【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及监控存储阵列质量的方法,具体的说,涉及一种监控存储阵 列的单元间距的结构以及方法。
技术介绍
静态随才;Wl储器(Static Random Access Memory, SRAM)存储阵列在现 代超大M^莫集成电路芯片中应用非常广泛,存储阵列质量的好差对集成电路 芯片具有决定性的影响,因此必须设计很多测试结构来监控存储阵列是否存 在问题。在SRAM存储阵列的各项参数中存储阵列间距是一个非常重要的参数 指标,存储阵列间距越小意味着在相同面积下存储容量可以越大,所以确定 一个合理的间距值是相当重要的,设计一种监控SRAM存储阵列的单元间距 的方法以及结构也成为业界的一个研究热点。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种监控存储阵列的单元间距的结构以及方 法,其可以有效地监控SRAM存储阵列的单元监控是否符合要求。为达到上述目的,本专利技术提供一种监控存储阵列的单元间距的结构,用 于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距 值是否符合要求,所述相邻静态随机存储器分别连出构成第 一以及第二端子, 横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子,P型阱区连出 构成第四端子,由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管,其中,所 述寄生的场氧晶体管的沟道长度为待监控的间距值,所述相邻静态随机存储 器、横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅、以及P型阱区均通过接触孔 由金属线连出。 本专利技术还提供一种监控存储阵列的单元间距的方法,用于监控静态随机 存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要 求,其中, ...
【技术保护点】
一种监控存储阵列的单元间距的结构,用于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要求,其特征在于,所述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子,横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子,P型阱区连出构成第四端子,由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管,其中,所述寄生的场氧晶体管的沟道长度为待监控的间距值。
【技术特征摘要】
1、一种监控存储阵列的单元间距的结构,用于监控静态随机存储器存储阵列中任意两个相邻静态随机存储器之间的间距值是否符合要求,其特征在于,所述相邻静态随机存储器分别连出构成第一以及第二端子,横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅连出构成第三端子,P型阱区连出构成第四端子,由所述第一至第四端子形成一寄生的场氧晶体管,其中,所述寄生的场氧晶体管的沟道长度为待监控的间距值。2、 根据权利要求1所述的监控存储阵列的单元间距的结构,其特征在于, 所述相邻静态P遺机存储器、横跨过所述相邻静态随机存储器的多晶硅、以及 P型阱区均通过接触孔由金属线连出。3、 根据权利要求1所述的监控存储阵列的单元间距的结构,其特征在于, 通过测量所述寄生的场氧晶体管的参数,判断待监控的间距值是否符合要求。4、 根据权利要求3所述的监控存储阵列的单元间距的结构,其特征在于, 所测量的所述寄生的场氧晶体管的参数至少包括漏电流、阈值电...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡剑,黎坡,
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。