栅极的制造方法技术

一种栅极的制造方法，包括提供基底，基底上至少已形成有一层栅极材料层。在栅极材料层上形成一层图案的掩模层。进行湿式蚀刻工艺微缩图案的掩模层的横向尺寸。接着以图案的掩模层为掩模，移除部分栅极材料层，而形成具有预定尺寸的栅极。

【技术实现步骤摘要】
4支术领域本专利技术涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种栅极的制造 方法。
技术介绍
随着集成电路的蓬勃发展，电子产品功能的加强，应用电路也日趋复杂。 为了使整个电路的运作速度能够有效地提高，集成电路内所要求晶体管的密 度也就大大地增加。也就是说，各个元件的尺寸会持续地缩小，以使得单位 面积内的晶体管数目能够获得提高。然而，元件尺寸并不能无限制地缩减， 在设计准则、元件的物理特性，乃至于工艺的可行性方面都有需要克服的难 题。以金氧半导体晶体管为例作说明，在定义、微缩栅极的过程中，往往会 因为蚀刻工艺本身的特性，影响了栅极的轮廓。例如，由于蚀刻不完全，在 隔离结构侧壁会留下栅极材料层，造成前后栅极连接而导通、短路，或是无 法将栅极蚀刻至预定尺寸。另外，栅极上方的金属硅化物，可能会在进行栅 极定义、微缩的时候，产生损失，这会导致元件的阻值升高，而降低元件的 操作速度。尤有甚者，在存储器元件中，由于其线宽很小，而膜层堆叠的高度相当 高，因此，在经过湿式蚀刻之后，还可能会引发栅极图案崩落，其例如是在 浮置栅极与穿隧介电层之间倾倒，或是在浮置栅极与其上方的介电层之间发 生脱落。这些状况都会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极的制造方法，包括：提供基底，该基底上至少已形成有栅极材料层；在该栅极材料层上形成图案的掩模层；进行湿式蚀刻工艺，微缩该图案的掩模层的横向尺寸；以及以该图案的掩模层为掩模，移除部分该栅极材料层，而形成具 有预定尺寸的栅极。

【技术特征摘要】
1. 一种栅极的制造方法，包括提供基底，该基底上至少已形成有栅极材料层；在该栅极材料层上形成图案的掩模层；进行湿式蚀刻工艺，微缩该图案的掩模层的横向尺寸；以及以该图案的掩模层为掩模，移除部分该栅极材料层，而形成具有预定尺寸的栅极。2、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，其中该湿式蚀刻工艺包括以 含氟液体、高温APM(ammonium hydrogen peroxide mixture)或.氬氧4b四曱4j (TMAOH, tetramethyl ammonium hydroxide)为蚀刻剂，微缩该图案的掩模层。3、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，其中该含氟液体包括稀释的 氢氟酸或緩冲氢氟酸。4、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，其中该图案的掩模层的材料 包括多晶硅。5、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，其中该图案的掩模层的形成 方法包括化学气相沉积法。6、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，还包括在形成该图案的掩模 层的步骤之前，在该栅极材料层上形成硬掩模层。7、 如权利要求6所述的栅极的制造方法，其中该硬掩模层包括以四乙 基正硅酸盐(tetraethyl orthosilicate, TEOS)为反应气体进行化学气相沉积法而 形成的氧化硅。8、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，其中该图案的掩模层的形成 方法包4舌在该栅极材料层上形成共形的掩模层； 在该掩模层上形成图案的光致抗蚀剂层； 以该图案的光致抗蚀剂层为掩模，形成该图案的掩模层；以及 移除该图案的光致抗蚀剂层。9、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，其中该栅极材料层为浮置栅 极材料层。10、 如权利要求9所述的栅极的制造方法，其中该基底上已依次形成有穿隧介电层、该浮置栅极材料层、栅间介电层与控制栅极材料层。11、 如权利要求10所述的栅极的制造方法，其中该控制栅极材料层上 还包括形成有金属硅化物层。12、 如权利要求1所述的栅极的制造方法，其中该栅极材料层的材料包 括掺杂 多晶 硅。13、 一种栅极的制造方法，包括提供基底，该基底上至少已形成有相邻的隔离结构与栅极材料层； 图案该栅极材料层，该隔离结构侧壁残留有部分该栅极材料层；以及 进行湿式蚀刻工...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴至宁，王伟民，萧国坤，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]