制造电路的方法技术

本发明专利技术提供了一种用于制造电路结构的方法，一个实施例提供了基底层，其中：具有至少一个通道的第一层被设置在基底层上；第一层由电绝缘材料制成；基底层至少部分地覆盖通道；第二层被设置在第一层上，第二层包括凹部，该第二层至少部分地覆盖通道；并且该凹部至少部分地设置在通道上方；通道和凹部填充有液体，该液体被固化并且电导体被形成在通道中以及凹部中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制造具有包括电导体的第 一层的电路结 构(布置，arrangement)和具有与第一层相4妄触的4妄触层的结构的 方法，所述第一层具有带有电导体的通道(channel )。
技术介绍
在传统应用中，电路(诸如存储器芯片)以导电的方式通过引 线接合法连接至衬底或连接至其它电路。而且，已知方法使用倒装 芯片连4妾法，通过该方法，电路以导电的方式与坤于底相4妄触或与其 它电i 各相4妄触。在已知方法或已知结构中，分别地， -使用多个电线 或连4妄元件以^更以导电的方式将电^各连4妄至衬底或连4妄至其它电 路。出于这些及其它原因而需要本专利技术。
技术实现思路
一个实施例提供了一种用于制造电路结构的方法，该电路结构 具有包括电导体的第一层，该电导体具有用于电^^的电触点。在一个实施例中提供了基底层，其中包括至少一个通道的第一层被设 置在基底层上；第一层由电绝缘材料制成；基底层至少部分地覆盖 通道；第二层被设置在第一层上，第二层包括凹部，该第二层至少 部分;也覆盖通道；并且该凹部至少部分;也，没置在通道上方；通道和 凹部填充有液体，该液体被固化并且电导体被形成在通道中以及凹 部中。附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术的进一步理解，并且附图包含 在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本专利技术的实施 例并与所述描述一起用于解释本专利技术的原理。由于通过结合以下详细描述更好理解，因此更容易明白本专利技术的其它实施例和本专利技术的 许多预期优点。附图中的元件不必相对于4皮此成比例。相同的参考 标号表示相应的类似部件。图1示出了衬底。图2示出了衬底的横截面图。图3示出了具有第一层的衬底。图4示出了具有第一层的衬底的横截面图。图5示出了具有第一层和第二层的衬底。图6是具有第一层和第二层的衬底的横截面图。图7示出了具有填充有液体导电材料的第一层和第二层的衬底。图8是具有填充有液体导电材料的第 一层和第二层的衬底的横 截面图。图9是具有第一层和第二层的衬底的横截面图，所述第一层和 第二层具有接触球。图10示出了具有第一层和第二层以及第三层的衬底的横截面图。图11是具有第一层和第二层以及接触元件的衬底的横截面图。图12示出了第一工艺过程。图13示出了第二工艺过程。图14示出了第三工艺过程。图15示出了第四工艺过程。图16示出了用于制造具有电触点的部件的第五工艺过程。图17示出了具有第一层和第二层以及用于连接的载体衬底 (Carrier Substrate )的冲于底。图18示出了在连接至载体衬底之后的具有第一层和第二层的 衬底。图19示出了包括具有填充的通道的载体衬底的衬底。图20示出了包括载体衬底的衬底，所述衬底由保护层(capping layer)环绕。图21示出了部4牛的另一个实施例。图22示出了包括衬底、第一层和第二层以及载体衬底的结构。 图23示出了包括衬底和载体^H底的结构，所述通道^皮填充。 图24示出了包括载体衬底和保护层的衬底。 图25示出了第三层。图26示出了包括第一和第二层的第三层。图27示出了具有下部保护层的第一、第二和第三层。图28示出了具有填充通道的第一、第二和第三层。图29示出了具有4娄触垫(contactpad)的第一、第二和第三层 的另一个实施例。