【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，更具体而言，涉 及一种用于确定具有不同特性和在不同工作条件下的器件的温度的结构和 方法。
技术介绍
先进的微电子器件为提高的性能采用绝缘体上硅(SOI)技术，其中 器件的有源区在薄硅层中，通过掩埋氧化物(BOX)层与体硅衬底隔离。 为有源区中改善的场分布BOX提供与衬底的电隔离，但是BOX也形成了 在恶劣的工作或应力条件下热从器件向衬底耗散的主要阻挡层。结果，关 注的器件处于比环境或者衬底温度显著更高的温度。更具体而言，器件例如FET制造在衬底上并且，如所公知的，包括沟 道、栅极和氧化物材料。在沟道至栅极结内，归因于源极电压Vs、漏极电 压Vd、以及栅极电压Vg而典型产生的自加热是明显的。例如，当将电压 施加到器件的源极、栅极和漏极时，典型地分布和程度不均匀的内部加热 开始发生。在电路的工作状态期间，还公知遍及电路的拓朴自加热是不均 匀的。在表征和建模器件及其可靠性时，知道在特定条件下精确的器件温度 是关键的。在一种方法中，通过与关注的器件处于不同距离的多个监测器 件的温度间接计算器件温度。然而，公知器件温度依赖于所关注的器件周 围的环境(例...
【技术保护点】
一种方法，包括以下步骤： 确定给定器件的多晶栅极温度； 确定监测器件的沟道温度； 外推所述监测器件的沟道温度以获得所述给定器件 的沟道温度；以及 基于所述多晶栅极温度和所述沟道温度确定所述给定器件的温度差（△Ｔ值）。
【技术特征摘要】
US 2006-11-13 11/559,1201.一种方法，包括以下步骤确定给定器件的多晶栅极温度；确定监测器件的沟道温度；外推所述监测器件的沟道温度以获得所述给定器件的沟道温度；以及基于所述多晶栅极温度和所述沟道温度确定所述给定器件的温度差(ΔT值)。2. 根据权利要求l的方法，其中使用亚阈值斜率确定所述沟道温度。3. 根据权利要求2的方法，其中通过I漏极/V樹极扫描确定所述亚阈值斜率。4. 根据权利要求l的方法，其中所述外推包括使距离测量至离所述给 定器件零距离。5. 根据权利要求l的方法，其中对于所述给定器件获得在给定栅极氧 化物厚度处的所述AT值。6. 根据权利要求l的方法，其中所述厶T值是所述栅极氧化物的热特 性，其基本上不依赖于几何结构和环境。7. 根据权利要求l的方法，其中所述给定器件为在确定所述多晶栅极 温度期间未被供电的加热器件。8. 根据权利要求l的方法，其中通过测量横跨所述多晶栅极的电阻确 定所述多晶栅极温度。9. 根据权利要求l的方法，还包括通过将所述AT值加到第二器件的 多晶栅极温度确定所述第二器件的沟道温度。10. 根据权利要求l的方法，还包括在所述给定器件的所述多晶栅极 的每一个端处提供至少 一个接触。11. 根据权利要求l的方法，其中这样确定所述多晶栅极温度，通过 在已知温度下对于一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王平川，G拉罗莎，KW克尔芬巴赫，PA海德，
申请(专利权)人：王平川，G拉罗莎，KW克尔芬巴赫，PA海德，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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