离子植入波束角校准制造技术

本发明专利技术的一个或更多个方面是关于确定介于离子束和欲由该离子束选择性地植入离子至其中的工件的晶格结构之间的相对方位，以及按照该相对方位来校准离子植入系统。至少部分地通过导引发散离子束于工件上并寻找基本平行于该工件的晶体平面植入离子的该发散束的方面的角度来确定该波束至晶格结构方位，因此对该晶格结构造成小量损害。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及离子才i/v系统，且更具体地说，涉及校准相对于工件的波束角(beam angle )，且更具体地说，涉及目标工件的晶体平面。
技术介绍
离子植入系统是在集成电路制造中，用来以掺杂物或杂质来掺杂半 导体基板的机制。在这样的系统中，离子化掺杂物材料并从其产生离子 束。该波束被导引于半导体晶圆或工件的表面上，以便用一个或多个掺 杂物元素植入晶圆。波束的离子穿透晶圆的表面以形成具有所要的传导 性的区域，诸如在晶圆中的晶体管器件的制造中。典型的离子植入器包 括用以产生离子束的离子源；包括质量分析仪器的束线组件，其用以 使用磁场来导引和/或过滤(例如质量分解)波束内的离子；以及目标腔 室，其包含一个或多个欲由该离子束植入的半导体晶圆或工件。离子植入器是有利的，因为它们允许在硅内的掺杂物的量和放置方 面的精确性。为了实现用于特定应用的所要的植入，可改变所植入离子 的剂量和能量。离子剂量控制用于特定半导体材料的所植入离子的浓 度。 一般来说，对高剂量植入使用高电流植入器，而对较低剂量的应用 使用中度电流植入器。另一方面，使用离子能量来控制离子被植入工件 中的程度或深度，其在例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在介于离子束和欲由该离子束选择性地植入离子至其中的工件的晶格结构之间建立相对方位的方法，其包含：导引发散离子束朝向欲选择性地植入离子至其中的工件；确定提供基本上平行于该工件的晶体平面的离子流的该离子束的射线的角度；以及相对于该射线的角度来校准离子植入系统。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-11-29 11/288,9081.一种在介于离子束和欲由该离子束选择性地植入离子至其中的工件的晶格结构之间建立相对方位的方法，其包含导引发散离子束朝向欲选择性地植入离子至其中的工件；确定提供基本上平行于该工件的晶体平面的离子流的该离子束的射线的角度；以及相对于该射线的角度来校准离子植入系统。2. 如权利要求1的方法，进一步包含 减小施加至电才及的偏压，以允许该离子束发散。3. 如权利要求2的方法，其中该电极是弯曲的。4. 如权利要求1的方法，进一步包含确定该工件上的一位置，在该位置处已对该工件的晶体晶格结构产 生基本最小量的损害，以确定在何处基本上平行于垂工件的晶体平面植 入离子。5. 如权利要求4的方法，其中热探针度量工具被用来确定该工件上 的该位置。6. 如权利要求4的方法，进一步包含使在该工件上已对该晶格结构产生基本最小量损害的位置与该射线的该角度相互关联。7. 如权利要求6的方法，进一步包含使该工件上已对该晶格结构产生小量损害的位置与在轮廓器上的 对应位置或轮廓器的地点相关，其中该轮廓器协助确定该射线的角度。8. 如权利要求7的方法，进一步包含在该发散离子束的路径上放置掩模和轮廓器，使得一个或多个子束 通过该掩模中的槽且撞击在该轮廓器上；以及确定撞击在该轮廓器上的子束的相应植入角度。9. 如权利要求8的方法，其中该射线对应于撞击在该轮廓器上的该位置或该轮廓器的地点的子 束，该轮廓器上的该位置或该轮廓器的地点对应于在该工件上对该工件 的该晶格结构产生小量损害的位置，以及该射线的该角度对应于该子束的实际结束位置和该子束的预期结 束位置之间的距离(D)除以该掩模和该轮廓器之间的间隔长度(L)的反正切。10. 如权利要求9的方法，其中使该工件上的位置与该轮廓器相互 关联包含确定介于下列位置之间的距离在该工件上离子束的中央轴会撞击工件的地点和在该工件上对该 晶格结构产生小量损害的位置，以及使该距离与该轮廓器上的对应测量相互关联。11. 如权利要求l的方法，其中校准该离子植入系统包含 设定该系统的零角度为已确定的该射线的角度。12. 如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：R雷斯梅尔，D卡门尼塞，
申请(专利权)人：艾克塞利斯技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]