纳米贴纸的制造方法技术

本发明专利技术是一种纳米贴纸的制造方法，主要包含有下列步骤：ａ）在真空环境下，备置一基板以及一转印戳，该转印戳具有一转印面，于该转印面表面设有纳米凸纹，该纳米凸纹是由多数凸部及多数凹部组成，该基板具有一蚀刻层；ｂ）进行一沾取程序，使该纳米凸纹的凸部或凹部其中之一沾取一光阻材料；ｃ）进行一转印程序，使该转印戳的该纳米凸纹与该蚀刻层接触，以将该纳米凸纹上的光阻材料转印于该蚀刻层表面；ｄ）进行一蚀刻程序，对该蚀刻层进行蚀刻，使该蚀刻层上未覆盖光阻材料的部位被蚀刻预定深度；通过由前述步骤，可使纳米贴纸的生产能应用于产业上的量产及低成本的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是与纳米科技有关，特别是指可符合产业量产及低成本需求的一种。
技术介绍
在制造纳米贴纸的技术中，目前是以版印技术(LithographyTechniques)可符合量产且低价的需求，其中，低于50纳米线宽分辨率的技术，可符合未来的半导体集成电路、电子商业化、光电产业以及磁性纳米装置等的制造需求。目前所知的技术中，有一种是扫瞄电子束的版印技术(K.C.Beard，T.Qi.M.R.Dawson，B.Wang.C.Li，Nature 368，604(1994).)，具有10纳米的分辨率；然而，由于此种技术是以点接点(point by point)的方式串行排列，因此其生产速度极低，无法符合量产的需求。另外有一种技术，是为X射线的版印技术(M.Godinot and M.Mahboubi，C.R.Acad.Sci.Ser.II Mec.Phys.Chim.Chim.Sci.Terre Univers.319，357(1994)；M.Godinot，in Anthropoid Origins，J.G.Fleagle and R.F.Kay，Eds.(Plenum，New York，1994)，pp.235-295.)，具有20纳米的分辨率，是为接触转印的模式，其可具有高生产率；然而，其光罩技术以及曝光技术均非常复杂且昂贵，此亦无法符合业界需求。又，有一种靠近式扫瞄探针的版印技术(E.L.Simons and D.T.Rasmussen，Proc.Nati.Acad.Sci.U.S.A.91，9946(1994)；Evol.Anthropol.3，128(1994))，具有10纳米的分辨率，是属于较早期的技术；此技术亦不能符合产业上的量产及低成本需求。有鉴于上述缺点，本案的专利技术人乃经过不断的试作与实验后，终于发展出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种，其可符合产业上的量产及低成本需求。依据本专利技术所提供的一种，主要包含有下列步骤a)在真空环境下，备置一基板以及一转印戳，该转印戳具有一转印面，于该转印面表面设有纳米凸纹，该纳米凸纹是由多数凸部及多数凹部组成，该基板具有一蚀刻层；b)进行一沾取程序，使该纳米凸纹的凸部或凹部其中之一沾取一光阻材料；c)进行一转印程序，使该转印戳的该纳米凸纹与该蚀刻层接触，以将该纳米凸纹上的光阻材料转印于该蚀刻层表面；d)进行一蚀刻程序，对该蚀刻层进行蚀刻，使该蚀刻层上未覆盖光阻材料的部位被蚀刻预定深度。通过由前述步骤，可使纳米贴纸的生产能应用于产业上的量产及低成本的需求。附图说明为了详细说明本专利技术的特点所在，兹举以下的二较佳实施例并配合图式说明如后，其中图1是本专利技术第一较佳实施例的第一动作示意图；图2是本专利技术第一较佳实施例的第二动作示意图；图3是本专利技术第一较佳实施例的状态示意图，显示以凸部来沾取光阻材料的状态；图4是本专利技术第一较佳实施例的状态示意图，显示以凹部来沾取光阻材料；图5是本专利技术第一较佳实施例的第三动作示意图；图6是本专利技术第一较佳实施例的状态示意图，显示转印后的基板状态；图7是本专利技术第一较佳实施例的第四动作示意图；图8是本专利技术第一较佳实施例的第五动作示意图；图9是本专利技术第二较佳实施例的第一动作示意图；图10是本专利技术第二较佳实施例的第二动作示意图；图11是本专利技术第二较佳实施例的第三动作示意图；图12是本专利技术第二较佳实施例的第四动作示意图。