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本发明的一个或更多个方面是关于确定介于离子束和欲由该离子束选择性地植入离子至其中的工件的晶格结构之间的相对方位，以及按照该相对方位来校准离子植入系统。至少部分地通过导引发散离子束于工件上并寻找基本平行于该工件的晶体平面植入离子的该发散束的方...
该专利属于艾克塞利斯技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾克塞利斯技术公司授权不得商用。

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