与非门型非挥发性存储器及其制造方法与操作方法技术

一种与非门型非挥发性存储器，其具有多个存储单元行。各存储单元行包括源极区与漏极区、多个存储单元、多个传输栅极、第一选择晶体管与第二选择晶体管。源极区与漏极区设置在基板中。多个存储单元设置在源极区与漏极区之间的基板上，各个存储单元包括一个存储单元与一个晶体管，且存储单元与晶体管并联连接在一起。多个传输栅极分别设置在相邻两存储单元之间的基板上，而使存储单元串联连接在一起。第一选择晶体管与第二选择晶体管分别与最外侧的两个存储单元连接，且分别与源极区与漏极区相邻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，特别是涉及一种与非门(NAND)型非挥发 性存储器及其制造方法与操作方法。
技术介绍
非挥发性存储器元件由于具有可进行多次数据存入、读取、抹除等动作， 且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此已成为个人计算机和电子设 备所广泛采用的一种存储器元件。典型的非挥发性存储器件， 一般被设计成具有堆叠式栅极((Stacked-Gate) 结构，其中包括以掺杂多晶硅制作的浮置栅极(Floating Gate)与控制栅极 (Control Gate)。浮置栅极位于控制栅极和基板之间，且处于浮置状态，没有 和任何电路相连接，而控制栅极则与字线(WordLine)相接，此外还包括穿隧 氧化层(Tunneling Oxide)和才册间介电层(Inter-Gate Dielectric Layer)分别位于 基板和浮置栅极之间以及浮置栅极和控制栅极之间。另 一方面，目前本领域较常使用的闪存阵列包括或非门(NOR)型阵列结 构与与非门(NAND)型阵列结构。由于与非门(NAND)型阵列的非挥发性存储 器结构是使各存储单元串接在一起，其集成度与面积利用率较非门(NOR)型 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与非门型非挥发性存储器，包括多个存储单元行，各该存储单元行包括：源极区与漏极区，设置在基板中；多个存储单元，设置在该源极区与该漏极区之间的该基板上，各该存储单元包括存储单元与晶体管，该存储单元与该晶体管并联连接在一起；　 　多个传输栅极，分别设置在相邻两该存储单元之间的该基板上，而使该存储单元串联连接在一起；和第一选择晶体管与第二选择晶体管，分别与最外侧的该两存储单元连接，且分别与该源极区与该漏极区相邻。

【技术特征摘要】
1.一种与非门型非挥发性存储器，包括多个存储单元行，各该存储单元行包括源极区与漏极区，设置在基板中；多个存储单元，设置在该源极区与该漏极区之间的该基板上，各该存储单元包括存储单元与晶体管，该存储单元与该晶体管并联连接在一起；多个传输栅极，分别设置在相邻两该存储单元之间的该基板上，而使该存储单元串联连接在一起；和第一选择晶体管与第二选择晶体管，分别与最外侧的该两存储单元连接，且分别与该源极区与该漏极区相邻。2. 如权利要求1所述的与非门型非挥发性存储器，其中该传输栅极填满 相邻两该存储单元之间的间隙。3. 如权利要求1所述的与非门型非挥发性存储器，其中各该存储单元由 该基板起至少包括穿隧介电层、电荷储存层、栅间介电层与控制栅极。4. 如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该栅间介电层的 材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。5. 如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该电荷储存层的 材料为掺杂多晶硅。6. 如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该穿隧介电层的 材料包括氧化硅。7. 如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，还包括多条元件隔离 结构，平行设置在该基板中，各该存储单元行设置在相邻两元件结构之间。8. 如权利要求7所述的与非门型非挥发性存储器，其中该元件隔离结构 的表面低于该电荷储存层与该基板间的接口而形成凹陷部，该控制栅极填满 该凹陷部。9. 如权利要求8所述的与非门型非挥发性存储器，还包括门介电层，设 置在该控制栅极与该基板之间，各该晶体管由该控制栅极、该门介电层和该 基板构成。10. 如权利要求3所述的与非门型非挥发性存储器，其中该存储单元行, 呈二维配置，而成存储单元阵列，该与非门型非挥发性存储器还包括多条字线，在列方向平行排列，且连接同一列的该些存储单元的该控制栅极和该些晶体管的栅极；多条位线，在行方向平行排列，分別连接同一行的该存储单元行的该漏极区；多条源极线，在列方向平行排列，分别连接同一列的该存储单元行的该 源极区；多条选择栅极线，在列方向平行排列，分别连接同一列的该存储单元行 的该第 一选择晶体管的栅极与该第二选择晶体管的栅极；和多条传输栅极线，在列方向平行排列，分别连接同一列的该存储单元行 的该传输栅极。11. 如权利要求IO所述的与非门型非挥发性存储器，还包括多条元件隔 离结构，设置在该基板中，且在行方向平行排列，各该存储单元行设置在相 邻两元件结构之间。12. 如权利要求11所述的与非门型非挥发性存储器，其中该元件隔离结 构的表面低于该电荷储存层与该基板间的接口而形成凹陷部，该控制栅极填 满该凹陷部。13. 如权利要求12所述的与非门型非挥发性存储器，还包括门介电层， 设置在该控制栅极与该基板之间，各该晶体管是由部分该控制栅极与该门介 电层所构成。14. 一种与非门型非挥发性存储器的制造方法，包括提供基板，该基板上已依次形成有第一介电层、第一导体层与第二介电层；图案该第一导体层，以形成平行排列的多个第一条状导体层，该第一条 状导体层往第一方向延伸；在该第 一条状导体层之间的该基板中形成往该第 一 方向延伸的多条沟槽；在该基板中的该些沟槽内形成多个隔离结构，该隔离结构的表面低于该 第一条状导体层与该基板间的接口而形成凹陷部，并暴露出部分该基板； 在暴露出的部分该基板表面形成第三介电层； 在该基板上形成第二导体层，其中该第二导体层填满该凹陷部； 图案该第二导体层、该第二介电层及该第一条状导体层，以形成多个堆叠栅极结构，其中该第二导体层经图案之后，形成往第二方向延伸且平行排列的多个第二条状导体层；并且在相邻该堆叠4册4及结构之间和最外侧的该两堆叠棚4及结构的侧壁形成多个第三条状导体层。15. 如权利要求14所述的与非门型非挥发性存储器的制造方法，其中该 第一条状导体层经图案后形成多个浮置栅极。16. 如权利要求15所述的与非门型非挥发性存储器的制造方法，其中该 浮置栅极的材料包括掺杂多晶硅。17. 如权利要求14所述的与非门型非挥发性存储器的制造方法，其中该 第 一介电层的材料包括氧化硅。18. 如权利要求14所述的与非门型非挥发性存储器的制造方法，其中该 第二导体层的材料包括掺杂多晶硅或多晶硅化金属其中之一。19. 如权利要求14所述的与非门型非挥发性存储器的制造方法，其中该 第二介电层包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。20. 如权利要求14所述的与非门型非挥发性...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭兆玮，赵志明，黄汉屏，魏鸿基，毕嘉慧，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]