包含氧化镍钴切换元件的存储单元制造技术

镍与钴的氧化物具有比氧化镍或氧化钴低的电阻率。通过施加适合的电脉冲，可使氧化镍及氧化钴可逆地在两种或两种以上稳定的电阻率状态之间切换。预期包括镍与钴两者的氧化物或（ＮｉｘＣｏｙ）Ｏ将以比氧化镍或氧化钴的切换电压及／或电流低的电压及／或电流在电阻率状态之间进行切换。可将（ＮｉｘＣｏｙ）Ｏ层与二极管或晶体管配对以形成非易失性存储单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电阻率切换金属氧化物，具体来说，本专利技术涉及氧化镍及氧化钴。
技术介绍
通过施加适当的电偏压脉冲可在两种或两种以上稳定的电阻率状态之间可逆地切 换这些材料。这些电阻率状态可对应于非易失性存储单元的数据状态。可以高电阻率状态形成氧化镍及氧化钴。在一些实施例中，已发现执行从初始高电 阻率状态切换成较低电阻率状态所需的第一脉冲可大于随后切换所需的脉冲。大振幅脉冲具有许多缺点。避免需要大振幅脉冲以执行初始电阻率切换将是有利 的。降低电阻率状态之间的随后切换所需的电流或电压将是进一步有利的。
技术实现思路
本专利技术由随附权利要求书界定，且本部分中的任何内容不应视为限制所述权利要求 书。 一般而言，本专利技术是针对将氧化镍钴用作电阻率切换材料，尤其是在存储单元中。本专利技术的第一方面提供一种存储单元，所述存储单元包含包含(NCOy)O层的电阻切换元件，其中x+y=l且x及y均不为0。本专利技术的优选实施例提供位于衬底上方的第一存储器层级(memory level),其包含 大体上平行、大体上共面且在第一方向上延伸的多个第一导体；大体上平行、大体上共 面且在不同于第一方向的第二方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元，其包含：电阻切换元件，所述电阻切换元件包含（Ｎｉ↓［ｘ］Ｃｏ↓［ｙ］）Ｏ层，其中ｘ＋ｙ＝１且ｘ及ｙ均不为０。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-11-23 11/287,452;US 2006-5-24 11/440,8991. 一种存储单元，其包含电阻切换元件，所述电阻切换元件包含(NixCoy)O层，其中x+y=l且x及y均不 为0。2. 根据权利要求1所述的存储单元，其进一步包含二极管、第一导体及第二导体，所 述二极管及所述电阻切换元件设置于所述第一导体与所述第二导体之间。3. 根据权利要求2所述的存储单元，其中所述第二导体相对于衬底位于所述第一导体 上方，所述第一导体及所述第二导体位于所述衬底上方。4. 根据权利要求3所述的存储单元，其中所述二极管为垂直定向的结二极管。5. 根据权利要求4所述的存储单元，其中所述结二极管为p-i-n二极管。6. 根据权利要求5所述的存储单元，其中所述结二极管是由硅、锗或硅及/或锗的合 金形成。7. 根据权利要求6所述的存储单元，其中所述结二极管是由多晶半导体材料形成。8. 根据权利要求3所述的存储单元，其中所述衬底为单晶硅。9. 根据权利要求1所述的存储单元，其中y值处于约.05与约.65之间，或约.70与约.95之间。10. 根据权利要求9所述的存储单元，其中所述y值处于约.10与约.50之间，或约.75 与约.95之间。11. 根据权利要求1所述的存储单元，其进一步包含与所述电阻切换元件串联地电配置 的晶体管。12. 根据权利要求ll所述的存储单元，其中所述晶体管为场效晶体管。13. 根据权利要求12所述的存储单元，其中所述场效晶体管包含沟道区域，所述沟道 区域形成于单晶硅中。14. 根据权利要求12所述的存储单元，其中所述场效晶体管包含沟道区域，所述沟道 区域形成于多晶半导体材料中。15. 根据权利要求11所述的存储单元，其中所述晶体管为双极结晶体管。16. 根据权利要求15所述的存储单元，其中所述双极结晶体管包含集电极区域、发射 极区域及基极区域，其中所述集电极区域、所述发射极区域及所述基极区域中的至 少一者是由单晶硅形成。17. 根据权利要求15所述的存储单元，其中所述双极结晶体管包含集电极区域、发射 极区域及基极区域，其中所述集电极区域、所述发射极区域及所述基极区域全部是 由多晶半导体材料形成。18. 根据权利要求1所述的存储单元，其中在所述单元正常操作期间，所述(NixCOy)O 层处于高电阻状态或低电阻状态。19. 根据权利要求18所述的存储单元，其中所述高电阻状态与所述低电阻状态之间的 电阻差至少为5倍。20. 根据权利要求18所述的存储单元，其中所述高电阻状态与所述低电阻状态之间的 电阻差至少为10倍。21. 根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：S布拉德赫纳，
申请(专利权)人：桑迪士克三D公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]