金属源极/漏极肖特基势垒悬空硅MOSFET器件及其方法技术

提供一种肖特基势垒ＭＯＳＦＥＴ（ＳＢ－ＭＯＳ）器件和在沟道区中制造悬空硅（ＳＯＮ）架构的方法。更具体地说，金属源极／漏极ＳＢ－ＭＯＳ器件与一种沟道结构结合而提供，所述沟道结构包括例如硅的通过ＳＯＮ介电层与大块衬底绝缘的半导体沟道区。在一个实施例中，ＳＯＮ介电层具有包括氧化物－氮化物－氧化物的三层结构，它与下面的半导体衬底形成接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及调整电流流动的半导体器件并且专门应用于在集成电路(IC)的背 景下制造这些器件。更具体地，本专利技术涉及用于调整电流流动的、具有形成与沟道 区的肖特基或肖特基类触点的金属源极和/或漏极的晶体管。
技术介绍
一种业内公知的晶体管是肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(肖特基 势垒MOSFET或SB-MOS)。如图1所示，SN-MOS器件10包括半导体衬 底IIO，其中形成通过具有沟道惨杂的沟道区140分隔的源极120和漏极125。沟 道区140是衬底110的电流承载区。对本专利技术来说，半导体衬底110中的沟道区 140在栅绝缘体150下垂直延伸至近乎与源极120的下缘和漏极125的下缘对齐的 边界。沟道掺杂具有一般低于源极120和漏极125的并因此在沟道区140之外的最 大掺杂浓度115。对于SB-MOS器件，源极120和漏极125中的至少一个是部分或全部地由金 属构成的。由于源极120或漏极125中的至少一个是部分由金属构成的，因此它们 与衬底IIO和沟道区140形成肖特基或肖特基类触点。定义肖特基触点为金属和半 导体之间的紧密接触形成的触点，而定义肖特基类触点为通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调整电流流动的器件，所述器件包括：半导体衬底；栅极；半导体沟道区；在所述半导体沟道区和所述半导气衬底之间的绝缘区；以及在所述半导体衬底上的源极和漏极，其中源极和漏极中的至少一个形成与半导体沟道区接触的肖特基或肖特基类触点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-8-31 60/712,8881.一种调整电流流动的器件，所述器件包括半导体衬底；栅极；半导体沟道区；在所述半导体沟道区和所述半导气衬底之间的绝缘区；以及在所述半导体衬底上的源极和漏极，其中源极和漏极中的至少一个形成与半导体沟道区接触的肖特基或肖特基类触点。2. 如权利要求l所述的器件，其特征在于，所述绝缘区由第一类型的第一绝 缘层、第二类型的第二绝缘层和第一类型的第三绝缘层构成。3. 如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一类型的第一绝缘层和第 一类型的第三绝缘层是氧化物。4. 如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第二类型的第二绝缘层是氮 化物。5. 如权利要求l所述的器件，其特征在于，所述源极和漏极是由铂硅化物、 钯硅化物和铱硅化物构成的组中的成员形成的。6. 如权利要求l所述的器件，其特征在于，所述源极和漏极是由稀土硅化物 构成的组的成员形成的。7. 如权利要求l所述的器件，其特征在于，所述源极和漏极中的至少一个在 靠近所述半导体沟道区的至少一些区域中形成肖特基或肖特基类触点。8. 如权利要求l所述的器件，其特征在于，所述半导体沟道区是应变的。9. 一种制造用于调整电流流动的器件的方法，所述方法包括 提供半导体衬底；提供选择性的SiGe外延层； 提供选择性的Si外延层；在所述选择性的Si外延层上提供栅极；蚀刻所述栅极、所述Si外延层以及SiGe外延层，由此在靠近所述栅极的区域 内露出半导体衬底并用剩下的未经蚀刻的Si外延层在栅极下形成沟道区；选择地蚀刻栅极下的SiGe外延层，由此在栅极下面和半导体衬底上面形成隧道空区；在所有露出表面上提供氧化层，包括在隧道空区中的露出表面； 在包括隧道空区的所有露出表面上提供氮化层，，由此填充所述隧道空区； 在栅极下面各向同性地蚀刻氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：JP辛恩德，
申请(专利权)人：斯平内克半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]