半导体结构与非挥发性存储器的结构及制造方法技术

一种半导体结构的制造方法，适用于非挥发性存储器的工艺中。首先提供基底，基底中已形成有沟槽，且沟槽的侧壁已形成有浮置栅极。然后，在沟槽中形成导体材料层，并对导体材料层进行表面活化工艺。接着，在导体材料层上形成保护层，此表面活化工艺加快了保护层的形成速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路结构及其制造方法，特别是涉及一种半导体结 构与非挥发性存储器的制造方法，以及非挥发性存储器的结构。
技术介绍
在各种非挥发性存储器产品中，可电抹除且可程序的非挥发性存储器具 有可进行多次数据的存入、读取、抹除等动作，且具有存入的数据在断电后也不会消失之优点的可电抹除且可程序只读存储器(EEPROM),已成为个人 计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的可电抹除且可程序的非挥发性存储器以掺杂的多晶硅(polysilicon) 制作浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)， 二者由下而上堆叠在基 底上，并以栅间介电层来分隔。然而，随着集成电路产业的蓬勃发展，为了在单位面积中形成更多的元 件，提高元件的积集度(integrity)，业界提出了沟槽式的可电抹除且可程序的 非挥发性存储器。这种存储器将栅极制作在沟槽中，并形成直立式的沟道 (channel),对于元件积集度的提高，相当有利。但是，此种沟槽式非挥发性存储器的制造过程中，会使用多次的蚀刻步 骤(回蚀刻、干式蚀刻、湿式蚀刻等等)，很容易因为工艺的蚀刻裕度不足， 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，适用于非挥发性存储器的制造工艺中，该方法包括：提供基底，该基底中已形成有沟槽，且该沟槽的侧壁已形成有浮置栅极；在该沟槽中形成导体材料层；对该导体材料层进行表面活化工艺；并且在该导体材 料层上形成保护层，其中该表面活化工艺加快了该保护层的形成速率。

【技术特征摘要】
1、一种半导体结构的制造方法，适用于非挥发性存储器的制造工艺中，该方法包括提供基底，该基底中已形成有沟槽，且该沟槽的侧壁已形成有浮置栅极；在该沟槽中形成导体材料层；对该导体材料层进行表面活化工艺；并且在该导体材料层上形成保护层，其中该表面活化工艺加快了该保护层的形成速率。2、 如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该表面活化工艺 为掺杂注入工艺，该保护层的形成方法为热氧化法。3、 如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该导体材料层的 材料包括多晶硅。4、 如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括在形成该导体 材料层之前，在该沟槽中形成介电层，覆盖住该浮置栅极。5、 如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中该介电层的材料 包括氧化硅-氮化硅-氧化硅。6、 如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该浮置栅极的材 料包括掺杂多晶硅。7、 一种非挥发性存储器的制造方法，包括提供基底，该基底上已形成有掩模层，且该掩模层与该基底中已形成有沟槽；在该沟槽的侧壁形成浮置栅极；在该沟槽中形成源极线；进行掺杂注入工艺；进行热氧化工艺，在该源极线上方形成氧化层，其中该掺杂注入工艺加 快了该热氧化工艺的速率； 移除该掩模层；并且 在该沟槽外侧形成字线。8、 如权利要求7所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该源极线的 材料包括多晶硅。9、 如权利要求7所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该掺杂注入工艺利用的掺杂包括氮、砷和磷。10、 如权利要求7所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该掺杂注入 工艺的掺杂浓度为4.95xl015~ 5.05x1015原子/cm3,注入能量为39 ~ 41 千电子伏特。11、 如权利要求7所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该源极线的 形成方法包4舌在该基底上形成共形的导体材料层；并且以该掩模层为掩模，回蚀刻该导体材料层，并且残留填满该沟槽的部分 导体材料层以形成该源极线。12、 如权利要求7所述的非挥发性存储器的制造方法，还包括在形成该 浮置栅极之后、形成该源极线之前，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈大川，叶展玮，许汉杰，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]