【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利技术背景本专利技术涉及半导体器件的形成。在半导体晶片加工期间，使用公知的图案化和蚀刻工艺在晶片内定义半导体器件的特征。在这些工艺中，光致抗蚀剂(PR)材料被沉 积在晶片上且随后暴露于被分划板过滤的光。该分划板通常是玻璃 板，该玻璃板使用阻挡光穿过分划板的示例性特征几何形状来图案化。在穿过分划板之后，光接触光致抗蚀剂材料的表面。光改变光致 抗蚀剂材料的化学成分，以致显影剂可以移除光致抗蚀剂材料的一部 分。对于正型光致抗蚀剂材料的情形，曝光区域被移除，而对于负型 光致抗蚀剂材料的情形，未曝光区域被移除。此后，该晶片被蚀刻来 从不再受该光致抗蚀剂材料保护的区域移除底层材料，且由此在晶片 内定义期望的特征。各代光致抗蚀剂是已知的。深紫外(DUV)光致抗蚀剂通过248nm 的光来曝光。为了方便理解，图1A为衬底104上的层108的示意性横 断面视图，其中在层108上方的ARL (抗反射层)110上方有图案化光 致抗蚀剂层112，这些层将被蚀刻，从而形成叠层100。光致抗蚀剂图 案具有临界尺寸(CD)，该临界尺寸可以是最小特征的宽度116。由于 依赖于波长的光学性能，通过较...
【技术保护点】
一种用于在蚀刻层中形成特征的方法，该方法包括：在该蚀刻层上形成第一掩模，其中该第一掩模定义具有宽度的多个间隔；在该第一掩模上形成侧壁层，其中该侧壁层减小由该第一掩模定义的间隔的宽度；通过该侧壁层在该蚀刻层中蚀刻成特征 ，其中所述特征具有比由该第一掩模定义的间隔的宽度小的宽度；移除该掩模和侧壁层；以及执行附加特征步骤，该附加特征步骤包括：在该蚀刻层上形成附加掩模，其中该附加掩模定义具有宽度的多个间隔；在该附加掩模上形成侧壁层 ，其中该侧壁层减小由该附加掩模定义的间隔的宽...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-2-3 11/050,9851.一种用于在蚀刻层中形成特征的方法，该方法包括在该蚀刻层上形成第一掩模，其中该第一掩模定义具有宽度的多个间隔；在该第一掩模上形成侧壁层，其中该侧壁层减小由该第一掩模定义的间隔的宽度；通过该侧壁层在该蚀刻层中蚀刻成特征，其中所述特征具有比由该第一掩模定义的间隔的宽度小的宽度；移除该掩模和侧壁层；以及执行附加特征步骤，该附加特征步骤包括在该蚀刻层上形成附加掩模，其中该附加掩模定义具有宽度的多个间隔；在该附加掩模上形成侧壁层，其中该侧壁层减小由该附加掩模定义的间隔的宽度；通过该侧壁层在该蚀刻层中蚀刻成特征，其中所述特征具有比由该附加掩模定义的间隔的宽度小的宽度；以及移除该掩模和侧壁层。2. 如权利要求1所述的方法，还包括重复附加特征步骤至少一次。3. 如权利要求1至2中的任意一项所述的方法，其中，在第一掩 模上形成侧壁层是至少一个周期，该周期包括沉积阶段，该沉积阶段以第一气体化学物质形成沉积等离子体，从而在该第一掩模的侧壁上形成沉积；以及剖面成形阶段，该剖面成形阶段以第二气体化学物质来使该第一掩模的側壁上的沉积的剖面成形，其中该第一气体化学物质不同于该 第二气体化学物质；以及其中，在附加掩模上形成侧壁层是至少一个周期，该周期包括 沉积阶段，该沉积阶段以第三气体化学物质形成沉积等离子体，从而在附加掩模的侧壁上形成沉积；以及剖面成形阶段，该剖面成形阶段以第四气体化学物质来使附加掩模的侧壁上的沉积的剖面成形，其中该第三气体化学物质不同于该第四气体化学物质。4. 如权利要求3所述的方法，其中，在第一掩模上形成側壁层被执行至少两个周期，而在附加掩模上形成侧壁层被执行至少两个周期。5. 如权利要求1至4中的任意一项所述的方法，其中，形成侧壁 层形成基本上垂直的侧壁。6. 如权利要求1至5中的任意一项所述的方法，还包括将该蚀刻 层置于等离子体处理室中，其中形成侧壁层和蚀刻在该等离子体处理室之内完成。7. 如权利要求1至5中的任意一项所述的方法，其中，第一掩模 和附加掩模为光致抗蚀剂掩模，并且其中，側壁层由聚合物材料形成。8. 如权利要求7所述的方法，还包括利用单个剥离步骤来剥离光 致抗蚀剂掩模和侧壁层。9. 如权利要求8所述的方法，其中，剥离该光致抗蚀剂掩模和侧 壁层包括灰化光致抗蚀剂掩模和侧壁层。10. 如权利要求9所述的方法，其中，灰化光致抗蚀剂掩模和侧 壁层是在与形成该侧壁层和蚀刻相同的等离子体处理室中执行的。11. 如权利要求1至10中的任意一项所述的方法，其中，形成侧 壁层形成具有侧壁厚度和光致抗蚀剂特征底部厚度的侧壁层，其中该 側壁厚度大于光致抗蚀剂特征底部厚度。12. 如权利要求3至11中的任意一项所述的方法，其中，沉积阶段是面包条沉积。13. 如...
【专利技术属性】
技术研发人员：J马克斯，RSM萨亚迪，
申请(专利权)人：兰姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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