寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板制造技术

本发明专利技术针对现有的荫罩式等离子体显示板存在的发光效率较低的问题，公开了一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，它主要包括前、后基板及夹在前、后基板中用于支撑前、后基板的包含网格孔阵列的导电荫罩，其每一栅网孔与寻址电极和扫描电极垂直相交，形成基本放电单元。本发明专利技术的特征在于后基板上的寻址电极与荫罩孔的下开口长度方向垂直，前基板上的扫描电极与荫罩孔的下开口长度方向平行。与现有的荫罩式等离子体显示板相比，本发明专利技术能大幅度降低显示板的功耗，提高发光效率及亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示板，尤其涉及一种荫罩式等离子体显示板， 具体地说是一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板。
技术介绍
目前常规的荫罩式等离子体显示板主要包括前基板、后基板和荫罩。后 基板包括后衬底玻璃基板，在后衬底玻璃基板上形成的寻址电极，以及在设有寻址电极的后衬底玻璃基板上形成的介质层;前基板包括前衬底玻璃基板， 在前衬底玻璃基板的下表面上形成的与寻址电极正交排列的扫描电极，以及 在设有扫描电极的前衬底玻璃基板的下表面上形成的介质层；夹在前、后基 板中间的荫罩是由导电材料(例如铁或其合金)加工而成的包含网孔阵列的 薄网板。将上述前基板、荫罩和后基板组装封接后充入预定的放电工作气体， 比如各种惰性气体即形成了荫罩式等离子体显示板。该等离子体显示板的工 作原理如下首先，在寻址电极组和扫描电极之间加一高压窄脉冲或斜坡脉冲 擦除信号，擦除上次放电积累的壁电荷，然后在扫描电极上加一高脉冲寻址 电压选中该行，同时在寻址电极上加以该行的数据脉冲，该数据脉冲电压幅 度与扫描电压之差高于扫描电极与寻址电极之间的着火电压，控制触发放电 以形成对应于所需显示图像的该行的壁电荷分布，在逐行完成整屏图像放电 初始化之后，在扫描电极组和寻址电极之间施加维持放电电压，以显示该帧 图像。如此循环即可实现逐帧显示图像。对彩色等离子体显示板而言，荫罩 的内壁涂敷三基色荧光粉，每一放电单元中的气体放电形成的等离子体辐射 紫外线，激发不同荧光材料发出相应的三基色光。上述的荫罩式等离子体显 示板中寻址电极与荫罩孔下开口的长度方向平行，该类显示板存在的问题就 是荫罩孔下开口附近区域气体放电产生的能量不能被荧光粉表面所吸收，这 部分未被利用的能量降低了显示板的发光效率。
技术实现思路
本专利技术的目的针对现有的荫罩式等离子体显示板存在的发光效率和亮 度较低的问题，设计一种具有更高发光效率的寻址电极与荫罩小孔垂直的等 离子体显示板。本专利技术的技术方案是一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，包括前基板1和后基 板2及夹在前后基板1、 2之间的荫罩3;前基板1包括前衬底玻璃基板4，在前衬底玻璃基板4下表面上形成的第一电极5及介质层6，在介质层6上 形成的保护膜7;后基板2包括后衬底玻璃基板8，在后衬底玻璃基板8上形 成的第二电极10和介质层9，在介质层9上形成的保护膜11;夹在前后基板 1、 2之间的荫罩3是一块包含网格孔12阵列的导电板，荫罩3中的网格孔 12与前基板1接触的上开口 13面积是其与后基板2接触的下开口 14面积的 1.5 10倍；每一网格孔12与第一电极5和第二电极10垂直相交，荫罩3、 覆盖介质层6的第一电极5和覆盖介质层9的第二电极10形成交流介质阻挡 放电的一个基本单元，其特征是后基板2上的第二电极10与荫罩孔下开口 14的长度方向垂直，前基板1上的第一电极5与荫罩孔下开口 14的长度方 向平行。荫罩孔的上开口 13及下开口 14的形状可以是圆形、椭圆形、三边形、 四边形、五边形、六边形或八边形中的任何一种。荫罩3的网格孔12周壁局部或全部涂覆单色紫外激发荧光粉，构成单色 等离子体显示板。荫罩3的网格孔12周壁依次涂覆红、绿、蓝三基色紫外荧光粉，构成彩 色等离子体显示板。荫罩3为铁、含铁合金、其他金属合金或表面镀导电材料膜的非金属材 料的包含网格孔12阵列的导电板，其厚度为0. 1 1. Omra。前基板1上的第一电极5可以是一根扫描电极，也可以是扫描电极与其 他一根或多根辅助电极组成的电极组。后基板2上的第二电极10可以是一根寻址电极，也可以是寻址电极与其他一根或多根辅助电极组成的电极组。 本专利技术的有益效果目前的荫罩式等离子体显示板中荫罩下开口附近区域气体放电产生的能 量不能被荧光粉表面吸收，使显示板的亮度及发光效率的提高受到制约。本 专利技术提出的方案不但减小了显示板的功耗，而且使前基板上的第一电极及后 基板上的第二电极的结构得到更大的优化空间。实验结果和模拟结果均表明 该新型荫罩式等离子体显示板的发光效率和亮度得到不同程度的提高。 附图说明图1是本专利技术的两电极荫罩式等离子体显示板的结构示意图。图2是现有的等离子体显示板中电极与长条形荫罩的结构示意图。 图3是本专利技术的等离子体显示板中电极与长条形荫罩的结构示意图。 图4是现有的等离子体显示板中电极与菱形荫罩的结构示意图。 图5是本专利技术的等离子体显示板中电极与菱形荫罩的结构示意图。 具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。实施例一。如图1、 3所示。