【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
高压器件需要位于漏极中的低密度漂移区(low-density drift region)以使该高压器件具有抗高压的击穿特性。该漂移区占据高压器件中最大的区域。当高压器件需要更好的击穿特性时,需要具有沿水平方向的更大的漂移区。 而且,为了实现高压击穿特性,对于高压器件来说有必要增加沟道区的长度以避免源极和漏极之间的穿通(punch through)。该沟槽区占据高压器件中第二大的区域。 接下来,将参考附图详细描述根据相关技术的高压器件。 图1是根据相关技术的高压器件的截面图。 参考图1,在p型半导体衬底10的预定区域上形成低密度漂移区11。在p型半导体衬底10的上表面上形成栅极氧化层12,且在半导体衬底10的对应于漂移区11的部分上形成用于场极板的场氧化层13。 栅极14形成在栅极氧化层12和场氧化层13上。在该半导体衬底10中靠近栅极14的两侧形成源极15和漏极16,即,具有高密度的n型掺杂区。这时,源极15与漂移区11间隔开,并且漏极16在漂移区11中形成。 在半导体衬底10中、源极15和漂移区11之间栅极14的下方形成沟道区17,且电子18从源极区向漏极区流动。 在如上所述的传统的高压器件中,由于漂移区11的水平结构而必须增大漂移区11的水平长度以增强其击穿特性。这可能会限制半导体器件的高集成度和小型化。
技术实现思路
因此,本专利技术旨在解决现有技术中出现的上述问题,本专利技术的目的是提供一种。该可以在保持击穿强度的同时减小器件的面积。 为了实现本专利技术的上述目的,本专利技术提供了一种半导体器件,其 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,其包括:一对漂移区,其形成在半导体衬底中;沟槽区,其形成在该对漂移区之间;氧化层间隔件,其形成在该沟槽区的两个侧壁上;绝缘层,其形成在该沟槽区的下方;栅极,其形成在该沟槽区中;以及 源极和漏极,其分别形成在该对漂移区中。
【技术特征摘要】
KR 2005-12-29 10-2005-0134468书来限定。应当理解的是,本领域的技术人员在不脱离本发明的范围和构思的情况下可以对所述实施例进行变化和修改。权利要求1.一种半导体器件,其包括一对漂移区,其形成在半导体衬底中;沟槽区,其形成在该对漂移区之间;氧化层间隔件,其形成在该沟槽区的两个侧壁上;绝缘层,其形成在该沟槽区的下方;栅极,其形成在该沟槽区中;以及源极和漏极,其分别形成在该对漂移区中。2.如权利要求1所述的半导体器件,其中该沟槽区的深度等于或小于所述漂移区的深度。3.如权利要求1所述的半导体器件,其中该栅极包括在该栅极的两个侧壁上形成的氮化层间隔件。4.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述漂移区竖直形成且设置为沿水平方向彼此间隔。5.如权利要求1所述的半导体器件,其中靠近该沟槽区形成氧化层,且该栅极的一部分形成在该氧化层的上表面上。6.一种半导体器件的制造方法,该制造方法包括以下步骤在半导体衬底中形成一对漂移区;在该半导体衬底上形成氧化层以使该氧化层与该对漂移区部分重叠;在该对漂移区之间形成沟槽区;...
【专利技术属性】
技术研发人员:高光永,
申请(专利权)人:东部电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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