应用于浅沟槽隔离工艺中改善器件隔离效果的方法技术

本发明专利技术公开了一种应用于浅沟槽隔离工艺中改善器件隔离效果的方法，它可以进一步改善器件隔离效果。该方法是在浅沟槽隔离刻蚀之前，依次增加了以下步骤：氧注入；退火，使氧与硅反应并保证在之后ＳＴＩ刻蚀完成后的ＳＴＩ底部位置生产氧化硅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种改善器件隔离效果的方法，尤其是。
技术介绍
在现代半导体器件制造工艺中，浅沟槽隔离(Shallow TrenchIsolation，简称STI)工艺起着十分巨大的作用，STI工艺是通过在硅基板上挖出一个上宽下窄的梯形沟槽，然后在其中填入氧化硅，从而起到隔离效果。对于0.18um以下工艺，STI工艺可以在节省设计空间的同时起到良好的隔离效果。但是随着现代半导体制造工艺的不断发展，STI工艺也暴露出很多不足，尤其在其隔离效果上来说，往往还不能够完全满足设计和制造者的要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，它可以进一步改善器件隔离效果。为了解决以上技术问题，本专利技术提出了一种，它在浅沟槽隔离刻蚀之前，依次增加了以下步骤氧注入；退火，使氧与硅反应并保证在之后STI刻蚀完成后的STI底部位置生产氧化硅。本专利技术通过在STI刻蚀之前，依次增加了以下步骤氧注入；退火，使氧与硅反应并保证在之后STI刻蚀完成后的STI底部位置生产氧化硅，以此改善STI的隔离效果。通过这次氧化注入，可以在STI底部增加出一层氧化隔离层，进一步增加隔离效果。这样一来，在相同STI宽度的情况下增强隔离效果，也可以在保证相同隔离效果的情况下尽可能减小STI宽度，节约面积。附图说明下面结合附图和具体实施方式，对本专利技术做进一步阐述。图1是本专利技术工艺流程示意图；图2是本专利技术氧注入工艺示意图；图3是本专利技术退火工艺形成氧化硅工艺示意图；图4是本专利技术STI刻蚀工艺示意图；图5是本专利技术最终器件构造示意图。具体实施例方式下面结合图1-5对本专利技术进行说明。首先进行在形成STI的位置做氧注入(见图2)，然后进行退火，使氧与硅反应并保证在之后STI刻蚀完成后的STI底部位置生产氧化硅(见图3)，随后进行STI刻蚀(见图4)，然后经过垫层氧化层(Linear Oxide)生长，最后形成本专利技术最终器件，其构造如图5所示。对于具体不同的工艺制程，需要注意的是刻蚀前氧注入的位置应该达到STI底部附近，使得之后由退火形成的氧化硅占据STI刻蚀后底部区域，以保证达到专利所希望的效果，根据不同工艺要求，结合STI深度的变化，氧注入的深度应相应加以调节。如需要更好的隔离效果，可以酌情增加氧注入的次数，即以不同能量多次进行氧注入，以保证之后形成的氧化硅足以占据STI底部区域，以达到更好的隔离效果。通过这次氧化注入，可以在STI底部增加出一层氧化隔离层，进一步增加隔离效果。这样一来，在相同STI宽度的情况下增强隔离效果，也可以在保证相同隔离效果的情况下尽可能减小STI宽度，节约面积。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于浅沟槽隔离工艺中改善器件隔离效果的方法，所述的浅沟槽隔离工艺流程至少依次包括以下步骤，浅沟槽隔离刻蚀，垫层氧化层生长，其特征在于，在浅沟槽隔离刻蚀之前，增加了以下步骤：氧注入；退火，使氧与硅反应并在浅沟槽隔离底部生产氧化硅。

【技术特征摘要】
1.一种应用于浅沟槽隔离工艺中改善器件隔离效果的方法，所述的浅沟槽隔离工艺流程至少依次包括以下步骤，浅沟槽隔离刻蚀，垫层氧化层生长，其特征在于，在浅沟槽隔离刻蚀之前，增加了以下步骤氧注入；退火，使氧与硅反应并在浅沟槽隔离底部生产氧化硅。2.如权利要求1所述的在浅沟槽隔离工艺流程中改善器件隔离效果...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]