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一种浮置栅极的制造方法，此方法例如是先提供基底，基底上已形成有介电层、第一导体层与掩模层。在掩模层、第一导体层、介电层与基底中形成多个隔离结构。之后，进行掩模层部分移除步骤，此步骤包括：移除部分掩模层，并且移除部分隔离结构，这些隔离结构的顶...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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