提供一种垂直磁记录介质，能够在不减损热稳定性的情况下更容易地在该介质上执行记录。该垂直磁记录介质中，在非磁性基体（１）上按顺序至少层积软磁性背衬层（２）、底层（３）和磁性记录层。该磁性记录层至少具有第一磁性记录层（５）、第二磁性记录层（７）和第三磁性记录层（８）。在第一磁性记录层（５）和第二磁性记录层（７）之间形成耦合层（６）。中间夹有耦合层（６）的第一磁性记录层（５）和第二磁性记录层（７）铁磁耦合并且具有粒状结构。第一磁性记录层（５）、第二磁性记录层（７）和第三磁性记录层（８）在垂直于该非磁性基体表面的方向上具有易磁化轴。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种垂直磁记录介质，它可安装在各种磁记录设备中。更具体地，本专利技术涉及安装在用作计算机存储设备的硬盘驱动器(HDD)、视听设备以及类似器件中的垂直磁记录介质。
技术介绍
近年来，硬盘驱动器(HDD)的记录密度迅速增加，并且预期今后这种趋势会得以继续。但是，当使用采用平面内磁记录方式的常规磁记录介质时，因为"热波动现象"会导致记录着的信号不能稳定保持的问题，所以已逼近记录密度极限。因此，为解决要记录密度显著增加的需求，在垂直磁记录介质方面进行了大量研究，其釆用特征与平面内磁记录方法正相反、即位稳定性随记录密度增加而提卨—的垂直磁记录方法；垂直磁记录介质目前正处于商品化阶段。为提高磁记录介质密度，必须促进构成磁记录层的晶粒之间的磁分离，并减小磁化反转单位。代表磁体对热波动的耐久性的热稳定性由KuVa指标表示，该指标是单轴各向异性常数Ku和活化体积Va的乘积。在此，已知Va与磁化反转单位的体积V相关。即，KuVa或KuV值越小，磁记录介质的热稳定性越低。从该指标可知，为了提高记录密度，磁化反转单位减小，热稳定性也减小，从而热波动即使对垂直磁记录介质也会造成问题。因此为了能即使在磁化反转单位减小时也能保持热稳定性，Ku必须增大。另一方面，已知在HDD中进行记录期间所需的磁场强度大致与Ku的值成比例。因此，增大Ku以保持热稳定性会使记录期间所需的磁场强度升髙，如果此升高很显著，则会发生不可能进行记录的情形。此外，随着磁化反转单位的减小，退磁场也减弱，使磁记录层的反转磁场增强。即，磁化反转单位越小，进行记录所需的磁场强度越高。因此，虽然为了提高记录密度考虑，磁化反转单位减小和Ku增大都有助于提卨磁记录介质的的记录分辨率和热稳定性，但是这两种做法都会降低在磁记录介质上的记录能力(下面也称为"易记录性")。3鉴于上述情况，谋求一种能提高磁记录介质的热稳定性和电磁换能特性，但不会减损易记录性的方法。作为解决这个问题的方法，在专利参考文献1中提出提供垂直磁记录介质的方法，其目的是通过在具有双层结构的磁记录层的双层之间提供耦合层，从而在不减损热稳定性的情况下提高易记录性，并且该方法改善噪声特性、S/N特性以及其他性能方面，以同时提高密度并提高易记录性。但是，如果为进一步提高密度的目的使磁化反转单位更小，则磁记录层中被具有高Ku的粒状结构占据的分数增加，反转磁场增大，并且对抑制磁记录介质的易记录性下降的能力有所限制。如果增加低Ku层厚度以易于磁化反转以求保持易记录性，则在髙Ku磁层中占据的分数下降，且很难得到较髙记录密度。因此，为了进一步提高记录密度，需要有新的技术来获得高记录分辨率同时将取决于Ku的矫顽性Hc保持在低水平。专利参考文献1:日本专利申请特开平第2006-48900号专利参考文献2:日本专利申请特开平第2004-310910号
技术实现思路
鉴于上述问题构思了本专利技术，本专利技术的目的是提供一种垂直磁记录介质，其中，磁记录层包含具有不同Ku值的三层，该垂直磁记录介质能提高易记录性但是不会减损热稳定性。此外，本专利技术的另一个目的是提供一种垂直磁记录介质，该磁记录介质能够同时实现噪声特性、S/N特性和其他性能特性的改善，以及密度提高和易记录性提高。为了达到上述目的，本专利技术的垂直磁记录介质通过在非磁性基板上按序至少层积软磁性背衬层、底层和磁记录层来形成，该垂直磁记录介质的特征在于磁记录层至少具有第一磁记录层、第二磁记录层和第三磁记录层在第一磁记录层和第二磁记录层之间设有耦合层；第--磁记录层和第二磁记录层通过该耦合层铁磁耦合；第一磁记录层和第二磁记录层具有粒状结构且第一磁记录层、第二磁记录层和第三磁记录层在垂直于该非磁性基板平面的方向上具有易磁化轴方向。用这种方法，可以降低反转磁场，提高易记录性，而不会妨碍热稳定性。