射电极的至少一个边缘基本一致的边缘。反射电极可具有开口。另一方面，本专利技术提供了一种TFT阵列面板，该TFT阵列面板包括基底；栅极线，形成在基底上；数据线，形成在栅极线上；绝缘层，形成在数据线上；透射电极，形成在绝缘层上；反射电极，形成在透射电极上，并包括与透射电极的第一边缘的距离基本均匀的第一边缘。该透射电极可具有位于反射电极的边界外部的边缘。该均匀的距离可与反射电极的厚度基本相同，或者大于反射电极的厚度。反射电极可包括第二边缘，第二边缘与透射电极的第二边缘的距离基本均匀，并且反射电极的第一边缘和透射电极的第一边缘之间的距离可与反射电极的第二边缘和透射电极的第二边缘之间的距离基本相同。附图说明从结合附图的以下描述中可更详细地了解本专利技术的优选实施例，在附图中图1是根据本专利技术的实施例的TFT阵列面板的布局图；图2是沿着图1的线II-II′截取的剖视图；图3、图7和图9是顺序示出制造根据本专利技术实施例的TFT阵列面板的方法的中间步骤的布局图；图4、图8和图10是沿着线IV-IV′、VIII-VIII′和X-X′截取的分别在图3、图7和图9中示出的TFT阵列面板的剖视图；图5和图6是示出图4的步骤的随后步骤的TFT阵列面板的剖视图；图11和图12是示出图10的步骤的随后步骤的TFT阵列面板的剖视图；图13是根据本专利技术的另一实施例的TFT阵列面板的布局图；图14是沿着图13的线XIV-XIV′截取的剖视图；图15至图17是顺序示出在图8的步骤后制造根据本专利技术的另一实施例的TFT阵列面板的方法的中间步骤的剖视图。具体实施例方式在下文中现在将参照附图对本专利技术的优选实施例做更充分地描述，在附图中示出了本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式来实施，并不应当被理解为受限于这里提出的实施例。相反，提出这些实施例使得本公开彻底和完全，并将本专利技术的范围传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜和区域的厚度。相同的标号始终指相同的元件。将要理解的是，当元件比如层、膜、区域或基底被称作在另一元件“上”时，该元件可直接在另一元件上，或者也可存在中间元件。为了使本领域的普通技术人员制造和使用本专利技术，现在将参照附图来详细描述根据本专利技术实施例的TFT阵列面板及其制造方法。图1是根据本专利技术实施例的TFT阵列面板的布局图。图2是沿着图1的线II-II′截取的剖视图。参照图1和图2，将描述TFT阵列面板100。用于传输栅极信号的多条栅极线121以及存储电极线131形成在绝缘基底110上。各栅极线121包括多个向上突起的部分(参照图1)，从而形成多个栅电极124和扩展部分129，其中，扩展部分129具有大面积，用来与另一层或外部装置接触。存储电极线131主要形成在第一方向(相对于图1的水平方向)上，并具有多个形成存储电极133和阻光构件135的突出。将预定电压比如施加到公共电极面板(未示出)的公共电极(未示出)的公共电压提供给存储电极线131。阻光构件135阻挡来自背光(未示出)的光，背光位于TFT阵列面板100的下面。优选地，栅极线121和存储电极线131由Al基金属比如纯Al和Al合金、Ag基金属比如纯Ag和Ag合金、Cu基金属比如Cu和Cu合金、Mo基金属比如Mo和Mo合金、Cr、Ti以及Ta制成。栅极线121和存储电极线131可包括物理特性不同的两个膜，即下膜和上膜。为了减小栅极线121和存储电极线131中的信号延迟或压降，优选地，上膜由低电阻率金属包括含Al金属比如Al和Al合金制成。另一方面，优选地，下膜由具有优良的物理特性、化学特性、与其它材料比如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的电接触特性的金属比如Cr、Mo和Mo合金比如MoW来制成。下膜材料和上膜材料的示例的组合是Cr和Al-Nd合金。栅极线121和存储电极线131可具有多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造ＴＦＴ阵列面板的方法，包括：形成多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管的每个具有栅电极、源电极和漏电极；在所述薄膜晶体管上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第一导电层，所述第一导电层电连接所述漏电极；在所述第 一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中，所述第二部分比所述第一部分薄；通过使用所述光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀所述第二导电层；通过使用所述光致抗蚀剂层和所述第 二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀所述第一导电层。

【技术特征摘要】
KR 2005-1-20 10-2005-00053051.一种制造TFT阵列面板的方法，包括形成多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管的每个具有栅电极、源电极和漏电极；在所述薄膜晶体管上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第一导电层，所述第一导电层电连接所述漏电极；在所述第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中，所述第二部分比所述第一部分薄；通过使用所述光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀所述第二导电层；通过使用所述光致抗蚀剂层和所述第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀所述第一导电层。2.如权利要求1所述的方法，还包括在选择性刻蚀所述第一导电层后，将所述光致抗蚀剂层刻蚀，以去除所述第二部分并暴露所述第二导电层；通过使用所述光致抗蚀剂层的所述第一部分作为刻蚀阻挡件，用所述第一刻蚀剂来选择性刻蚀所述第二导电层的所述暴露的部分。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层包含ITO。4.如权利要求3所述的方法，其中，所述ITO为非晶态。5.如权利要求4所述的方法，其中，所述第二刻蚀剂包含硫酸。6.如权利要求4所述的方法，其中，所述第二刻蚀剂包含盐酸和表面活化剂。7.如权利要求4所述的方法，其中，所述第二刻蚀剂包含草酸和表面活化剂。8.如权利要求3所述的方法，其中，所述第二导电层包含Al或Al合金。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一刻蚀剂包含磷酸、硝酸和乙酸。10.如权利要求1所述的方法，其中，在25℃～150℃的温度下执行所述第一导电层的形成。11.如权利要求10所述的方法，其中，在氢气或水蒸气的气氛中执行所述第一导电层的形成。12.一种制造TFT阵列面板的方法，包括形成栅极线；在所述栅极线上形成半导体、数据线和漏电极；在所述数据线和所述漏电极上形成钝化层和有机绝缘层；在所述有机绝缘层上顺序地沉积非晶态的ITO层和第一导电层；在所述第一导电层上形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，所述第二部分比所述第一部分薄；通过使用所述光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀所述第一导电层；通过使用所述光致抗蚀剂层和所述第一导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀所述非晶态ITO层；刻蚀所述光致抗蚀剂层，以去除所述第二部分并暴露所述第一导电层；通过使用所述光致抗蚀剂层的所述第一部分作为刻蚀阻挡件，用所述第一刻蚀剂来选择性刻蚀所述第一导电层的所述暴露部分。13.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵能镐，金成昱，朴龙吉，郑培铉，蔡东烨，崔渊琇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]