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与非门型非挥发性存储器及其制造方法与操作方法技术
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下载与非门型非挥发性存储器及其制造方法与操作方法的技术资料
文档序号:3179712
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一种与非门型非挥发性存储器,其具有多个存储单元行。各存储单元行包括源极区与漏极区、多个存储单元、多个传输栅极、第一选择晶体管与第二选择晶体管。源极区与漏极区设置在基板中。多个存储单元设置在源极区与漏极区之间的基板上,各个存储单元包括一个存储...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。
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