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本发明涉及一种半导体元件的制造方法。在离子注入步骤中，锂（Ｌｉ）、硫（Ｓ）或硒（Ｓｅ）被用作掺杂剂，它们具有比硅半导体制造工艺中常用作掺杂剂的磷（Ｐ）或砷（Ａｓ）高的对硅的扩散系数。在激活步骤中，通过将固态激光器或准分子激光器与半导体激光器...
该专利属于富士电机电子技术株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机电子技术株式会社授权不得商用。

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