具体实施例方式如图1至图7所示，本专利技术第一较佳实施例所提供的一种，主要包含有下列步骤a)在真空环境下，备置一基板11以及一转印戳21，该转印戳21是呈板状，底部具有一转印面22，于该转印面22表面设有纳米凸纹24，该纳米凸纹24是由多数凸部241及多数凹部243组成，该基板11具有一蚀刻层12，该蚀刻层12是为聚合物材质(polymer)，其状态是如图1所示；b)进行一沾取程序，如图2所示，使该纳米凸纹24的凸部241或凹部243其中的一沾取光阻材料26，其中，以凸部241沾取光阻材料26后的状态是如图3所示，而以凹部243沾取光阻材料26后的状态是如图4所示； c)进行一转印程序，使该转印戳21转印于该基板11，如图5所示，此时，该纳米凸纹24即与该蚀刻层12接触，通过将该纳米凸纹24上的光阻材料26转印于该蚀刻层12表面，其中，无论是以凸部241或凹部243来沾取光阻材料26，均可将光阻材料26转印于该蚀刻层12表面，以凸部241转印后的该基板11状态是如图6所示，以凹部243转印者则因概同于图6的状态，容不赘述；d)进行一蚀刻程序，如图7所示，对该蚀刻层12进行蚀刻，使该蚀刻层12上未覆盖光阻材料26的部位被蚀刻预定深度，进而在覆盖有光阻材料26的部位形成出预定高度的多数纳米纤毛28，至此，即可直接以该基板11做为纳米贴纸，或将该蚀刻层12取下而附着于其它材料做为纳米贴纸的其它应用。通过由上述的方法，可形成出纳米贴纸。而本第一实施例中尚可再增加一步骤e)进行一洗净程序，以洗剂(图中未示)将该基板11上的光阻材料26移除，移除后的状态是如图8所示。由于前述步骤a)至步骤d)所形成的纳米纤毛28顶端尚留存光阻材料26，而光阻材料26是否移除，均不会影响纳米贴纸本身的吸附性，但洗净程序可使得纳米贴纸的成品更为单纯，且可消除未洗净状态下的其它可能变量。请再参阅图9至图12，本专利技术第二较佳实施例所提供的一种，主要包含有下列步骤a)在真空环境下，备置一基板31以及一转印戳41，该转印戳41是呈滚筒状，周面形成一转印面42，于该转印面42表面设有纳米凸纹44，该纳米凸纹44是由多数凸部441及多数凹部443组成，该基板31具有一蚀刻层32，其状态是如图9所示；b)进行一沾取程序，如图10所示，使该纳米凸纹44的凸部441或凹部443其中之一沾取光阻材料46；c)进行一转印程序，使该转印戳41滚抵于该基板31，如图11所示，此时，该纳米凸纹44即与该蚀刻层32接触，通过将该纳米凸纹44上的光阻材料46转印于该蚀刻层32表面，本实施例中是以凸部441沾取光阻材料46为例，而为免赘述，于此不再对凹部443沾取的过程说明；d)进行一蚀刻程序，如图12所示，对该蚀刻层32进行蚀刻，使该蚀刻层32上未覆盖光阻材料46的部位被蚀刻预定深度，进而在覆盖有光阻材料46的部位形成出预定高度的多数纳米纤毛48，至此，即可直接以该基板31做为纳米贴纸，或将该蚀刻层32取下而附着于其它材料做为纳米贴纸的应用。本第二实施例与前揭第一实施例的差异主要在于该转印戳的形状，以及转印戳与该基板的接触方式(第一实施例为转印，第二实施例为滚抵)，至于其它步骤则概同于前揭第一实施例，容不赘述。而本第二实施例的方式，可适合连续生产作业。由上可知，本专利技术所提供的，可以在真空的环境下，以简单的转印或滚印技术配合蚀刻技术，来快速且大量的形成出纳米级的蚀刻层，可做为纳米贴纸之用，不仅可符合产业上的量产需求，更兼具了低成本的优势，较习用者更有产业上的优势。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米贴纸的制造方法，其特征在于，包含有下列步骤：ａ）在真空环境下，备置一基板以及一转印戳，该转印戳具有一转印面，于该转印面表面设有纳米凸纹，该纳米凸纹是由多数凸部及多数凹部组成，该基板具有一蚀刻层；ｂ）进行一沾取程序，使该纳米凸纹的凸部或凹部其中之一沾取光阻材料；ｃ）进行一转印程序，使该转印戳的该纳米凸纹与该蚀刻层接触，通过以将该纳米凸纹上的光阻材料转印于该蚀刻层表面；ｄ）进行一蚀刻程序，对该蚀刻层进行蚀刻，使该蚀刻层上未覆盖光阻材料的部位被蚀刻预定深度。

【技术特征摘要】
1.一种纳米贴纸的制造方法，其特征在于，包含有下列步骤a)在真空环境下，备置一基板以及一转印戳，该转印戳具有一转印面，于该转印面表面设有纳米凸纹，该纳米凸纹是由多数凸部及多数凹部组成，该基板具有一蚀刻层；b)进行一沾取程序，使该纳米凸纹的凸部或凹部其中之一沾取光阻材料；c)进行一转印程序，使该转印戳的该纳米凸纹与该蚀刻层接触，通过以将该纳米凸纹上的光阻材料转印于该蚀刻层表面；d)进行一蚀刻程序，对该蚀刻层进行蚀刻，使该蚀刻层上未覆盖光阻材料的部位被蚀刻预定深度。2.依据权利要求1所述的纳米贴纸的制造方法，其特征在于更包含有步骤e)进行一洗净程序，以洗剂将该基板上的光阻材料移除。3.依据权利要求1所述的纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵治宇，谢文俊，
申请(专利权)人：李炳寰，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]