相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法技术

一种ＰＣＭ单元结构，其包括第一电极、相变元件和第二电极，其中该相变元件被插入第一电极与第二电极之间，并且只有第一电极和第二电极之一的周界边沿与相变元件接触，从而减少相变元件与电极之一的接触面积，从而增加了经过相变元件的电流密度并且有效地以第一编程功率引起相变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器器件，并且更特别地涉及相变存储器(PCM)单元结构以及制作并使用这样的相变存储器单元结构的方法。
技术介绍
近来，由锗锑碲(Ge2Sb2Te5)硫族化物材料制成的非易失性硫族化物随机访问存储器(RAM)器件已被认为是最有前途的下一代存储器器件。术语“硫族元素”是指周期表中的第四组元素；而术语“硫族化物”是指包含这些元素中的至少一个元素的合金，例如锗、锑和碲等等的合金。硫族化物材料已被用在PCM器件中，特别是被用在可重写光盘(CD)以及数字视频盘或数字多功能盘(DVD)器件中。当将这种存储器引入半导体芯片中时，相比该领域中的其他存储器，这种存储器具有许多优点，例如可缩放性、高的读出容限(sensing margin)、低能量消耗和周期性工作的耐久性。在针对硫族化物存储器单元的一般设计中，将数据存储在平坦的硫族化物层内，可在接近CMOS互连工序结束时沉积该平坦的硫族化物层，使得它对于嵌入式的应用而言是理想的。可将硫族化物存储器元件编程和重新编程成高电阻/低电阻状态。简而言之，当硫族化物存储器元件处于非晶相(或所谓的RESET(复位)状态)时它具有高电阻；当它处于结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器单元结构，其包括：相变元件；以及具有周界的薄膜电极；其中所述相变元件电连接到所述薄膜电极的所述周界的至少一部分。

【技术特征摘要】
US 2006-3-30 11/394,2631.一种相变存储器单元结构，其包括相变元件；以及具有周界的薄膜电极；其中所述相变元件电连接到所述薄膜电极的所述周界的至少一部分。2.根据权利要求1所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极包括通过在绝缘膜表面中的先前制造的腔的内侧壁上沉积薄膜而形成的环带。3.根据权利要求1所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极包括相对所述相变元件的表面呈一角度而沉积的环带，所述薄膜电极包括一个定向的部分，使得它与该相变元件的接触提供了导电的旁路路径，以调节当所述相变元件在高电阻状态和低电阻状态间进行切换时读电阻的变化。4.根据权利要求1所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极包括平面结构，并且所述相变元件电连接到所述薄膜电极的所述周界。5.根据权利要求4所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极是定向的，使得它与所述相变元件的接触提供了导电的旁路路径，以调节当所述相变元件在高电阻状态和低电阻状态间进行切换时的读电阻的改变。6.一种相变存储器单元，其包括相变元件；第一电极；第二电极；以及所述相变元件位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且与所述第一电极和所述第二电极中的至少之一电接触且机械接触，所述第一电极和所述第二电极具有周界，所述周界的至少一部分与所述相变元件相接触。7.根据权利要求6所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极包括通过在绝缘膜表面中的先前制造的腔的内侧壁上沉积薄膜而形成的环带。8.根据权利要求6所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极包括相对所述相变元件的表面呈一角度而沉积的环带，所述薄膜电极包括一个定向的部分，使得它与所述相变元件的接触提供了导电的旁路路径，以调节当所述相变元件在高电阻状态和低电阻状态间进行切换时读电阻的变化。9.根据权利要求6所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极包括具有周界的平面结构，以及所述相变元件与所述薄膜电极的所述周界电接触。10.根据权利要求9所述的相变存储器单元结构，其中所述薄膜电极是定向的，使得它与所述相变元件的所述接触提供了导电的旁路路径，以调节当...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄洸汉，杨智超，JC阿诺德，LL赫萨，MC盖迪斯，TJ多尔顿，CJ拉登斯，LA克莱文杰，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]