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一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上...
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