薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，该方法包括在基板上形成具有栅电极、源电极、和漏电极的薄膜晶体管；在源电极和漏电极上形成钝化层；在钝化层上形成光刻胶膜；使用光刻胶膜作为掩模选择性地蚀刻钝化层；形成导电膜；以及使用ＣＭＰ（化学机械抛光）工艺去除光刻胶膜和设置在光刻胶膜上的导电膜，以形成连接到漏电极的像素电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的有源型显示装置包括多个以矩阵形式排列的像素、场致电极(fieldgenerating electrode)、和开关元件。开关元件包括具有三个端子(即，栅极、源极、和漏极)的薄膜晶体管(TFT)。每个像素的TFT响应于栅极信号，选择性地将数据信号传输到场致电极。显示装置还包括多条用于将信号传输到开关元件的信号线，其包括传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线。LCD和OLED包括设置有TFT、场致电极、和信号线的面板。这种类型的面板也称为TFT阵列面板。TFT阵列面板具有分层结构，其包括若干个导电层和绝缘层。栅极线、数据线、和场致电极由不同的导电层形成并且通过绝缘层隔开。通过若干光刻步骤和蚀刻步骤制造具有分层结构的TFT阵列面板。由于光刻需要时间并且产生成本，所以期望减少光刻步骤的数量。
技术实现思路
提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括在基板上形成具有栅电极、源电极、以及漏电极的薄膜晶体管；在源电极和漏电极上形成钝化层；在钝化层上形成光刻胶膜；使用光刻胶膜作为掩模选择性地蚀刻钝化层；形成导电膜；以及使用CMP(化学机械抛光)工艺去除光刻胶膜以及设置于光刻胶膜上的导电膜，以形成连接到漏电极的像素电极。提供了另一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，该方法包括在基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成数据线和漏电极；在数据线和漏电极上形成钝化层；在钝化层上形成第一光刻胶膜；使用光刻胶作为掩模，蚀刻光刻胶膜；形成导电膜；以及使用CMP(化学机械抛光)去除第一光刻胶膜以及设置于第一光刻胶膜上的导电膜，以形成连接到漏电极的像素电极。可通过使用包括遮光区、半透明区、以及透光区的光掩模形成第一光刻胶膜。半透明区可形成在由栅极线和数据线包围的区域上，并且包括漏电极的一部分。钝化层的蚀刻可包括形成用于露出数据线的端部的第一接触孔，并且还可包括通过蚀刻具有栅极绝缘层的钝化层，形成用于露出栅极线的端部的第二蚀刻孔。像素电极的形成可包括形成第一和第二接触辅助件，其分别通过第一和第二接触孔连接到数据线的端部和栅极线的端部。半导体层的形成和数据线和漏电极的形成可包括顺序地沉积栅极绝缘层、本征a-Si层、非本征a-Si层、以及导电层；在导电层上形成第二光刻胶，以使第二光刻胶根据导电层上的位置而具有不同的厚度；以及使用第二光刻胶膜作为掩模，选择性地蚀刻导电层、非本征a-Si层、和a-Si层，以形成数据线、漏电极、和欧姆接触层。可通过使用包括遮光区、半透明区、以及透光区的光掩模，形成第二光刻胶膜。第一光刻胶可具有1微米到4微米的厚度。在另一方面，本专利技术是一种薄膜晶体管阵列面板，其包括薄膜晶体管、钝化层、光刻胶膜、以及像素电极。薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极、源电极、以及漏电极。钝化层形成在源电极和漏电极的第一部分上，光刻胶膜形成在钝化层上，并且像素电极形成在漏电极的第二部分上。像素电极可形成在钝化层和光刻胶膜的侧壁上。光刻胶的表面高度与像素的部分的高度相同。薄膜晶体管阵列面板还可包括形成在基板上并包括栅电极的栅极线；形成在栅极线上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的半导体层；以及形成在半导体层上的数据线，其包括源电极，并且与漏电极分离。漏电极的第二部分可与由栅极线和数据线包围的区域重叠。光刻胶膜可包括露出数据线的一部分以及钝化层的第一接触孔以及露出栅极线的一部分以及钝化层和栅极绝缘层的第二接触孔。薄膜晶体管阵列面板还可包括第一和第二接触辅助件，其分别通过第一和第二接触孔连接到栅极线和数据线。光刻胶膜的表面高度与第一和第二接触辅助件的表面高度相同。附图说明通过参照附图详细地描述其实施例，本专利技术将会变得更加显而易见，其中图1是根据本专利技术实施例的TFT阵列下部面板的布局图；图2A是沿着IIa-IIa线截取的图1所示的TFT阵列面板的截面图；图2B是沿着IIb-IIb线截取的图1所示的TFT阵列面板的截面图；图3、6、和11是根据本专利技术实施例的在其制造方法的中间步骤中，图1到图2B所示的TFT阵列面板的布局图；图4A是沿着IVa-IVa线截取的图3中所示的TFT阵列面板的截面图；图4B是沿着IVb-IVb线截取的图3中所示的TFT阵列面板的截面图； 图5A是对图4A所示的状态进行额外步骤之后的沿着IVa-IVa线截取的图3中所示的TFT阵列面板的截面图；图5B是对图4B所示的状态进行额外步骤之后的沿着IVb-IVb线截取的图3中所示的TFT阵列面板的截面图；图7A是沿着VIIa-VIIa线截取的图6中所示的TFT阵列面板的截面图；图7B是沿着VIIb-VIIb线截取的图6中所示的TFT阵列面板的截面图；图8A是对图7A中所示的状态进行额外步骤之后的沿着VIIa-VIIa线截取的图6中所示的TFT阵列面板的截面图；图8B是对图7B中所示的状态进行额外步骤之后的沿着VIIb-VIIb线截取的图6中所示的TFT阵列面板的截面图；图9A是图8A所示的步骤之后的TFT阵列面板的截面图；图9B是图8B所示的步骤之后的TFT阵列面板的截面图；图12A是沿着XIIa-XIIa线截取的图11中所示的TFT阵列面板的截面图；图12B是沿着XIIb-XIIb线截取的图11中所示的TFT阵列面板的截面图；图13A是图12A所示的步骤之后的TFT阵列面板的截面图；以及图13B是图12B所示的步骤之后的TFT阵列面板的截面图。