【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体刻蚀领域，具体涉及。
技术介绍
在进行硅片刻蚀工艺时，需要将硅片固定在静电卡盘上，保持在工艺过程中硅片的稳定性；同时只有在把硅片固定在静电卡盘上，才能实现对硅片的温度控制，使硅片得到均匀的加热或冷却。对硅片的固定是通过在静电卡盘上加正电压实现的；对硅片的温度控制是通过静电卡盘上的温控器和气体的流动实现的，这样可以保证硅片受热均匀，同时硅片到达目标温度的速度也最快。在进行工艺时，硅片的温度需要保持在60℃～70℃，但在工艺进行当中，等离子体轰击硅片，导致硅片的温度会升高，最高会升到80℃，这样会导致硅片刻蚀效果脱离期望值。目前对硅片温度的控制是静态的，就是在工艺过程中，温控器的温度并没有根据硅片温度的变化而变化。硅片的温度在工艺过程中不可测，但反应腔室的温度可测。本方法提供了一个解决方法，能实时调整温控器温度，从而控制硅片的温度，使硅片温度能够控制在60℃～70℃。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的目的是提供。(二)技术方案为达到上述目的，本专利技术的方法涉及到如下的工艺设备，包括一个反应腔室、一个用于测量反应腔室温度的温度计、一...
【技术保护点】
一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，所述半导体刻蚀工艺涉及到如下工艺设备，包括一个反应腔室、一个用于测量反应腔室温度的温度计、一个置于反应腔室内部的静电卡盘、一个用于控制进入腔室气体温度的温控器和若干用于测量晶片温度的温度试纸，其特征在于所述方法包括如下步骤：晶片刻蚀系统正常启动后，在反应腔室中，晶片被固定在静电卡盘上，将气体通入反应腔室，所述气体通入反应腔室前，其温度被温控器加热到预定值，温度计实时测量反应腔室的温度，当温度计显示反应腔室温度高于正常值时 ，调整温控器的温度值至温度对应关系表中记录的相应温度值；其中所述温度对应关系表中的数据是指通...
【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，所述半导体刻蚀工艺涉及到如下工艺设备，包括一个反应腔室、一个用于测量反应腔室温度的温度计、一个置于反应腔室内部的静电卡盘、一个用于控制进入腔室气体温度的温控器和若干用于测量晶片温度的温度试纸，其特征在于所述方法包括如下步骤晶片刻蚀系统正常启动后，在反应腔室中，晶片被固定在静电卡盘上，将气体通入反应腔室，所述气体通入反应腔室前，其温度被温控器加热到预定值，温度计实时测量反应腔室的温度，当温度计显示反应腔室温度高于正常值时，调整温控器的温度值至温...
【专利技术属性】
技术研发人员：张京华，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。