浮置栅极与非挥发性存储器的制造方法技术

一种浮置栅极的制造方法，此方法例如是先提供基底，基底上已形成有介电层、第一导体层与掩模层。在掩模层、第一导体层、介电层与基底中形成多个隔离结构。之后，进行掩模层部分移除步骤，此步骤包括：移除部分掩模层，并且移除部分隔离结构，这些隔离结构的顶面高于第一导体层顶面。继而，移除剩余的掩模层。然后在基底上形成第二导体层，填满这些隔离结构之间的间隙。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，特别是涉及一种浮置栅极与非 挥发性存储器的制造方法。
技术介绍
在各种非挥发性存储器产品中，具有可进行多次数据的存入、读取、抹 除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失之优点的可电抹除且可程序只读存储器(EEPROM),已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种非挥 发性存储器。典型的可电抹除且可程序只读存储器以掺杂的多晶硅制作浮置栅极 (floatinggate)与控制栅极(controlgate)。 一般来说，浮置栅极与控制栅极之间 的栅极耦合率(gate-couplingratio, GCR)愈大，其操作所需的工作电压将愈 低，而存储器的操作速度与效率会随之提高。由于栅极耦合率是指浮置栅极、 控制栅极之间的电容值与存储器总电容值的比率，因此，增加浮置栅极与控 制栅极之间的等效电容面积，将有助于增加栅极耦合率。然而在集成电路持续追求高集成度的趋势下，存储器每一个存储单元所 占的面积却因而必须缩减，元件的线宽同样随之缩小。如此一来，浮置栅极 与控制栅极之间的栅极耦合率也会跟着下降，非挥发性存储器所需的操作电 压将会被迫提高。这对于将非挥发性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浮置栅极的制造方法，包括：提供基底，该基底上已形成有介电层、第一导体层与掩模层；在该掩模层、该第一导体层、该介电层与该基底中形成多个隔离结构；进行掩模层部分移除步骤，该步骤包括：移除部分该掩模层； 移除部分该隔离结构，该隔离结构的顶面高于该第一导体层顶面；移除剩余的该掩模层；并且在该基底上形成第二导体层，填满该隔离结构之间的间隙。

【技术特征摘要】
1、一种浮置栅极的制造方法，包括提供基底，该基底上已形成有介电层、第一导体层与掩模层；在该掩模层、该第一导体层、该介电层与该基底中形成多个隔离结构；进行掩模层部分移除步骤，该步骤包括移除部分该掩模层；移除部分该隔离结构，该隔离结构的顶面高于该第一导体层顶面；移除剩余的该掩模层；并且在该基底上形成第二导体层，填满该隔离结构之间的间隙。2、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，还包括在移除剩余的该 掩模层之前，重复该掩模层部分移除步骤多数次。3、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中移除部分该掩模层 的方法包括湿式蚀刻法。4、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中移除部分该隔离结 构的方法包括以剩余的该掩模层为掩模，进行湿式蚀刻法。5、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，还包括在形成该第二导 体层之后，移除部分该些隔离结构，使该隔离结构的顶面低于该第二导体层 顶面。6、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中形成该第二导体层 的方法包才舌在该基底上形成导体材料层，覆盖住该些隔离结构；并且 移除该隔离结构上的该导体材料层。7、 如权利要求6所述的非挥发性存储器的制造方法，其中移除该隔离 结构上的该导体材料层的方法还包括以该隔离结构为蚀刻终止层，进行化学 机械研磨工艺。8、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该掩模层的厚度为 1000埃左右。9、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该掩模层的材料包 括氮化硅、碳化硅或氮碳化硅。10、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该第一导体层的材 料包括非晶硅。11、 如权利要求1所述的浮置栅极的制造方法，其中该第二导体层的材 料包括掺杂多晶硅。12、 一种非挥发姓存储器的制造方法，包括提供基底，该基底上已形成有介电层、第一导体层与掩模层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：何青原，林锡坚，萧国坤，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]