减少晶圆缺陷的制造方法技术

本发明专利技术提供一种减少晶圆缺陷的制造方法，其包括如下步骤：ａ．提供蚀刻机台，该蚀刻机台具有反应室，待处理的晶圆被放置在反应室内；ｂ．接通蚀刻机台的电压，反应室内产生电场，对晶圆进行蚀刻步骤；ｃ．提供与反应室相通的抽气装置，在蚀刻结束后，维持反应室一定的电场，同时通入不参与反应的大流量惰性气体，进行抽气步骤。与现有技术相比，本发明专利技术制造方法在蚀刻步骤后增加抽气步骤，减少了反应室内的杂质污染晶圆表面的可能性，减少了晶圆缺陷的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件制造工艺，具体地说，涉及一种在蚀刻工艺中 可。
技术介绍
在半导体器件制造过程中，蚀刻工艺是一个非常重要步骤。由于干法蚀刻即电浆蚀刻(plasma etching)采用电浆物理式撞击，为非等向性蚀刻，可以获得 良好的尺寸控制，可以实现细微图形的转换，所以目前电浆蚀刻被广泛采用。在进行蚀刻时，将被处理对象晶圆(wafer)放置在的蚀刻机台的反应室 (chamber)内。晶圆具有半导体村底如硅衬底及沉积于硅衬底上面的做为栅极 的氮化硅层和多晶硅层。在多数情况下，需要蚀刻的图形密度是不均匀的，因 此在首先对氮化硅层进行蚀刻时，图形密度低的区域就会受到很大的压力，容 易造成氮化硅层的变形，严重时部分氮化硅层被挤坏。在蚀刻机台的电场作用 下，挤坏的氮化硅层产生大量的悬浮的微粒物质。当对氮化硅层的蚀刻完成后， 关闭蚀刻机台电压，反应室的电场消失，悬浮的微粒物质就会落在晶圆的表面， 污染晶圆造成晶圓的表面缺陷。完成对氮化硅层蚀刻步骤后，需要进一步对多 晶硅进行蚀刻步骤。前一步掉在晶圆表面的微粒物质导致在多晶硅的蚀刻步骤 中发生蚀刻不完全的现象，严重影响了晶圓制造的合格率。鉴于上述原因，需要提供一种新的可。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种可。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种减少晶圓缺陷的制造方法，其包括 如下步骤a.提供蚀刻机台，该蚀刻机台具有反应室，待处理的晶圆被放置在 反应室内；b.接通蚀刻机台的电压，反应室内产生电场，对晶圓进行蚀刻步骤；C.提供与反应室相通的抽气装置，在蚀刻结束后，维持反应室一定的电场，同 时通入不参与反应的大流量惰性气体，进行抽气步骤。与现有技术相比，本专利技术制造方法在蚀刻步骤后增加抽气步骤，减少了反 应室内的杂质污染晶圆表面的可能性，提高了晶圆制造的合格率。附图说明通过以下对本专利技术一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其专利技术的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1为本专利技术的流程图。具体实施方式请参阅图1 ，本专利技术公开了 一种，其包括如下步骤 a.提供蚀刻机台，其具有反应室，待处理的晶圆^皮^:置在反应室内；b.开通蚀 刻机台的电压，反应室内产生电场，对晶圆进行蚀刻步骤；c.提供与反应室相 通的抽气装置，在蚀刻结束后，维持反应室一定的电场，同时通入不参与反应 的大流量惰性气体，进行抽气步骤。晶圆一般包括半导体衬底如硅衬底及在半导体衬底上沉积形成的栅极，栅-极包括上层的氮化硅层和下层的多晶硅层。上述步骤b所述的蚀刻步骤是针对 晶圆的栅极的氮化硅层进行蚀刻步骤，在此步骤中容易产生污染晶圆表面的杂 质如微粒物质，且在反应室电场的作用下，悬浮在反应室内。经过上述步骤c 将反应室内的杂质抽走，避免反应室的电场消失后，杂质掉落在晶圆表面上， 污染晶圆表面。同时，也有效地减少了在接下来的蚀刻多晶硅层的步骤中出现 蚀刻不完全的现象。本专利技术公开的制造方法有效地减少了晶圆在蚀刻工艺中产 生的缺陷，提高了晶圆的合格率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少晶圆缺陷的制造方法，其包括如下步骤：ａ．提供蚀刻机台，该蚀刻机台具有反应室，待处理的晶圆被放置在反应室内；ｂ．接通蚀刻机台的电压，反应室内产生电场，对晶圆进行蚀刻步骤；ｃ．提供与反应室相通的抽气装置，其特征在于：在蚀刻结束后，维持反应室一定的电场，同时通入不参与反应的大流量惰性气体，进行抽气步骤。

【技术特征摘要】
1. 一种减少晶圆缺陷的制造方法，其包括如下步骤a.提供蚀刻机台，该蚀刻机台具有反应室，待处理的晶圆被放置在反应室内；b.接通蚀刻机台的电压，反应室内产生电场，对晶圆进行蚀刻步骤；c.提供与反应室相通的抽气装置，其特征在于在蚀刻结束后，维持反应室一定的电场，同时通入不参与反应的大流量惰性气体，进行抽气...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚檀，王玉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]