沟槽的制造方法及其应用于制造图像传感器方法技术

一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。本发明专利技术方法能够形成较好的沟槽轮廓。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种在叠层介质层中形成沟 槽的方法及其应用于制造金属氧化物半导体图像传感器的方法。
技术介绍
金属氧化物半导体图像传感器(CMOS image sensor, CIS )由于其低功耗， 高响应速率等优点而被广泛应用于数码相机、摄像机、掌上电脑、可拍照手 机等装置上，其主要原理为通过光敏单元接收光信号并通过光电二极管转 换成电信号，通过金属氧化物半导体器件对所述电信号做进一步的处理，而 转移到存储介质上。随着半导体制造技术向更高技术节点的发展以及对图像 传感器灵敏度及其它性能方面的要求，铜逐渐代替铝作为金属氧化物半导体一种铜作为互连线的金属氧化物半导体图像传感器的制造方法。图1至图5为 该公开的CIS制造方法的剖面示意图。如图l所示，首先提供一半导体衬底100， 在所述半导体衬底100上形成金属氧化物半导体晶体管104和光敏二极管103， 所述金属氧化物半导体晶体管104和光敏二极管103由浅沟槽隔离102所绝缘 隔离。在所述半导体衬底IOO、金属氧化物半导体晶体管104以及光敏二极管 103上形成绝缘层108,在所述绝缘层108中形成接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口 ，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。

【技术特征摘要】
1、一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。2、 如权利要求1所述的在叠层介质层中形成沟槽的方法，其特征在于 所述第 一开口和第二开口的线宽相同。3、 如权利要求1所述的在叠层介质层中形成沟槽的方法，其特征在于 用湿法刻蚀去除所述第 一牺牲层和第二牺牲层。4、 如权利要求1所述的在叠层介质层中形成沟槽的方法，其特征在于 所述第 一牺牲层和第二牺牲层为同种物质。5、 如权利要求4所述的在叠层介质层中形成沟槽的方法，其特征在于 所述第一牺牲层和第二牺牲层为铜、铝、金、银、钽、钛、氮化钽、氮化钛、 抗反射层、光刻胶中的一种或其组合。6、 如权利要求1所述的在叠层介质层中形成沟槽的方法，其特征在于 所述第一介质层和第二介质层是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧硅化合物、 碳氧硅化合物、碳氮硅化合物、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻 璃、黑钻石中的一种或其组合。7、 一种应用权利要求1的方法制造金属氧化物半导体图像传感器的方法，包括提供一半导体基底，在所述半导体基底中形成有光敏元件； 在所述半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一沟渠和第一开口，其中所述第一开口位于 所述光敏元件上方，且该第一开口的深度和所述第一介质层的厚度相同；...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢普生，杨建平，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]