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提供一种肖特基势垒ＭＯＳＦＥＴ（ＳＢ－ＭＯＳ）器件和在沟道区中制造悬空硅（ＳＯＮ）架构的方法。更具体地说，金属源极／漏极ＳＢ－ＭＯＳ器件与一种沟道结构结合而提供，所述沟道结构包括例如硅的通过ＳＯＮ介电层与大块衬底绝缘的半导体沟道区。在一个实...
该专利属于斯平内克半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯平内克半导体股份有限公司授权不得商用。

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