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本发明涉及半导体刻蚀领域，本发明是一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，本发明的方法在试验的基础上，获得腔室温度和温控器之间的一个对应关系，也就是记录下，当腔室温度升高时，相应的需要将温控器的温度调节为多少，可以将硅片的温度保持在...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。