包括ｎ＋界面层的可变电阻随机存取存储器制造技术

本发明专利技术提供一种具有ｎ＋界面层的可变电阻随机存取存储器。该可变电阻随机存取存储器包括下电极、形成在所述下电极上的ｎ＋界面层、形成在所述ｎ＋界面层上的缓冲层、形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性的氧化物层、及形成在所述氧化物层上的上电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器，更特别地，涉及通过在由普通金属形成的 下电极与緩沖层之间包括n+界面层而以低操作电压操作的可变电阻随机存 取存储器。
技术介绍
具有高集成密度、高速操作特性、和低操作电压的半导体存储器是更优 越的。常规存储器包括连接到存储单元的多个电路。在作为半导体存储器的代 表的动态随机存取存储器(DRAM)的情况下，单位存储单元通常包括一个 开关和一个电容器。DRAM具有高集成密度和高操作速度。然而，所存储的 数据在关闭电源后被擦除。非易失性存储器在电源被关闭后能保持所存储的数据，这样的非易失性 存储器的例子是闪存(flashmemory)。闪存是非易失性存储器，其与易失性存 储器的区别在于非易失性存储器比DRAM具有较低的集成密度和较慢的操 作速度。正在对非易失性存储器进行很多研究，包括磁随机存取存储器 (MRAM )、铁电随机存取存储器(FRAM )、相变随机存取存储器(PRAM )、 及电阻随机存取存储器(RRAM)。上述非易失性存储器中，RRAM主要利用取决于过渡氧化物的电压的可 变电阻特性。图1A是横截面图，示出使用可变电阻材料的具有常规结构的RRAM的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变电阻随机存取存储器，包括：下电极；ｎ＋界面层，形成在所述下电极上；形成在所述ｎ＋界面层上的缓冲层；氧化物层，其形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性；及上电极，形成在所述氧化物层上。

【技术特征摘要】
KR 2006-6-27 58098/061.一种可变电阻随机存取存储器，包括下电极；n+界面层，形成在所述下电极上；形成在所述n+界面层上的缓冲层；氧化物层，其形成在所述缓冲层上并具有可变电阻特性；及上电极，形成在所述氧化物层上。2. 如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述氧化物层由p 型过渡金属氧化物形成。3. 如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述氧化物层是Ni 氧化物层。4. 如权利要求1的可变电阻随机存取存储器，其中所述n+界面层由选 自包括ZnOx、 TiOx和IZOx的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵重来，李殷洪，斯蒂法诺维奇金瑞克，埃尔M鲍里姆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]