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一种栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；去除第二多晶硅层；形成栅极。相应地，本发明还提供一种高压晶体管的形成方法和一种存储器的形成方法，本发明通...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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