应变绝缘体上半导体材料及制造方法技术

一种制造应变绝缘体上半导体（ｓＳＯＩ）材料的方法，包括：　　　　在渐变半导体缓冲层的表面上形成超出其临界厚度的、亚稳的、张应变半导体材料，所述渐变半导体缓冲层具有比所述张应变半导体材料大的平面内晶格常数；　　　　将氧离子至少注入所述张应变半导体材料中，以形成其中包含氧离子富集区的结构；以及　　　　将所述结构退火，以将所述氧离子富集区转变成隐埋氧化物区。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造应变绝缘体上半导体（ｓＳＯＩ）材料的方法，包括：在渐变半导体缓冲层的表面上形成超出其临界厚度的、亚稳的、张应变半导体材料，所述渐变半导体缓冲层具有比所述张应变半导体材料大的平面内晶格常数；将氧离子至少注入所述张应变半导体材料中，以形成其中包含氧离子富集区的结构；以及将所述结构退火，以将所述氧离子富集区转变成隐埋氧化物区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：德温德拉·K·萨达纳，乔尔·P·德索扎，斯蒂芬·W·贝戴尔，亚历山大·雷茨尼采克，基思·爱德华·弗格尔，格哈瓦姆·G·莎赫迪，托马斯·N·亚当，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US