公开了ＭＯＳＦＥＴ器件系统和制造该器件系统的方法。本发明在ＭＯＳＦＥＴ器件结构的范围内采用肖特基势垒接触（３０１，３０２）作为源极和／或漏极接触的制造，从而不需要控制短沟道效应的光晕／阱注入物以及浅源极／漏极的外延。另外，本发明无条件地...

本发明致力于用于调节电流的器件及其制造方法，该器件具有高介电常数的栅绝缘层，其源极和／或漏极和衬底形成肖特基接触或类肖特基区域。在一个实施例中，栅绝缘层具有大于硅的介电常数。在另一个实施例中，电流调节器件可以是ＭＯＳＦＥＴ器件，可任选的...

本发明是一种场效应晶体管，它具有应变半导体基片和肖特基势垒源电极和漏电极，以及用于制造晶体管的方法。肖特基势垒场效应晶体管的大量电荷载流子输运特性最小化了载流子表面散射，与常规装置相比，这使得应变基片提供这种装置中改善了的功率和速度性能...

本发明揭示一种ＣＭＯＳ器件及其制造方法。本发明为ＣＭＯＳ器件和ＣＭＯＳ集成电路的范围内的源和／漏接触利用了肖特基壁垒接触，以消除对晕／阱注入，浅源／漏延伸的要求以控制短沟道效应，取消阱注入步骤和复杂的器件隔离步骤。另外，和现有技术相比，...

提供了一种制造用于调整电流量的晶体管器件的方法，其中，该器件具有肖特基势垒金属源极－漏极接触。在一个实施例中，该方法在形成金属源极－漏极接触之前采用各向同性蚀刻工艺，以对相对于沟道区域的肖特基势垒结位置提供更好的控制。对于肖特基势垒１０...

揭示了一种肖特基势垒集成电路，该电路具有至少一个ＰＭＯＳ器件或至少一个ＮＭＯＳ器件，至少一个ＰＭＯＳ器件或ＮＭＯＳ器件具有与半导体衬底形成肖特基势垒或类肖特基势垒接触的金属源极－漏极接触。该器件提供移动电荷载流子在半导体衬底体区域中的新...

提供了一种用于调节电流的流动的器件及其制造方法。该器件包括与半导体衬底形成肖特基势垒或类肖特基结的金属－绝缘体－半导体的源极－漏极接触。该器件包括在半导体衬底和金属源极和／或漏极电极之间的界面层，从而可通过施加不同的偏置条件来动态地调节...

提供一种金属源极功率晶体管器件和制造方法，其中，金属源极功率晶体管具有由金属制成的源极，并且该源极与晶体管的体区域和沟道区域形成肖特基势垒。金属源极功率晶体管无条件地免受寄生双极作用影响，并且因此无需体接触就可避免回跳和闭锁效应。允许体...

提供一种肖特基势垒ＭＯＳＦＥＴ（ＳＢ－ＭＯＳ）器件和在沟道区中制造悬空硅（ＳＯＮ）架构的方法。更具体地说，金属源极／漏极ＳＢ－ＭＯＳ器件与一种沟道结构结合而提供，所述沟道结构包括例如硅的通过ＳＯＮ介电层与大块衬底绝缘的半导体沟道区。在一...

提供了一种用于生产不易存在诸如单粒子翻转效应、多位翻转效应或者单粒子闭锁效应之类的各种软差错的集成电路的ＣＭＯＳ器件及其制造方法。该ＣＭＯＳ器件及方法利用了一种新颖的阱结构以及金属源极／漏极来消除软差错。在一个实施例中，该ＣＭＯＳ器件使...