【技术实现步骤摘要】
一种无芯基板的制作方法
[0001]本专利技术涉及一种基板,尤其涉及一种无芯基板的制作方法。
技术介绍
[0002]现今所有电子产品的元器件都在追求轻、薄、短、小,为此负载元器件的电路板也要求越来越薄。传统工艺是采用有芯基板作为电路板,但是有芯基板的厚度即使可以达到例如0.06mm,但在工艺制作过程中,设备能力很难满足传输如此薄的基板,而且人员的上、下板操作也很容易带来不可控的板破、折板的风险,大大降低产品的良率。特别是,近年来,作为应对基板的薄型化的封装体结构,正在对不具有芯基板、以能够实现高密度布线化的层积层为主体的无芯基板进行研究。
[0003]无芯基板由于通过除去支撑体(芯基板)来实现薄型化而导致刚性下降,因此,在搭载半导体元件并封装体化时,半导体封装体发生翘曲的问题变得更显著。因此,对于无芯基板而言,迫切希望更加有效地降低翘曲。
[0004]现有技术中专利号为CN200710105226.8(授权公告号为CN101241861A)的中国专利技术专利《新型多层无芯支撑结构及其制作方法》公开了本专利技术公开了一种新型多层无芯支撑结构的制作方法,该制作方法包含有阶段:I-在牺牲载体上制作含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜;II-从牺牲载体上剥离所述膜,形成独立式的层状阵列;该膜含有位于绝缘材料中的通孔阵列。本专利技术还公开了一种新型多层无芯支撑结构的制作方法,至少包含有阶段:(I)在牺牲载体上制作含有由绝缘材料包围的传导通孔的膜;(II)从牺牲载体上剥离所述膜,形成独立式的层状阵列;(V)减薄、平整 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种无芯基板的制作方法,其特征在于,该制作方法包括如下步骤:S1、在基材铜(1)顶面添加第一光刻胶层(21),进行曝光、显影,形成第一光刻胶图形;S2、在第一光刻胶图形中电镀上第一层间导体(31);S3、剥离第一光刻胶层(21),留下第一层间导体(31);S4、在第一层间导体(31)及基材铜(1)顶面上堆叠第一绝缘层(41);S5、将基材铜(1)底面减薄、平整,并在减薄后的基材铜(1)底面添加第二光刻胶层(22),进行曝光、显影,形成第二光刻胶图形;S6、根据第二光刻胶图形,刻蚀掉非导体区域的基材铜(1),形成导体图形;S7、剥离第二光刻胶层(22),在第一绝缘层(41)底面沉积添加第一种子层(51);S8、在第一种子层(51)和基材铜上添加第三光刻胶层(23),进行曝光、显影,形成第三光刻胶图形;S9、在第三光刻胶图形中电镀上第二层间导体(32);S10、剥离第三光刻胶层(23),留下第二层间导体(32);S11、除去第一种子层(51),在第二层间导体(32)及基材铜(1)底面上堆叠第二绝缘层(42);S12、打磨第一绝缘层(41)和第二绝缘层(42),露出顶面的第一层间导体(31)和底面的第二层间导体(32);S13、在第一绝缘层(41)和第一层间导体(31)的顶面沉积添加第二种子层(52),在第二绝缘层(42)和第二层间导体(32)的底面沉积添加第三种子层(53);S14、在第二种子层(52)的顶面添加第四光刻胶层(24),在第三种子层(53)的底面添加第五光刻胶层(25),进行曝光、显影,分别形成第四和第五光刻胶图形;S15、在第四光刻胶图形和第五光刻胶图形中分别电镀上第三层间导体(33)和第四层间导体(34);S16、在第四光刻胶层(24)和第三层间导体(33)的顶面继续添加第六光刻胶层(26),在第五光刻胶层(25)和第四层间导体(34)的底面继续添加第七光刻胶层(27),进行曝光、显影,分别形成第六和第七光刻胶图形;S17、对第六光刻胶图形和第七光刻胶图形中电镀上加厚第三层间导体(33)和第四层间导体(34);S18、剥离第四光刻胶层(24)、第五光刻胶层(25)、第六光刻胶层(26)和第七光刻胶层(27),留下第三层间导体(33)和第四层间导体(34);S19、除去第二种子层(52)和第三种子层(53),在第三层间...
【专利技术属性】
技术研发人员:张成立,徐光龙,王强,马梦亚,
申请(专利权)人:宁波华远电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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