图30示出了具有接触垫和两个衬底的结构。图31示出了具有中间层的图30的结构。图32示出了具有由保护层环绕的两个衬底的结构。图33示出了具有4妄触J求的两个衬底。图34示出了通过接触J求连接至两个衬底的层结构。图35示出了包括衬底和接触球的层结构，其中设有中间层。图36示出了具有由保护层环绕的两个衬底的结构。图37示出了用于在第一工艺过程中填充通道的结构。图38示出了用于在第二工艺过程中填充通道的结构。图39示出了第三工艺过程中的结构。具体实施例方式在以下详细描述中，将参照附图，附图构成该描述的一部分， 并且示出了可实践本专利技术的示例性具体实施例。在这点上，参照所 描述的附图的方向^f吏用诸如顶部、底部、前、后、前 面、后面等方向术i吾。由于本专利技术实施例的部4牛可以以多种不 同的方向定位，因此方向术语仅是用于解释性的目的，并非限制性 的。应该理解的是，在不背离本专利技术范围的情况下也可利用其它实 施例并且可进4亍结构或逻l尋变4b。因此，不应i人为下面的详细描述是限制性的意思，并且本专利技术的范围由所附权利要求限定。本专利技术方法的实施例可具有以下伊o点，即，通过形成第一和第 二层而4是供用于接触电路的电导体。通过所述方法，可通过简单方 式形成适合于接触电路区域的电导体结构。电导体结构允许低复杂 性电3各的安全可靠的电4妄触。因此，形成了包括电导体的第一层，该电导体具有用于电路的 电触点，提供了基底层，从而具有至少一个通道的第一层形成在基 底层上。第一层由电绝缘材料制成。基底层至少部分地覆盖通道。 在第一层上i殳置第二层，该第二层具有至少部分地布置在通道上方的凹部。第二层至少部分地覆盖通道。通道和凹部被填充以液体， 并且在液体固化之后在通道和凹部中获得了电导体。在另一实施例中，基底层形成为包括电路的衬底，电路具有电 ，接触区域，通道至少部分地布置在4妻触区域上方，并且电导体以导 电方式连接于接触区域。这样，可实现电路的可靠电接触。在另一实施例中，第二层被设置在电绝缘材料上，从而第二层 包括/人第二层的上侧到达其下侧的至少 一个凹部。这容许接触区域 的简单实施例，用于接触其它电路或其它电导体。在另 一 实施例中，第 一层由可通过光刻工艺图案化的材料形 成。这样，第一层中的通道可形成为所需形状的。此外，通过形成 通道可实现精密的几何形状。在另 一 实施例中，第二层由可通过光刻工艺图案化的材料形 成。这4吏得第二层可具有多种图案。因此，可制造改进的凹部以Y更 于形成改进的接触垫。在又一实施例中，第一层通过液体设置，该液体被设在基底层 上并且通过液体的固化转变成绝纟彖的第一层，从而通道随后形成在 第一层中。在另一实施例中，第一层由塑料材料(例如聚合物)制成。在 另一实施例中，第二层由塑料材料制成，例如由聚合物制成。在使 用聚合物制成第 一和/或第二层的情况下，可实现具有层的充分电绝 缘的良好图案化。在又一实施例中，通道被填充以液态金属，例如被填充以液态 焊料。这允许通道的可靠填充，因而允许电导体的可靠形成。在另一实施例中，第一和第二层在基底层上横向地延伸，并且 第二层上侧处的凹部相对于基底层4黄向地形成。这4吏得在接触电导体时增强挠性。例如，与电导体的电接触不依赖于基底层的形状。 如果电路用作基底层，则该实施例提供将第一和第二层的电导体的 电触点形成在电路一侧上的可能性。在另一实施例中，具有过孔的第三层^皮:没置在第二层上，该过 孔被布置在第二层的凹部的上方，过孔、凹部和通道^皮形成为电导 体。这允许形成电导体时具有更大灵活性。在另一实施例中，第三层被构造成衬底。而且，在另一实施例 中，第三层可包括其它电导体。在另 一 实施例中，用于填充通道和凹部的第 一和第二层的结构被浸入在压力室内的液体中，由》k/f吏-彈压力室中的压力增加，由此 乂人液体中耳又出该结构，由此该结构祐:冷却并且在冷却之后液体作为 导电材料填充通道和凹部并形成电导体。通过所述方法，可实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造电路结构的方法，所述方法包括：提供基底层以及设置在所述基底层上的具有至少一个通道的第一层，所述第一层由电绝缘材料制成，所述基底层至少部分地覆盖所述通道；在所述第一层上设置第二层；所述第二层具有凹部；所述第二层至少 部分地覆盖所述通道；所述凹部至少部分地布置在所述通道上方；用液体填充所述通道和所述凹部；以及使所述液体固化，电导体被形成在所述通道中和所述凹部中，所述电导体具有用于电路的电触点。