一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，包括前基板1和后基 板2及夹在前后基板1、 2之间的荫罩3;前基板1包括前衬底玻璃基板4， 在前衬底玻璃基板4下表面上形成的第一电极5及介质层6，在介质层6上 形成的保护膜7;后基板2包括后衬底玻璃基板8，在后衬底玻璃基板8上形 成的第二电极10和介质层9，在介质层9上形成的保护膜11;夹在前后基板 1、 2之间的荫罩3是一块包含网格孔12阵列的导电板，荫罩3中的网格孔 12与前基板1接触的上开口 13面积是其与后基板2接触的下开口 14面积的 1.5 10倍，荫罩孔的上开口 13及下开口 14形状均为长条形；每一网格孔 12与第一电极5和第二电极10垂直相交，荫罩3、覆盖介质层6的第一电极 5和覆盖介质层9的第二电极10形成交流介质阻挡放电的一个基本单元。如 图2所示，现有的荫罩式等离子体显示板中后基板上的第二电极10与长条形的荫罩孔下开口 14的长度方向平行，前基板上的第一电极5与长条形的荫罩 孔下开口 14方向垂直。如图3所示，本实施例的荫罩式等离子体显示板中后 基板上的第二电极10与长条形的荫罩孔下开口 14的长度方向垂直，前基板 上的第一电极5与长条形的荫罩孔下开口 14方向平行。本专利技术的工作原理如下若将第一电极组5作扫描电极，将第二电极组 IO作为寻址电极，将荫罩3作为公共电极或悬浮。首先，在寻址电极组和扫 描电极之间加一高压窄脉冲或斜坡脉冲擦除信号，擦除上次放电积累的壁电 荷，然后在扫描电极上加一高压扫描脉冲寻址电压选中该行，同时在寻址电 极上加以该行对应于显示图像的数据脉冲，该数据脉冲电压幅度与扫描电压 之差高于扫描电极与寻址电极之间的着火电压，控制触发放电以形成对应于 所需显示图像的该行的壁电荷分布，在逐行完成整屏图像放电初始之后，在 扫描电极和寻址电极之间施加维持放电电压，以显示该帧图像。如此循环即 可实现逐帧显示图像。实施例二。如图1、 5所示。一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，它包括前基板1和后 基板2及夹在前后基板1、 2之间的荫罩3;前基板1包括前衬底玻璃基板4, 在前衬底玻璃基板4下表面上形成的第一电极5及介质层6，在介质层6上 形成的保护膜7;后基板2包括后衬底玻璃基板8，在后衬底玻璃基板8上形 成的第二电极10和介质层9，在介质层9上形成的保护膜11;夹在前后基板 1、 2之间的荫罩3是一块包含网格孔12阵列的导电板，荫罩3中的网格孔 12与前基板1接触的上开口 13面积是其与后基板2接触的下开口 14面积的 1.5 10倍，荫罩网格孔的上开口 13形状为菱形，下开口 14形状为长条形； 每一网格孔12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，它包括前基板（１）和后基板（２）及夹在它们之间的荫罩（３）；所述的前基板（１）包括前衬底玻璃基板（４）、在前衬底玻璃基板（４）下表面上形成的第一电极（５）及介质层（６）、在介质层（６）上形成的保护膜（７）；所述的后基板（２）包括后衬底玻璃基板（８）、在后衬底玻璃基板（８）上形成的第二电极（１０）和介质层（９）、在介质层（９）上形成的保护膜（１１）；所述的荫罩（３）是一块密布有网格孔（１２）阵列的导电板，荫罩（３）中的网格孔（１２）与前基板（１）接触的上开口（１３）的面积是其与后基板（２）接触的下开口（１４）面积的１．５～１０倍；每一网格孔（１２）与第一电极（５）和第二电极（１０）垂直相交，荫罩（３）、覆盖介质层（６）的第一电极（５）和覆盖介质层（９）的第二电极（１０）形成交流介质阻挡放电的一个基本单元，其特征是所述的后基板（２）上的第二电极（１０）与荫罩孔下开口（１４）的长度方向垂直，前基板（１）上的第一电极（５）与荫罩孔下开口（１４）的长度方向平行。

【技术特征摘要】
1、一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，它包括前基板(1)和后基板(2)及夹在它们之间的荫罩(3)；所述的前基板(1)包括前衬底玻璃基板(4)、在前衬底玻璃基板(4)下表面上形成的第一电极(5)及介质层(6)、在介质层(6)上形成的保护膜(7)；所述的后基板(2)包括后衬底玻璃基板(8)、在后衬底玻璃基板(8)上形成的第二电极(10)和介质层(9)、在介质层(9)上形成的保护膜(11)；所述的荫罩(3)是一块密布有网格孔(12)阵列的导电板，荫罩(3)中的网格孔(12)与前基板(1)接触的上开口(13)的面积是其与后基板(2)接触的下开口(14)面积的1.5～10倍；每一网格孔(12)与第一电极(5)和第二电极(10)垂直相交，荫罩(3)、覆盖介质层(6)的第一电极(5)和覆盖介质层(9)的第二电极(10)形成交流介质阻挡放电的一个基本单元，其特征是所述的后基板(2)上的第二电极(10)与荫罩孔下开口(14)的长度方向垂直，前基板(1)上的第一电极(5)与荫罩孔下开口(14)的长度方向平行。2、 根据权利要求1所述的寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，其特 征是所述的荫罩孔(12)的上开口 (13)及下开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨兰兰，温佳佳，朱立锋，屠彦，张雄，王保平，林青园，
申请(专利权)人：南京华显高科有限公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]