具体实施例方式下面，将参照附图更加完全地说明本专利技术，其中，示出了本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术包括在不同形式中并且不应该将本专利技术限制在所述实施例内。在整个说明书附图中，相同的标号表示相同的元件。在附图中，为了清楚起见，扩大了各层的厚度及区域。相同的标号始终表示相同的元件。应当理解，当提到诸如层、薄膜、区域、基板或面板的元件“位于”另一个元件上，是指其直接位于另一个元件上。以下，将参照附图描述根据本专利技术实施例的TFT及其制造方法。将参照图1、2A和2B详细地描述根据本专利技术实施例的TFT阵列面板。图1是根据本专利技术实施例的TFT阵列下部面板的布局图，图2A是沿着IIa-IIa线截取的图1所示的TFT阵列面板的截面图，并且图2B是沿着IIb-IIb线截取的图1所示的TFT阵列面板的截面图。通过使用诸如透明玻璃或塑料的材料，在绝缘基板110上形成多条栅极线121。栅极线121传输栅极信号并且基本上沿第一方向延伸。每条栅极线121均包括多个如图1所示向上突出的栅电极124，并该栅电极具有用于与另一层或外部驱动电路接触的大区域。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可安装到柔性印刷电路(FPC)膜(未示出)上，其可附着到基板110，直接安装到基板110上，或集成到基板110上。可延伸栅极线121以连接到可集成到基板110上的驱动电路。栅极线121优选地由诸如Al和Al合金的含Al金属，诸如Ag和Ag合金的含Ag金属、诸如Cu和Cu合金的含Cu金属、诸如Mo和Mo合金的含Mo金属、Cr、Ta、或Ti制成。然而，其也可具有包括两个具有不同物理特性的导电膜(未示出)的多层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述方法包括：在基板上形成具有栅电极、源电极、以及漏电极的薄膜晶体管；在所述源电极和所述漏电极上形成钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶膜；使用所述光刻胶膜作为掩模选择性地蚀刻所 述钝化层；形成导电膜；以及使用化学机械抛光工艺去除所述光刻胶膜以及设置于所述光刻胶膜上的所述导电膜以形成连接到所述漏电极的像素电极。

【技术特征摘要】
KR 2005-1-14 10-2005-00036801.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述方法包括在基板上形成具有栅电极、源电极、以及漏电极的薄膜晶体管；在所述源电极和所述漏电极上形成钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶膜；使用所述光刻胶膜作为掩模选择性地蚀刻所述钝化层；形成导电膜；以及使用化学机械抛光工艺去除所述光刻胶膜以及设置于所述光刻胶膜上的所述导电膜以形成连接到所述漏电极的像素电极。2.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述方法包括在基板上形成包括栅电极的栅极线；在所述栅极线上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成数据线和漏电极；在所述数据线和所述漏电极上形成钝化层；在所述钝化层上形成第一光刻胶膜；使用所述光刻胶作为掩模蚀刻所述钝化层；形成导电膜；以及使用化学机械抛光工艺去除所述第一光刻胶膜以及设置于所述第一光刻胶膜上的所述导电膜以形成连接到所述漏电极的像素电极。3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过使用包括遮光区、半透明区、以及透光区的光掩模形成所述第一光刻胶膜。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在由所述栅极线和所述数据线包围的区域上形成所述半透明区，包括所述漏电极的一部分。5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述钝化层的蚀刻包括形成第一接触孔，用于露出所述数据线的端部。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述钝化层的蚀刻还包括通过蚀刻具有所述栅极绝缘层的所述钝化层形成第二蚀刻孔，用于露出所述栅极线的端部。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述像素电极的形成包括形成第一和第二接触辅助件，它们分别通过所述第一和第二接触孔连接到所述数据线的端部和所述栅极线的端部。8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体层的形成和所述数据线和所述漏电极的形成包括顺序地沉积所述栅极绝缘层、本征a-Si层、非本征a-Si层...

【专利技术属性】
技术研发人员：白范基，金爀珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]