浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法技术

一种浮置栅极的制造方法，先提供基底，基底中已形成有隔离结构，且隔离结构的顶面高于基底顶面，继而在基底上形成掩模层，覆盖住隔离结构。之后，在基底与掩模层中形成沟槽，并在沟槽内壁形成穿隧介电层。接着，在沟槽中填入导体层，导体层的顶面低于隔离结构顶面、高于基底顶面，且导体层表面具有一个凹陷。进而在导体层上的沟槽侧壁形成间隙壁，再以间隙壁为掩模，移除部分导体层，在沟槽侧壁形成浮置栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器的制造方法，特别是涉及一种浮置栅极与非挥发 性存储器的制造方法。
技术介绍
在各种非挥发性存储器产品中，具有可进行多次数据的存入、读取、抹 除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失之优点的可电抹除且可程序化只读存储器(EEPROM)，已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存 储器元件。典型的可电抹除且可程序只读存储器以掺杂的多晶硅(doped polysilicon) 制作浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)。为了避免典型的可电抹 除且可程序只读存储器在抹除操作时，因过度抹除/写入现象太过严重，而导 致数据误判的问题，许多可电抹除且可程序只读存储器会采用下述分离栅极 (split gate)的i殳计。图1所示为现有分离栅极式存储器的结构的截面图。其设置在基底100 上，包括浮置栅极102、控制栅极108与源/漏极区110a、 110b。其中，浮置 栅极102与控制栅极108之间以氧化层104与绝缘层106隔离，源/漏极区 110a、 110b分别形成在控制栅极108与浮置栅极102的侧边。上述分离栅极式存储器的控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浮置栅极的制造方法，包括提供基底，该基底中已形成有隔离结构，且该隔离结构的顶面高于该基底顶面；在该基底上形成掩模层，覆盖住该隔离结构；在该基底与该掩模层中形成沟槽；在该沟槽中形成导体层，该导体层的顶面低于 该隔离结构顶面、高于该基底顶面，且该导体层表面具有凹陷；在该导体层上的该沟槽侧壁形成间隙壁；并且以该间隙壁为掩模，移除部分该导体层，在该沟槽侧壁形成浮置栅极。

【技术特征摘要】
1、一种浮置栅极的制造方法，包括提供基底，该基底中已形成有隔离结构，且该隔离结构的顶面高于该基底顶面；在该基底上形成掩模层，覆盖住该隔离结构；在该基底与该掩模层中形成沟槽；在该沟槽中形成导体层，该导体层的顶面低于该隔离结构顶面、高于该基底顶面，且该导体层表面具有凹陷；在该导体层上的该沟槽侧壁形成间隙壁；并且以该间隙壁为掩模，移除部分该导体层，在该沟槽侧壁形成浮置栅极。10、 如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该控制栅极 的顶面高于该浮置栅极的顶面。11、 如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中回蚀刻该第 一导体层的步骤还包括以该掩模层为蚀刻终止层，回蚀刻该第一导体层；并且 以该隔离结构为蚀刻终止层，回蚀刻该第一导体层。12、 如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该间隙壁的 形成方法包括在该基底上形成间隙壁材料层；并且移除部分该间隙壁材料层，以在该沟槽侧壁形成该间隙壁。13、 如权利要求8所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该导体层的 材料包括掺杂多晶硅。14...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚永中，王心德，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]