温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高压ＰＭＯＳ晶体管及其制造方法，可解决高压ＰＭＯＳ晶体管的击穿电压和饱和电流之间无法同时取得较高性能的矛盾。所述制造方法包括：进行高压Ｎ阱和Ｐ型埋沟离子注入；进行轻掺杂的Ｐ型扩散区离子注入；进行栅氧化层的淀积；进行Ｎ型掺杂的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。