在此，特别优选在第一磁记录层、第二磁记录层和第三磁记录层中，至少有通过耦合层铁磁耦合并且连续的那些磁记录层具有粒状结构，其中的磁晶粒4分散在非磁性氧化物或非磁性氮化物基质中。此外，优选使具有粒状结构的磁记录层各自具有不同的单轴各向异性常数值Ku。对于这些值之间的关系，特别优选使第一磁记录层的单轴各向异性常数Kul和第二磁记录层的单轴各向异性常数Ku2满足以下关系式Kul > Ku2。此外，优选使耦合层包含选自V， Cr, Fe， Co， Ni， Cu， Nb， Mo， Ru， Rh，Ta， W, Re和Ir的元素，或者包含以这些元素中的至少一种为主组分的合金。此外，耦合层的厚度优选小于或等于0.3 mn。通过本专利技术，在垂直磁记录介质中的磁记录层之间可以适当设置铁磁耦合，而且，通过提供髙Ku层和低Ku层，可以提高KuV指标，并且降低全体磁记录层的平均矫顽性Hc，从而可以降低磁记录介质的反转磁场，而不会减损热稳定性，并且同时可以改进噪声特性、S/N特性和磁记录介质的其他性能特性。此外，通过结构化为具有不同Ku值的三个磁记录层的磁记录层，磁化反转按从具有低Ku即具有低Hc的磁记录层起的顺序发生，从而促进具有高Ku的磁记录层中的磁化反转。通过这种方式，可以同时实现磁记录介质的热稳定性、易记录性和记录密度的提高。附图简要说明图1是示出本专利技术的垂直磁记录介质的方面的横截面图；图2比较了本专利技术的实施方式和对比例的特性；图3比较了本专利技术的实施方式和对比例的特性；图4示出对比例的特性；图5比较了本专利技术的实施方式和对比例的特性；图6比较了本专利技术的实施方式和对比例的特性；图7比较了本专利技术的实施方式和对比例的特性；和图8比较了本专利技术的实施方式和对比例的特性。本专利技术最佳实施方式下面，参照附图说明本专利技术的各个方面。本专利技术中使用以下结构，其中，专利参考文献l中提出的铁磁耦合的具有不同Ku值的磁记录层中，用具有粒状结构的磁记录层代替一部分低Ku层，以进一步提高密度和改进易磁化反转性。由低Ku层至替代的粒状结构磁记录层再至高Ku层按序进行磁化反转，因此能够保持易记录性，保证热稳定性并可以提髙记录密度。对磁记录层，用来控制磁记录层之间的交换耦合能的耦合层的材料和膜厚度以及其他参数的条件进行详尽的试验研究。下面，进一步详细描述本专利技术。图1是说明本专利技术一个方面的垂直磁记录介质的横截面示意图。如图1所示，在本专利技术一个方面的垂直磁记录介质中，在非磁性基板l上按序形成以下各层软磁性背衬层2，底层3，非磁性中间层4，第一磁记录层5，耦合层6，第二磁记录层7，第三磁记录层8，保护层9和液体润滑剂层10。作为非磁性基板l，可以使用在磁记录介质中常用的基板；例如，可以使用镀敷NiP的Al合金，钢化玻璃、结晶化玻璃或类似物。当基板加热温度保持在100"C内时，也可以使用聚碳酸酯、聚烯烃或另一种树脂的塑料基板。优选形成软磁性背衬层2来控制来自磁记录中使用的磁头的磁通量，以改进读/写特性，但是可以省略软磁性背衬层。作为软磁性背衬层，可以采用结晶FeTaC、山达斯特合金(FeSiAl)或类似物，或者非晶形Co合金如CoZrNb和CoTaZr或类似物。软磁性背衬层2的厚度的最佳值可依据记录中使用的磁头的结构和特性而变化，但是，当软磁性背衬层与其他层连续沉积时，从生产率方面考虑优选大于或等于IO nm且小于或等于500 nm的厚度。在沉积其他层前先采用本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种垂直磁记录介质，通过在非磁性基板上按序至少层积软磁性背衬层、底层和磁记录层形成，其特征在于， 所述磁记录层至少具有第一磁记录层、第二磁记录层和第三磁记录层； 在所述第一磁记录层和所述第二磁记录层之间设有耦合层； 所述第一磁记录层和所述第二磁记录层通过所述耦合层铁磁耦合； 中间夹有所述耦合层的所述第一磁记录层和所述第二磁记录层具有粒状结构；以及 所述第一磁记录层、所述第二磁记录层和所述第三磁记录层在垂直于所述非磁性基板的平面的方向上具有易磁化轴方向。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤启，竹野入俊司，酒井泰志，
申请(专利权)人：富士电机电子技术株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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