高压晶体管和存储器的形成方法技术

一种栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；去除第二多晶硅层；形成栅极。相应地，本发明专利技术还提供一种高压晶体管的形成方法和一种存储器的形成方法，本发明专利技术通过先去除形成在半导体衬底上第一多晶硅层和层间介质层上的第二多晶硅层，然后定义刻蚀第一多晶硅层和层间介质层形成栅极，避免了去除第二多晶硅层不干净的造成残留问题，防止了由于第二多晶硅残留问题使得高压晶体管产生泄漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种。
技术介绍
非易失性存储器件，例如闪存器件，能够在半导体器件断电的时候存储 数据，闪存器件的存储单元包括形成在半导体衬底上的进行电隔离的浮栅、 形成在半导体源极和漏极区域、以及控制该浮栅的控制栅极，所述浮栅和半 导体衬底之间通过第一氧化硅层进行电隔离。典型地，闪存单元的阈值电压 取决于存储在该浮栅中的电荷量。通过感测因阈值电压差值引起的存储单元 的电流变化量可以检测出存储单元中存储的数据。当向存储单元写和/或从其中擦除数据时，通常地使用相对于电源电压Vcc的高电压，在写和/或擦除操作中，通过隧穿第一氧化硅层可以将电荷注入该浮栅或从该浮栅中抽出。通常，存储单元的控制栅电连接至字线且存储单元的漏极区域电连接至 位线。该字线电连接至行译码器且该位线电连接至读/写电路。配置行译码器 以选择多条字线中的一条且可以向被选择的字线施加字线电压。字线电压为 施加到字线用于执行写、读和/或擦除操作的电压。配置读/写电路选择多条位 线中的一条并向被选择的位线施加位线电压。位线电压为施加到位线用于执 行写、擦除和/或读操作的电压。此外，该读/写电路同样电连接至被选本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极形成方法，包括：（ａ）提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；（ｂ）在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；（ｃ）去除第二多晶硅层；（ｄ）形成栅极。

【技术特征摘要】
1.一种栅极形成方法，包括(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；(b)在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；(c)去除第二多晶硅层；(d)形成栅极。2. 根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于步骤(d)包括 在整个半导体衬底上涂覆光刻胶；采用掩模版定义出栅极，进行曝光； 显影；蚀刻层间绝缘层和第一多晶硅层，形成栅极。3. 根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于所述层间绝缘层为由 氧化硅、氮化硅、氧化硅三层构成的ONO层。4. 一种高压晶体管的形成方法，包括(e) 提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层 和层间介质层；(f) 在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；(g) 去除第二多晶硅层；(h) 形成栅极；(i) 在半导体衬底中注入离子形成高压晶体管的源极、漏极。5. 根据权利要求4所述的高压晶体管的形成方法，其特征在于步骤(h)包 括蚀刻层间绝缘层和第一多晶硅层，形成高压晶体管栅极； 在整个半导体衬底上涂覆光刻胶；采用掩模版定义出高压晶体管栅极，进行曝光； 显影。6. 根据权利要求4所述的高压晶体管的形成方法，其特征在于所述层间绝 缘层为由氧化硅、氮化硅、氧化硅三层构成的ONO层。7. 根据权利要求4所述的栅极形成方法，其特征在于还包括在高压晶体管 4册才及两侧形成侧i啬。8. —种存储器的形成方法，包括(j)提供半导体衬底，所述半导体衬底包含存储单元区域和高压电路区域， 所述存储单元区域形成有分别由第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层 构成的浮栅结构和选择栅结构，所述高压电路区域包含第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友臻，洪中山，宋建鹏，金贤在，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]