相变存储器及其制造方法技术

硫族化物选择器件（２４，１２０）和硫族化物存储元件（４０，１３０）都在电介质（１８，２２）内的通路内形成。结果，硫族化物有效地陷入在通路内并且不需要胶合层或粘合层。而且，避免了脱层问题。在与存储元件（４０，１３０）相同的通路（３１）内形成喷枪材料（３０）。在一个实施例中，喷枪材料由于存在侧壁隔离物（２８）而做得更薄；在另一个实施例中，不使用侧壁隔离物。用于形成存储元件（１３０）的硫族化物（４０）和喷枪材料（３０）之间相对小的接触面积是通过在电介质（３４）中提供针孔开口来实现的，电介质（３４）分开了硫族化物和喷枪材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种方法，包括：在第一介电层（１８）中的通路内形成选择器件（１２０）的第一硫族化物材料层（２４）；和在第二介电层（２２）中形成的通路（２６；３１）内形成存储元件（１３０）的第二硫族化物材料层（４０；４０ａ）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：IV卡波夫，CC郭，Y金，G阿特伍德，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]