【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体显示板，尤其涉及一种荫罩式等离子体显示板， 具体地说是一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板。
技术介绍
目前常规的荫罩式等离子体显示板主要包括前基板、后基板和荫罩。后 基板包括后衬底玻璃基板，在后衬底玻璃基板上形成的寻址电极，以及在设有寻址电极的后衬底玻璃基板上形成的介质层;前基板包括前衬底玻璃基板， 在前衬底玻璃基板的下表面上形成的与寻址电极正交排列的扫描电极，以及 在设有扫描电极的前衬底玻璃基板的下表面上形成的介质层；夹在前、后基 板中间的荫罩是由导电材料(例如铁或其合金)加工而成的包含网孔阵列的 薄网板。将上述前基板、荫罩和后基板组装封接后充入预定的放电工作气体， 比如各种惰性气体即形成了荫罩式等离子体显示板。该等离子体显示板的工 作原理如下首先，在寻址电极组和扫描电极之间加一高压窄脉冲或斜坡脉冲 擦除信号，擦除上次放电积累的壁电荷，然后在扫描电极上加一高脉冲寻址 电压选中该行，同时在寻址电极上加以该行的数据脉冲，该数据脉冲电压幅 度与扫描电压之差高于扫描电极与寻址电极之间的着火电压，控制触发放电 以形成对应于所需显示图像...
【技术保护点】
一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，它包括前基板（１）和后基板（２）及夹在它们之间的荫罩（３）；所述的前基板（１）包括前衬底玻璃基板（４）、在前衬底玻璃基板（４）下表面上形成的第一电极（５）及介质层（６）、在介质层（６）上形成的保护膜（７）；所述的后基板（２）包括后衬底玻璃基板（８）、在后衬底玻璃基板（８）上形成的第二电极（１０）和介质层（９）、在介质层（９）上形成的保护膜（１１）；所述的荫罩（３）是一块密布有网格孔（１２）阵列的导电板，荫罩（３）中的网格孔（１２）与前基板（１）接触的上开口（１３）的面积是其与后基板（２）接触的下开口（１４）面积的１．５～１０倍；每...
【技术特征摘要】
1、一种寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，它包括前基板(1)和后基板(2)及夹在它们之间的荫罩(3)；所述的前基板(1)包括前衬底玻璃基板(4)、在前衬底玻璃基板(4)下表面上形成的第一电极(5)及介质层(6)、在介质层(6)上形成的保护膜(7)；所述的后基板(2)包括后衬底玻璃基板(8)、在后衬底玻璃基板(8)上形成的第二电极(10)和介质层(9)、在介质层(9)上形成的保护膜(11)；所述的荫罩(3)是一块密布有网格孔(12)阵列的导电板，荫罩(3)中的网格孔(12)与前基板(1)接触的上开口(13)的面积是其与后基板(2)接触的下开口(14)面积的1.5～10倍；每一网格孔(12)与第一电极(5)和第二电极(10)垂直相交，荫罩(3)、覆盖介质层(6)的第一电极(5)和覆盖介质层(9)的第二电极(10)形成交流介质阻挡放电的一个基本单元，其特征是所述的后基板(2)上的第二电极(10)与荫罩孔下开口(14)的长度方向垂直，前基板(1)上的第一电极(5)与荫罩孔下开口(14)的长度方向平行。2、 根据权利要求1所述的寻址电极与荫罩小孔垂直的等离子体显示板，其特 征是所述的荫罩孔(12)的上开口 (13)及下开口...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨兰兰，温佳佳，朱立锋，屠彦，张雄，王保平，林青园，
申请(专利权)人：南京华显高科有限公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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