高压PMOS晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高压ＰＭＯＳ晶体管及其制造方法，可解决高压ＰＭＯＳ晶体管的击穿电压和饱和电流之间无法同时取得较高性能的矛盾。所述制造方法包括：进行高压Ｎ阱和Ｐ型埋沟离子注入；进行轻掺杂的Ｐ型扩散区离子注入；进行栅氧化层的淀积；进行Ｎ型掺杂的多晶硅栅淀积；进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；进行自对准的轻掺杂源离子注入；进行侧墙的淀积与刻蚀；使用光刻胶遮盖Ｎ型多晶硅栅和Ｐ型扩散区，进行源漏离子注入形成Ｐ型多晶硅栅和源漏极；去除光刻胶。所述高压ＰＭＯＳ晶体管包括：多晶硅栅，由各占一定长度比例的Ｎ型多晶硅栅和Ｐ型多晶硅栅组成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高压PMOS晶体管的制造方法，尤其涉及一种具有不 同掺杂类型栅的高压PM0S晶体管的制造方法。本专利技术还涉及一种高压 PMOS晶体管。
技术介绍
高压器件的PM0S —般都是埋沟器件，以提高载流子的迁移率和驱动 电流，所以高压PM0S中都只包括N型多晶硅抓具体如图1所示。同时， 为了提高击穿电压，高压器件扩散区都采用非常缓变结，这样就需要较大 的沟道长度，因此驱动电流还是很难同时得到提高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种高压PM0S晶体管的制造方法， 可解决对于高压PM0S晶体管无法同时取得高击穿电压和高饱和电流之间 的矛盾。为此本专利技术还提供一种高压PMOS晶体管。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种高压PMOS晶体管的制造方法， 包括(1) 进行高压N阱和P型埋沟离子注入；(2) 进行轻掺杂的P型扩散区离子注入；(3) 进行栅氧化层的淀积；(4) 进行N型掺杂的多晶硅栅淀积；(5) 进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；(6) 进行自对准的轻掺杂源离子注入；(7) 进行侧墙的淀积与刻蚀；(8) 使用光刻胶遮盖N型多晶硅栅和P型扩散区，进行源漏离子注本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压ＰＭＯＳ晶体管的制造方法，包括：（１）进行高压Ｎ阱和Ｐ型埋沟离子注入；（２）进行轻掺杂的Ｐ型扩散区离子注入；（３）进行栅氧化层的淀积；（４）进行Ｎ型掺杂的多晶硅栅淀积；（５）进行多晶硅栅和栅氧 化层刻蚀；（６）进行自对准的轻掺杂源离子注入；（７）进行侧墙的淀积与刻蚀；其特征在于，还包括：（８）使用光刻胶遮盖Ｎ型多晶硅栅和Ｐ型扩散区，进行源漏离子注入形成Ｐ型多晶硅栅和源漏极；（９）去除光刻胶。

【技术特征摘要】
1、一种高压PMOS晶体管的制造方法，包括(1)进行高压N阱和P型埋沟离子注入；(2)进行轻掺杂的P型扩散区离子注入；(3)进行栅氧化层的淀积；(4)进行N型掺杂的多晶硅栅淀积；(5)进行多晶硅栅和栅氧化层刻蚀；(6)进行自对准的轻掺杂源离子注入；(7)进行侧墙的淀积与刻蚀；其特征在于，还包括(8)使用光刻胶遮盖N型多晶硅栅和P型扩散区，进行源漏离子注入形成P型多晶硅栅和源漏极；(9)去除光刻胶。2、 根据权利要求l所述的高压PMOS晶体管的制造方法，其特征在于， 根据要求获得的PMOS晶体管特性的不同，可在执行步骤(8)时，应在与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]