【技术特征摘要】
DE 2006-12-21 102006060533.0;US 2007-1-16 11/623,51.一种用于制造电路结构的方法，所述方法包括提供基底层以及设置在所述基底层上的具有至少一个通道的第一层，所述第一层由电绝缘材料制成，所述基底层至少部分地覆盖所述通道；在所述第一层上设置第二层；所述第二层具有凹部；所述第二层至少部分地覆盖所述通道；所述凹部至少部分地布置在所述通道上方；用液体填充所述通道和所述凹部；以及使所述液体固化，电导体被形成在所述通道中和所述凹部中，所述电导体具有用于电路的电触点。2. 根据权利要求1所述的方法，包括将所述基底层构造为具有电路的衬底，所述电路包括电 才妄触区域，所述通道至少部分地布置在所述4矣触区i或上方，并 且所述电导体以导电方式连接于所述接触区域。3. 根据权利要求1所述的方法，包括设置由电绝缘材料构成的所述第二层，所述第二层包括 从所述第二层的上侧到达下侧的至少 一个凹部。4. 根据权利要求1所述的方法，包括-使用光刻图案化工艺在所述第 一层中形成所述通道。5. 根据权利要求1所述的方法，包括4吏用光刻图案化工艺在所述第二层中形成所述凹部。6. 根据权利要求1所述的方法，包括在所述基底层上设置液体光刻胶，之后将所述光刻胶固 化成包括通道的绝缘第 一层。7. 根据权利要求1所述的方法，包括用可通过光刻工艺图案化的薄膜制造所述第二层，所述 薄膜被固化以形成包括凹部的绝缘第二层并将所述第二层设 置在所述第一层上。8. 根据权利要求1所述的方法，包括用薄膜制造所述第二层，并通过局部移除进行图案化。9. 根据权利要求1所述的方法，包括用包括聚合物的塑料材料制造所述第一层。10. 根据权利要求1所述的方法，包括用聚合物制造所述第二层。11. 根据权利要求1所述的方法，包括用液态金属填充所述通道。12. 根据权利要求1所述的方法，包括用、液态金属^真充所述凹部。13. 根据权利要求1所述的方法，包括使所述第一和第二层在所述基底层上方横向地延伸；并且 在所述基底层的 一侧的所述第二层的上侧处形成所述凹部。14. 根据权利要求1所述的方法，其中，第三层包括被设置在所述 第三层上的连续其它凹部，其它凹部^皮i殳置在所述凹部上方， 所述其它凹部、所述凹部和所述通道^皮构造成电导体。15. 根据权利要求13所述的方法，包括使用衬底作为第三层。16. 才艮据4又利要求13所述的方法，其中，所述第三层包括其它电 导体，所述其它电导体与所述电导体导电连接。17. 根据权利要求13所述的方法，其中，所述第三层包括其它电 导体，所述其它电导体邻4妄于所述其它凹部，并与所述电导体 导电连接。18. 根据权利要求1所述的方法，包括将由第 一和第二层构成的层结构浸入在压力室中的液体 中，以1更于i真充所述通道和所述凹部；之后增加所述压力室中的压力；/人所述液体中取出所述结构；冷却所述结构；凝固所述液体以形成导电材料；以及 增力。所述压力室中的压力。19. 根据权利要求18所述的方法，包括在浸入所述层结构之前减 小所述压力室中...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈里黑德勒，罗兰伊尔西格勒，
申请(专利权)人：奇梦达股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]