半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体元件的制造方法。在离子注入步骤中，锂（Ｌｉ）、硫（Ｓ）或硒（Ｓｅ）被用作掺杂剂，它们具有比硅半导体制造工艺中常用作掺杂剂的磷（Ｐ）或砷（Ａｓ）高的对硅的扩散系数。在激活步骤中，通过将固态激光器或准分子激光器与半导体激光器结合使用来对离子注入表面进行激光退火。在激活步骤期间半导体激光器将激光束连续地照射到整个晶片表面。固态激光器或准分子激光器发射脉冲激光束。当按照上述配置方式时，就能防止器件失效的出现从而制造出具有令人满意的特性的半导体元件。亦有可能防止在激光照射期间产生的热引起的器件损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体地是制造诸如ic(集成电路)、MOS (金属氧化物半导体)和绝缘栅双极晶体管(在下文中简称为IGBT)之类的 半导体元件的方法。
技术介绍
近年来，集成电路(IC)已经被广泛应用于计算机或通信设备的重要部件中。 在这些IC中，数量众多的晶体管和电阻被连接以便形成集成在一个芯片上的电子 电路。这些IC中包含有功率半导体元件的IC被称作功率IC。IGBT是一种既具有MOSFET的高速度开关和电压驱动的特性又具有双极晶 体管低导通电压的特性的功率元件。IGBT元件已经从包括诸如通用转换器、交流 伺服器、不间断电源和开关式电源等设备的工业应用扩展到包括诸如微波波段、电 饭煲和闪光灯等设备的消费应用。同样正在进行涉及下一代IGBT的开发。具有更 低导通电压的新芯片结构的IGBT已经被开发出来，使得使用这些IGBT的设备损 耗降低、效率提高。IGBT结构大体可以分成以下几种穿通(PT)型、非穿通(NPT)型和场截止(filed stop)(FS)型。此外，除用于音频功率放大器的IGBT具有p沟道型结构的IGBT夕卜， 几乎所有的现阶段大规模生产的IGBT都有n沟道型垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，包括：　　　　向半导体中注入具有大扩散系数的掺杂剂离子；以及　　　　当对已经注入掺杂剂的掺杂层进行激活时，使用多个激光发射装置将多个脉冲激光束照射到单掺杂层和连续层之一，所述连续层由具有相同导电类型和不同导电类型之一的多个掺杂层形成。

【技术特征摘要】
JP 2007-2-28 2007-0490871.一种半导体元件的制造方法，包括向半导体中注入具有大扩散系数的掺杂剂离子；以及当对已经注入掺杂剂的掺杂层进行激活时，使用多个激光发射装置将多个脉冲激光束照射到单掺杂层和连续层之一，所述连续层由具有相同导电类型和不同导电类型之一的多个掺杂层形成。2. —种半导体元件的制造方法，包括 向半导体中注入具有大扩散系数的掺杂剂离子；以及当对已经注入掺杂剂的掺杂层进行激活时，将来自固态激光器和准分子激光器 之一及半导体激光器的激光束照射到单掺杂层和连续层之一，所述连续层由具...

【专利技术属性】
技术研发人员：中泽治雄，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]